Способ получения кремниевых заготовок

Авторы патента:

C30B31/08 - с диффузионным материалом, являющимся соединением элементов, способным к диффузии

Предмет изобретения

Способ получения кремниевых заготовок для получения монокристаллов по способу Чохральского путем диссоциации тетрайодида кремния, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более равномерного распределения примесей в заготовках, в исходный тетрайодид кремния вводят йодиды легирующих металлов, например, мышьяка, сурьмы, бора и других.

Подп. к печ. 27/IV-61 г

Зак. 4127

Формат бум. 70)(108 /ie

Тираж 700

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М, Черкасский пер., д. 2/6

Объем 0,17 усл. п. л.Цена 3 коп.

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петрозкз, 14,.

Редактор Н. Л. Леонтьева Техред А. А. Камышникова Корректор Л. Комарова

Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей // 107450

Абразивная суспензия // 2102543

Способ зонной перекристаллизации градиентом температуры кремниевых пластин на основе алюминиевых зон // 2107117

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния // 2117081

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния // 2158324

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Способ получения мульти- и монокристаллического кремния // 2173738

Изобретение относится к химической технологии

Способ выращивания монокристаллов кремния // 2177513

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского

Способ обработки выращенных слитков монокристалла кремния // 2186887

Изобретение относится к способам обработки выращенных слитков монокристалла кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин солнечных элементов фотовольтаических модулей

Способ получения монокристаллов кремния при нарушении монокристаллического роста // 2189407

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского

Способ определения бездефектной зоны монокристалла кремния // 2189408

Изобретение относится к области определения структуры кристалла кремния и может быть использовано при определении бездефектной зоны монокристалла кремния при выращивании кристаллов по методу Чохральского

Способ получения монокристаллического кремния // 2193079

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского

Способ получения щелочно-галоидных монокристаллов // 1730220

Изобретение относится к получению ионных кристаллов, легированных гидридионами , и может быть использовано для получения фотохромных сред, лазерных сред, детекторов светового и ионизирующих излучений