Тонкопленочный конденсатор

Авторы патента:

изобретени Ф. Воробей, В. А. Лабунов, Е. М. Косаревич , С. Н. Кураева

H01G4/10 - диэлектрики из оксида металла

О П И C вЂ” вЂ” А- Н-И--Е1

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

1 422047

Союз Советских

Социалистических

Реслублик

К АВТОРСКОМУ СВИДВТЕЛЬСУВУ (51) М.Кл, Н Olg 3/075 (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 16.03.72 (21) 1759288/26-9 с присоединением заявки №вЂ”

Государственный комитет

Совета Мнннстров СССР

Il0 делам нзобретеннй и открытий (32) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 30.03.74. Бюллетень М 12

Дата опубликования описания 1?.12.74 (53) УДК 621.319.4 (088.8) (72) Авторы изобретения 3. Ф. Воробей, В. А. Лабунов, Е. М. Косаревич и С. Н. Кураева (71) Заявитель

Минский радиотехнический институт

ТОНКОПЛЕНО IHblA КОНДЕНСАТОР (54) 1

Изобретение относится к Области микроэлектроники и может найти применение при производстве тонкопленочных интегральных схем.

Известны тонкопленочные конденсаторы, содержащие верхнюю и нижнюю алюминиевые обкладки, диэлектрический слой Ge0 и контактные площадки к верхней и нижней обкладкам.

Контактные площадки состоят из слоя нихрома, напыленного на подложку и служащего для увеличения адгезии слоя алюминия, облада1ощего высокой проводимостью и верхнего слоя Ni, который служит для улучшения процесса продпайки проводников к контактной площадке.

Кроме того, для увеличения адгезии под нижнюю обкладку напыляют подслой NiGe, сверху конденсатор защищают диэлектричсски м слоем Geo.

Для производства таких конденсаторов необходимо последовательно использовать маски для напыления контактных площадок, для напыления нижней об <ладки с подслоем, для на пыления диэлектрического слоя, для напыления верхней обкладки и для напыления защитного слоя, т. е. пять масок.

Такие конденсаторы имеют невысокую надежность и долговечность, .которая в осночном определяется пх .низкой электрической прочностью.

Одной из причин снижения электрическзй прочности тонкопленочных конденсаторов яв5 ляется образование приэлектродных слоев за счет окислительно-восстановительных реакции на границе металл-диэлектрик в процессе изготовления и их эксплуатации. Подобные реакции возможны, так как алюминий обладает

1о большей теплотой образования окисла по сравнению с теплотой образования окисного слоя диэлектрика. В результате реакции вблизи к Л1 образуется слой А1 0.- и слой чистого Ge вблизи Geo. Свободный германий

Г5 диффундирует вглубь диэлектрического слоя, образуя проводящие каналы, что в сильной мере снижает электрическую прочность конденсатора.

Кроме того, технология получеш1я извест2О ных тонкопленочных конденсатОрОв усложнена тем, что для создания контактных площадок и нижней обкладки используют разные маски. Это увеличизает затраты на изготовление масок и время технологическorn цикла

25 изготовления конденсатороз.

Цель изобретения вЂ” повышение электрической прочности, надежности и долговечности тонкопленочного конденсатора.

Это достигается тем, что в предложенном

Зр конденсаторе между нижней алюминиевой об422047

Предмет изобретения

Составитель С. Кураева

Техред E. Борисова Корректор T. Добровольская

1 гдактор Т. Рыбалова

Заказ 4777 Изд. № 1441 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

МОТ, Загорский цех кладкой и диэлектрическим слоем расположен дополнительный слой металла с теплотой окисления, меньшей теплоты образования окисного диэлектрика, например никеля. При этом нижняя обкладка одновременно является и конта ктной площадкой.

Трехслойные контактные площадки и нижняя алюминиевая обкладка конденсатора вместе с дополнительным никелевым слоем и подслоем нихрома напыляются за единый технологический цикл через одну маску (вместо двух масок). Это снижает затраты на изготовление масок и уменьшает время технологического цикла изготовления,конденсатора.

На чертеже показана конструкция предлагаемого тонкопленочного конденсатора.

Предлагаемый конденсатор состоит из диэлектрической подложки 1, нижней обкладки 2 из слоев NiGr, А1, %, выполненной вместе с контактными площадками 8 и 4, кото4 рые состоят из тех же слоев, что и обкладка 2; диэлектрического слоя 5 из GeO, верхнего алюминиевого электрода 6 и защитного покрытия 7 из GeO.

Тонкопленочный конденсатор, содержащий

1р изолирующую подложку, нижнюю обкладку, состоящую из металлических слоев, слой диэлвктрика, верхнюю металлическую обкладку и контактные площадки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы

15 конденсатора, между слоем диэлектрика и металлическими слоями нижней обкладкй расположен дополнительный слой металла с теплотой окисления, меньшей теплоты образования окионого диэлектрика, например никеля, 20 причем нижняя обкладка является одновременно и контактной площадкой.

Похожие патенты:

Патент 415734 // 415734

Способ изготовления сегнетокерамических конденсаторов // 337836

Патент 322796 // 322796

Способ нанесения двуокиси марганца на диэлектрик тонкопленочнь[х конденсаторов // 294191

Патент 294184 // 294184

Патент 291251 // 291251

Патент 290331 // 290331

Способ изготовления пленочных конденсаторов // 288153

Конденсатор постоянной емкости // 244508

Патент 180705 // 180705

Конденсатор с оксидным диэлектриком // 2141143

Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к электронакопительным устройствам

Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора // 2284070

Изобретение относится к способам изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Способ изготовления ниобиевого объемно-пористого анода повышенного рабочего напряжения // 2287869

Изобретение относится к производству ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в частности повышенного рабочего напряжения

Тонкопленочный конденсатор на основе проводящих полимеров // 2318263

Способ тренировки тонкопленочных конденсаторов // 588569

Трехуровневый тонкопленочный неполярный конденсатор // 879664

Диэлектрический материал для тонкопленочных конденсаторов // 970497

Способ очистки пленок оксидных материалов от углеродсодержащих примесей // 1447182

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании просветляющих, изолирующих и полупроводниковых структур на основе высших оксидов металлов

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора // 1581097

Изобретение относится к технологии электронной техники и может быть использовано в производстве тонкопленочных гибридных интегральных схем при изготовлении тонкопленочных конденсаторов

Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора // 2516525

Изобретение относится к области электротехники, а именно к технологии нанесения покрытия из диоксида марганца на оксидированные объемно-пористые аноды вентильного металла, например тантала, ниобия. Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора заключается в нанесении многослойного катодного покрытия из диоксида марганца на оксидированный объемно-пористый анод из вентильного металла и включает в себя многократные циклы пропитки-пиролиза анодов с использованием пропитывающего водного раствора с возрастающей от цикла к циклу концентрацией нитрата марганца с добавкой азотной кислоты в качестве активного негалогенированного окисляющего реагента в количестве, обеспечивающем в пропитывающем растворе величину рН 1, не более, и водяного пара во время пиролиза, а также в подформовке анодов после получения каждого слоя диоксида марганца и финишной обработке сформированного многослойного покрытия из диоксида марганца парами азотной кислоты при повышенной температуре 55-70°С в течение не менее 1 минуты. Техническим результатом заявленного изобретения являются стабильные улучшенные электрические характеристики конденсатора, в том числе низкое эквивалентное последовательное сопротивление, а также увеличение выхода годных изделий при сокращении расхода материалов и энергоресурсов. 2 табл., 2 ил., 6 пр.