Способ нанесения двуокиси марганца на диэлектрик тонкопленочнь[х конденсаторов

294I9I

Союз Свввтскик ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства М

МПК H Olg 13,00

Заявлено 14.VI11.1968 (№ 1262921,26-9) с присоединением заявки Мз

Приоритет

Опубликовано 26.1.1971. Бюллетень,¹ 6

Дата опубликования описания 11Л .1071

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете ввиниотров

СССР

УДК 621.319.45:541.135. .3 (088.8) Автор изобрете ни я

Л. С. Сапронова

3 аявитель

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ДВУОКИСИ МАРГАНЦА HA

ДИЭЛЕКТРИК ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

Изобретение относится к микроэлектронике, использующей изготовление пассивных элементов гибридных интегральных схем, в частности изготовление надежных тонкопленочных конденсаторов а основе вентильных м ет аллов.

Известно несколько способов получения;онкопленочных конденсаторов на основе ьснтильных металлов, в том числе путем элсктрохимической обработки диэлектрика в растворе хлористого алюминия в метаноле.

Цель изобретения — повышение надежности и стабильности параметров конденсаторов.

Для этого по предлагаемому способу электрохимическую обработку диэлектрика производят в растворе азотнокислого марганца в этиловом спирте с высаживанием окиси марганца в местах пробоя изоляции.

Обработка ведется следующим образом.

В качестве основы берут танталовые пленки толщиной 2000 А, полученные катодным распылением, с подслоем титана с алюминием, нанесенным термическим распылением на сН 1aJIJIoB) Io noi7JIo2KK) . РисУ нок cooTBQTcTB) ющей конфигурации получают фотолитогра рическим способом. Затем подложка со слоями

Ti — A1 — Та помещается в электролитическую ванну, Г нное анодирование проводится в

0,030/,-ном водном растворе винной кислоты с рН 5 — 6. Далее пленка окисла проходит цикл тсрмообработки прн температуре 200 10 Ñ в течение 5 час и обрабатывается в 0,1%-ном растворе Мп(О ) в этиловом спирте при катодном ьключешш в течение 1 — 10 чин при напряжении, равном 1/ напряжения формовки диэлектрика. Время травления выбирается в соответствии с толщиной и качеством

10 диэлектрика.

Повторное анодирование проводится при анодном включсшш в водном растворе винной кислоты, после чего наносится второй электрод. Такая электрохимическая обработ15 ка диэлектрика позволяет высадить двуокись марганца в местах дефектов и микроканалов, прн этом не создастся сплошного слоя МпО между диэлектриком и вторым электродом конденсатора, так как суммарная площадь

20 отверстий в изоляции во много раз меньше рабочей площади диэлектрика, т. е. диэлектрик, полученный на основе пленки вентильных металлов, нс изменяет своих основных электро-физико-химических свойств, но повы25 шается надежность и стабильность его параметров.

Предмет изобретения

Способ,aIIcceIIIIII двуокиси марганца на

30 диэлектрик тонкопленочных конденсаторов

294191

Составитель Л. Рубинчик

Техред Л. Л. Евдонов

Корректор Л. Б. Бадылама

Редактор Т. Иванова

Заказ 1120/6 Изд. Ка 475 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 на основе вент льных металлов методом электрокимической обработки диэлектрика в водном растворе азотнокислого марганца, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения надси ности и стабильности параметров конденсаторов, э Iектрoxимическую обработку упомянутого диэлектрика производят в спиртовом растворе азотнокислого марганца.