Способ обработки кремния
Способ обработки кремния n-типа проводимости, включающий выдержку пластин при 1250-1300oC в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности кремния, обрабатываемую пластину экранируют кремниевой пластиной n-типа проводимости с образованием микрополости и создают между пластинами температурный градиент 100-200o град/мкм с поддержанием максимальной температуры на обрабатываемой пластине.
Похожие патенты:
Патент 394457 // 394457
Способ подогрева кремниевых стержней // 503463
Патент 356873 // 356873
Патент 155288 // 155288
Способ получения кремниевых заготовок // 138062
Абразивная суспензия // 2102543
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы
Изобретение относится к химической технологии
Способ выращивания монокристаллов кремния // 2177513
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского