Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям {[11}
оюз .1 тек 1>1 4I82ll
Союз Советскиа
Социалистический
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 10,03.72 (21) 1758323,23-26 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет
Опубликовано 05.03.74. Бюллетень ¹ 9
Дата опубликования описания 03.09.74 (51) М. Кл. В Olj 17/18
С 01Ь 33/00
Государственный комитет
Сонета Министров СССР ле делам иэооретений и открытий (53) УДК 669.046-172:
:621.315.592:
:546.28(088.8) (72) Авторы изобретения
Л. E. Березенко, Н, И. Блецкан и А. А. Веселкова (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫРАШИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ
С ДВОЙНИКОВЫМИ ГРАНИЦАМИ ПО ПЛОСКОСТЯМ {111) Изобретение может быть использовано для получения сложных кристаллов кремния с двойниковыми границами,,имеющих в поперечных сечениях изменяющиеся по площади участки с различной кристаллографической ориентацией.
Известно, что при выращивании кристаллов кремния кристаллизацией расплава на затравке возможно двойникование по плоскостям (Ш). В результате происходит рост кристаллов с двойниковыми границами, имеющего в поперечных сечениях изменяющиеся по площади участки с различной кристаллографической ориентацией. Однако процесс двойникования носит случайный характер и не всегда может быть воспроизведен.
По предлагаемому способу выращивание производят на четырехсекторную затравку с параллельными ее оси двойниковыми границами и ориентацией каждого сектора (122) в направлении, противоположном направлению выращивания кристалла, из которого она изготовлена. Это позволяет воспроизводимо получать сложные кристаллы, имеющие в поперечных сечениях путь участков, разделенных двойниковыми границами.
П р и м е.р 1. Кристаллы выращивают вытягиванием из расплава по Чохральскому на затравку четырехсекторного строения размером 4Х4Х40 мм в направлении, противоположном направлению роста кристалла, из которого GH3 изготовлена. Рост производят до полного выхода двойниковых плоскостей на боковую поверхность кристалла. Длина кристаллов при этом составляет для диаметра
30 мм — 22 мм; для диаметра 40 мм — 29 мм; для диаметра 50 мм — 35 мм и для диаметра
60 мм — 43 .,1м.
Пример 2. Кристаллы выращивают в про10 цессе бестигельной зонцой плавки. В качестве исходного образца используют четырехсекторный кристалл диаметром 25 мм и длиной
240 мм. Длина единичного прохода до полного выхода двойниковых плоскостей на боковую
15 поверхность кристалла 18 — 20 мм, расстояние между проплавляемыми участками 3 — 4 мм.
Из исходного образца получают 20 сложных кристаллов. Двой происходит с момента затравления по плоскостям (III), обра20 зующим угол 50,7 с плоскостью (122) роста каждого сектора. Площади секторов (122) по мере роста уменьшаются, а ниже плоскостей двойниковапия растет кристалл с ориентацией (100).
Предмет изобретения
Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям (III), имеющих в поперечных сечениях изменяющие30 ся по площади у:асткн с различной кристал4182!1
Составитель T. фирсова
Редактор О. Филиппова Техред T. Миронова Корректор А. Дзесова
Заказ 2204j2 Изд. М 668 Тираж 651 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 лографической ориентацией, кристаллизацией расплава на затравке, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода и получения сложных кристаллов, выращивание произвоlIHT на четырехсекторную затравку с параллельными ее оси двойниковыми границами и ориентацией каждого сектора И221 в направлении, противоположном направлению выращивания кристалла, из которого она изготов5 лена.
