Постоянное запоминающее устройство на мдп транзисторах

О Й И С А Й И Е 387436

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ союз Соеетскил

Социалистических

Республик

„Ф У о

Зависимое от авт. свидетельства Уев

Заявлено ОЗ.Ч.1971 (Ле 1653237/I8-24) с присоединением заявки Ме—

Приоритет

Опубликовано 21.Ч1.1973. Бюллетень Ке 27

Дата опубликования описания 4.Х.1973

М. Кл. Ст 11с 17/ 00 помитет по делам

УДК 687.327(088.8) изобретений и открытий при Совете тлииистров

СССР

Автор изобретения

В. Е. Хавкин

Заявитель

ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

НА МДП ТРАНЗИСТОРАХ

Йзобретение относится к вычислительйой технике, а именно, к запоминающим устройст* вам .вычислительных машин.

Известны постоянные запоминающие устройства (ПЗУ), запись информации в которые осуществляется в процессе .изготовления их.

Однако отсутствие возможности быстрой записи информации непосредственно на объекте резко ограничивает область и удобство его применения.

Для создания матрицы ПЗУ на МДП транзисторах, запись информации в которые может осуществляться непосредственно на объекте и и которых при изготовлении записана однородная информация,,например «О»„ во всех адресах и разрядах в каждую ее диагональ встречно включены по два МДП транзистора, причем, сток одного транзистора присоединен к шине Х„его затвор к шине У, а исток к истоку другого транзистора, сток и затвор которого соединены между собой и с шиной считывания.

На чертеже представлена схема предлагаемого постоянного запоминающего устройства на МДП транзисторах.

Она содержит МДП транзисторы 1:и 2, включенные в диагональ матрицы ПЗУ, затвор 3 транзистора 1, соединенный с шиной У, сток 4 транзистора 1, соединенный с шиной Х, исток 5 транзистора 1, соединенный с истоком

6 гранзистора 2; сток 7 и затвор 8 (соответс f ,венно) транзистора 2, соединенные вместе и одновременно с шиной считывания.

Во вновь изготовленных матрицах во всем б массиве записан «О». Для записи информации модуль ПЗУ подсоединяется всеми своими внешними контактами к устройству записи, например устройству считывания с перфокар= ты или перфоленты, тумблсрпому пульту

10 и т. п. Если с помощью такого устройства присоединить одну из шин У к источнику отппрающего напряжения, соответствующую шину считывания к потенциалу земли, а одну из шин Х к источнику напряжения, превышаю15 щего допустимое обратное напряжение перехода затвор — исток, то произойдет пробой затвор — исток второго транзистора и данная ячейка перейдет в состояние хранения «1».

При работе матрицы в составе ПЗУ к ши20 нам Х и Y присоединяются координатные.ключи, к шине считывания — — входы усилителей воспроизведения.

Напряжение питания шин Х выбирается существенно меньшим, чем допустимое обрат25 ное напряжение перехода исток †затв МДП транзистора.

Предмет изобретения

Постоянное запоминающее устройство на

30 МДП транзисторах, объединенных в матрипу

Составитель Ф. Яворовская

Техред Е. Борисова Корректор Н, Прокуратова

Редактор Е. Гончар

Заказ 2708/16 Изд. № 718 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д, 4 5

Типография, пр. Сапунова, 2 посредством координатных шин Х и Y и шин считывания, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в нем в каждой диагонали матрицы сток первого транзистора соединен с шиной Х, затвор — с шиной У, исток соединен с истоком второго транзистора, сток и затвор которого соединены между собой и сшинойсчитывания.