Патент ссср 356873

Авторы патента:

Н. И. Блецкан, Э. С. Фалькевич, Л. Е. Березенко, А. А. Веселкова,

Б. А. Сахаров , Ю. М. Шашков

C30B29/06 - кремний

C30B15/36 - отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

356873

CGIQ3 Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 17Х111.1970 (№ 1471292/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.VI.1973. Бюллетень № 27

Дата опубликования описа ния 4.Х.1973

М. Кл. В 011 17/18

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

УДК 669.046-172(088.8) Авторы изобретения

Н. И. Блецкан, Э. С. Фалькевич, Л. Е. Березенко, А. А. Веселкова, Б. А. Сахаров и Ю. М. Шашков

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДВОЙНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Изобретение относится к металлургии полупроводников.

Известно, что при выращивании монокристаллов кремния вытягиванием из расплавов на затравку, имеющую форму четырехгранной призмы и ориентированную в направлении (100), может происходить образование двойников, являющееся, как правило, следствием нарушения режима выращивания. Однако двойникование носит случайный характер.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что с целью обеспечения одновременного двойникования используют затравку, боковые грани которой являются кристаллографическими плоскостями 1110), что дает возможность получать четы рехсекторные кристаллы.

По предлагаемому способу затравку сечением 3;<3 лл, ориентированную в направлении (100) и ограненную плоскостями <110), приводят в контакт с расплавом, частично оплавляют, а затем поднимают со скоростью более 5 мм, мин до возникновения двойников.

Для упрощения процесса затравления сначала выращивают монокристалл диаметром

1,5 вЂ” 2 л м, длиной 5 вЂ” 7 мм, который отрывают от расплава, а затем производят повторное затравление на застывшую каплю расплава.

После осуществления двойникования процесс ведут обычным путем. Полученные кристаллы имеют четырехсекторное строение.

10 Направление каждого сектора, полученного в результате двойникования, (122). Плоскостями срастания являются плоскости 1122).

Предмет изобретения

15 Способ получения двойниковых кристаллов кремния вытягиванием из расплава на затравку в виде четырехгранной призмы, ориентированную в направлении (100), отличающийся тем, что, с целью обеспечения одновременного

20 двойникования по всем граням октаэдра, используют затравку, боковые грани которой являются кристаллографическими плоскостями {110}.

Патент 155288 // 155288

Устройство для получения монокристаллов кремния // 139440

Способ получения кремниевых заготовок // 138062

Способ плавления кремния и устройство для его осуществления // 113874

Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей // 107450

Способ получения кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой // 2208068

Изобретение относится к производству полупроводниковых слитков и пластин, в частности кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой

Способ выращивания монокристаллов // 2241792

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов из расплавов по Чохральскому

Способ выращивания кристаллов // 2248418

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского

Монокристалл со структурой галлогерманата кальция для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения // 2250938

Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах

Сплав для монокристаллических затравок // 2255130

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при литье монокристаллических отливок с заданной кристаллографической ориентировкой из жаропрочных сплавов, в частности монокристаллических лопаток газовых двигателей

Способ выращивания монокристаллов сапфира из расплава // 2350699

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано на предприятиях химической и электронной промышленности для выращивания монокристаллов сапфира 1-6 категории качества методом Киропулоса из расплавов на затравочный кристалл

Способ и установка для выращивания монокристалла сапфира с ориентацией в с-плоскости // 2436875

Изобретение относится к технологии получения керамических материалов, в частности монокристаллического сапфира в виде слитков или пластин, которые могут быть использованы при производстве светодиодов

Способ получения монокристаллов фосфида индия // 2462541

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа

Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям {[11} // 418211

Способ получения слитка полупроводника с множеством границ наклона @ // 1081245

Абразивная суспензия // 2102543

Способ зонной перекристаллизации градиентом температуры кремниевых пластин на основе алюминиевых зон // 2107117

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния // 2117081

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния // 2158324

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Способ получения мульти- и монокристаллического кремния // 2173738

Изобретение относится к химической технологии