Кассета для химической обработки полупроводниковых пластин

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

332527

Союз Соеетских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 29.XII.1969 (¹ 1393240/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 14.III.1972. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 13.IV.1972

М. Кл. Н 011 7/68 комитет по делам изобретений и открытий

УДК 621.328.002.54 (088.8) лои Соеете Мииистрое

СССР

Авторы ,изобретения

ВСЕСОКХЗндя

ИМБО- Б" ==- -.- .=:ъА. П. Трещуи и А. В. Полухин

Заявитель

КАССЕТА ДЛЯ ХИМИЧЕСКОИ ОБРАБОТКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к оборудованию для производства полупроводниковых приборов, в частности для химической обработки кремниевых или германиевых пластин.

Известны кассеты для химической обработки полупроводниковых пластин, выполненные в виде, параллелепипедов с пазами для вертикального или радиального рааположения пластин.

Недостатком этих кассет является неподвижность располагаемых в их лазах пластин, в связи с чем травление происходит неравномерно.

Предложенная кассета, позволяет повысить качество обработки пластин. Она отличается тем, что снабжена шарнирно укрепленными в ее пазах ячейками, совершающими при ее возвратно- поступательных движениях колебательные движения. Благодаря этому расположенные в ячейках пластины непрерывно меняют свой угол относительно кассеты.

На фиг. 1 представлен общий вид кассеты; на фиг. 2 —,конструкция кассеты; на фиг. 3— ячейка кассеты.

Кассету 1 с загруженными в нее пластинами ставят на направляющие 2 ванны 8. В ванну наливают травильный раствор, зажигают газовые горелки 4 и включают электродвигатель 5, укрепленный, как и ванна 5, на основании б. При взаимодействии кулачка 7 и штока с,пружиной 8 кассета совершает возвратно-поступательные движения. При этом

5 ячейкам 9 под действием сил инерции и сопротивления жидкости сообщаются колебательные движения, обеспечивающие интенсивное перемешивание травильного раствора и, следовательно, равномерное травление плас-10 тин.

Кассета (фиг. 2) выполнена из нескольких коррозионноустойчивых к агрессивной среде полос 10, соединенных шпильками 11. На кон15 цы ш пилек надеты шкивы 12. В,полосах имеются пазы И, .в которых шарнирно укреплены ячейки 14, выполненные,по образующей конуса, с .целью размещения в них пластин любой формы. Ячейки 14 (фиг. 3) сделаны из

20 брусочков фторо пласта !5 с лазами 1б и обжимами 17 с .приваренными полуосями 18.

В полосах имеются также отверстия 19 (см. фиг. 2), благодаря которым в кассете

25 осуществляется свободное перемещение травильного раствора. Ванна снабжена сосудом

20 для стока избытка жидкости и отверстием

21 для полного слива на случай необходимости замены травильного раствора и слива во30 ды после промывки.

332527

Предмет изобретения

Составитель В. Гришин

Техред Т. Ускова

Корректор Л. Орлова

Редактор Б. Федотов

Заказ 934/13 Изд. № 377 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретсний и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )K-35, Раушская наб., д. 4/5

Типографии, пр. Сапунова, 2

Кассета для химической обработки полупроводниковых пластин, выполненная в виде параллелепипеда с аазами на боковых сторонах, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества обработки пластин, она снабжена шарнирно укрепленными в пазах боковых сторон ячейками, которые при ее возвратно-поступательных движениях совершают

5 колебательные движения,

Кассета для химической обработки полупроводниковых пластин Кассета для химической обработки полупроводниковых пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх