Патент ссср 394457

А1< горы

I!30(?p(. те!!!111 А. А. ЖухОВ1<цки31, IO. С. Неча(.В, M. Л. Ьс3)нштси!3 и А. В, Ов1«льченкО

Ъ »1!13:, сл1, Московский ордена Трудового Красного Знак!ен31 институт стали и сплаВОВ

СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ

IIBI3«c !«II способ удаления дефектов В крист»л I Ix полупроводниковых матерна loB твердых р»створов иа основе соел!!пений, например )!1А,-,,)поЯео, направленный на удаление лсплритиой структуры, заключающнися в том, что кристаллы помещают в камеру с инертным газом пол давлением 200 †8 ат, нагреВ»ют ло высокой температуры (450-- 700 С), ны;1сp?KIlBclIoT при этой температурс в течение

60 — 70оас и охлаждают до исходной тсмпср»Т3 PЫ.

Известный спосос) iic обеспечивает з»мстногo уменьшения плотности дефектов кристалл» (д!!сг!Окаций, иор и т. п.)

Цсльк) данного изобретения является создание спосооа. позволяющего достщ нуть бо,1ее глубокой стспспи удаления дефектов тип»

iiop, дислокаций и т. и.

Поставленная цель достигается тем, что иагреваиис, выдержку и охлаждение повторяют периодически более двух раз при давле-!

Ищ 10 — 10" аг, причем нагрев ведут до температуры 0,8 — 0,9 Т пл 1 кристалла, а охлаждегп!с - 10 температуры 0,4 — 0,7 Т пл К кр п стал,1».

Эффскти!3носгь предложенного способа уда.1ения дефектов определяется действием более

Рт, I;i»«oleo!3 термодннамнческой силы (f =- — ji) (. где C !i с. — р»ннов(III>I«конC ц«нтр»ции 131!к(1иси11 н крист»ллс lip» т(миср»-! урах нагрев» ? =0,8 — 0.9Т ил К и То=-0,4—

0.7 Т пл К соответственно, 1 расстояние мс?кл1 Вак»и«IIÎIII!bi)iи исто

??. с,,„, : зотеро)ичегкоч отжиге 1/ - - 1п -- —" — -, ? <-» глс C. «:-- р»вновеси»я онцентр»ция вакан«III около лсфекI» при ?1),;l т»кже избирательной р»ботой в»к»и«ионных источников и з стоков в условиях термоциклирования при

l3ЫС0КО3I Л»!i. !(. Ннп — — ПPСИМ3 Щ(. СТВЕНI!О уменьшением общего обьем» кристалла. приводящей к «иск!!пи!0 дефектов решетки.

П р и м с р 1. В стандартной камере лля со20 З X;IIIII» ВЫс ОКИ!Х д»ВЛСНИй Н »pi»lep, В МуЛЬтипликаторс тип» «поршень — цип!!Идр;> jc бензином) с давлением 1Оо ат периодически ! агрсвают и охлаждают кристалл цинка от

? =620 К ло ? о=500 К со скоростью ! 0 град/.!!!(н. Продолжительность выдержки кристаллов при температурах TI ИТ составл я ет 10 и 30 .1! а н соответственно. В р сзул ьт агс трехкратного термоцш лирования плот:!ость дислок»ций в кристаллах, определяемая зо Iio «ямкам тр»вг!еипя», уменьшается на три >9)! 457

Соо),)l)i:) ель H. Шей )енко

l()) f) f)(кто р Л. Орлова

Р, i iêòîð К. Шнннуровн 1) «род Л. Богданова

),.к,; 5792 1!зд..\ » 84,3 Т;)рдж ) .),32 Под )нг

Ц1!! П11111 1 осударотнегн)ого ко«)нтст)) Сонета Мипнотрок C ССР

IIo де>)>)«) изобретений н открытий,")1оекгна, К-35, Ркушскея .)ао., д. 4>о

Ооl. );Iп. 1«o громок,,iî ):If) )кт iillil II iilте«ьоf I, !Ii) ) )гр))()))н к канн(ной горгон,,-н четыре порядка до величины 104 †. 10" см—

Пример 2. То же, что в примере l, и; для кадмия Ti — — 560 К, Tg — — 450 К.

Предмет изобретения

1. Способ удаления дефектов в кристаллах, например, металлов, нагреванием их до высокой температуры, выдержкой при этой температуре и последующим охлаждением в камерс li() л )в,!синем, отли»i»»>j>ii! c ".i гсм,: i)), с целию достижсиия более глуоокой сто.. .)и удаления дефектов, иагреваиис, выдержи«u охлаждсиис повторяю г периодически îî i(е

;!вух раз ир!! дав Iснии 10 — 10 ат.

2. Способ по и. 1, отли)>а>огци>1с» гсм, чт)) иагрсв i:и>с всдут до смисратуры 0,8- — 0,9 Т

il, i " f ; i: р и с т а, i, i l ., i o x.. l 3 >l(, ) с и и с — . 0 те м и с р ат рч О, l — 0,7 Т ii,l l«кристал ча.