Запоминающий элемент на моп-транзисторах

Авторы патента:


 

358722

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВ!ИДЕТЕЛЬСТВУ

Своа Советских, Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05Х!1.1971 1(№,1678409/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано ОЗ.Х1.1972. Бюллетень № 34

Дата опубликования описания 15.ХП.1972

М. Кл. G 11с 11/40

Комитет по делам маобретений и открытий лри Совете MIIIIIIcTpOIL

СССР

УДК 681.327.67(088,8) Авторы изобретения

Г. В. Милославский и В, Ф. Роговцев

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ НА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств вычислительных машин.

Известны запоминающие элементы на МОПтранзисторах, содержащие триггер с непосредственными связями, соединенный с двумя разрядными и двумя координатными шинами с помощью двух пар проходных транзисторов.

Недостатком таких элементов является отсутствие автономных цепей управления в режимах записи и считывания, что снижает быстродействие ЗУ в целом.

В предлагаемый элемент введены дополнительно две разрядные и две координатные шины и две пары последовательно соединенных МОП-транзисторов, свободные истокикоторых подключены раздельно к дополнительным разрядным шинам, а стоки — к стокам транзисторов, образующих триггер. Затворы транзисторов дополнительных пар, непосредственно соединенных по истоку с дополнитель-ными разрядными шинами, подключены к одной из дополнительных координатных шин,. а затворы двух других дополнительных тран-зисторов — ко второй дополнительной координатной шине.

Принципиальная схема устройства представлена на чертеже.

Триггер с непосредственными перекрестны-: ми связями образован транзисторами 1 и 2, на объединенные истоки которых подается напряжение от постоянного источника питания

3. Одно плечо триггера через проходныетран5 зисторы 4 и 5 соединено с разрядной шиной

«1» по записи б, а через транзисторы 7 и 8— разрядной шиной «1» по считыванию 9. Второе плечо триггера через проходные транзисторы 10 и 11 соединено с разрядной шиной «О»

10 по записи 12, а через транзисторы 13 и 14— с разрядной шиной «О» по считыванию 15.

Затворы транзисторов 4 и 11 подключены к координатной шине выборки по записи

Х,„ 1б, затворы транзисторов 5 и 11 — к коор15 динатной шине выборки по записи У„ 17, затворы транзисторов 8 и 13 — к координатной шине выборки по считыванию Х„18, а затворы транзисторов 7 и 14 — к координатной шине выборки по считыванию У,„19.

20 В режиме записи разрешающие уровни напряжения по координатным шинам выборки

Х, и У,п открывают проходные транзисторы

4, 5, 10, 11, и информация с разрядных шин

«1» и «О» по записи переписывается в триггер.

25 В режиме считывания разрешающие уровни напряжений по координатным шинам выборки

Х,„и У,„открывают проходные транзисторь:

7, 8, 13, 14, и информация из триггера посту. пает в разрядные шины «1» и «О» по считыва30 пню.

358722

Предмет изобретения

Г

16 Хэп

Составитель Р. Я воровская

Техред Т. Ускова

Корректоры: Л. Чуркина и Е, Усова

Редактор Л. Утехина

Заказ 3964/12 Изд. № 1687 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр . Сапунова, 2,Информация в запоминающем элементе поддерживается с помощью восстанавливающих импульсов, подаваемых на координатные шины выборки элемента по записи (считыванию). В этом случае транзисторы 4, 5, 10 и 11 (7, 8, 18 и 14) играют роль нагрузочных транзисторов для триггера.

Запоминающий элемент на МОП-транзисторах, содержащий триггер с непосредственными связями, каждый выход которого соединен со стоком пары проходных транзисторов, свободный исток каждой пары соединен с разрядной шиной, а затворы обоих транзисторов

5 соединены с координатными шинами, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены две пары последовательно соединенных МОП-транзисторов, свободные истоки которых подключены к допол10 нительным разрядным шинам, а стоки — к выходам триггера, а затворы транзисторов подключены к соответствующим дополнительным координатным шинам.

Запоминающий элемент на моп-транзисторах Запоминающий элемент на моп-транзисторах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх