Патент ссср 328519

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено ОЗ.IX.1970 (№ 1476088/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 02 1!.1972. Бюллетень ¹ 6

Дата опубликования описания З.IV.1972

Л1. Кл, Н 011 7/68

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров. СССР

УДК 621.382(088.8) г.сся,, д А 1ГН) 11 с - ф.

В. Д. Зотов, И. С. Зыбина, К. М. Татанов и А. Я. Балабае а

Г ... Л:„и =,".Л

Авторы изобретения

Заявитель ааЭВЪВЪ ЮФЗЗ Ма . -д

ВАКУУМНАЯ ПЕЧЬ

Изобретение относится к оборудованию для производства полупроводниковых приборов и предназначено для изготовления приборов с диффузионно-сплавными p — и-переходами.

Известны печи, выполненные в виде вакуумной камеры с размещенными в пей кассетами для пакетов пластин, нагревателями и грузами-дисками для создания вертикального усилия в пакетах сплавляемых пластин.

Предлагаемая вакуумная печь отличается тем, что ее прижимной диск снабжен вертикальными стержнями с игольчатыми контактами и расположен над кассетой на расстоянии, при котором масса диска не влияет на т мпературное поле пластины.

Такое выполнение печи позволяет совместить операции сплавления и зонной плавки с направленным градиентом температуры в одном технологическом цикле и, следовательно, сократить количество оборудования, уменьшить время обработки, улучшить условия получения приборов в связи с использованием вакуума и повысить выход годных.

На чертеже показана предлагаемая вакуумная печь.

Вакуумная печь содержит камеру 1, кассету. 2 для пакета пластин, нагреватель 8, прижимной диск 4, стержни 5 с игольчатыми контактами.

Работает устройство следующим образом.

Композицию из пластин кремния со слоем алюминия между ними помещают в вакуумную печь, температуры которой можно регулировать в пределах 1100 С, При включении

5 нагревателя происходит нагрев сплавляемой композиции прп свободном излучении стороны пластины кремния, обращенной к прижимному диску 4.

В результате внутри сплавляемой компози10 ции возникает постоянный осевой градиент температуры, под действием которого расплавленная зона начинает перемещаться в сторону нагревателя 3.

При отводе зоны на требуемое расстояние

15 регулируют температуру процесса и его длительность во времени п прекращают процесс выключением нагревателя.

Расстояние между диском и пластиной зависит от ряда факторов: глубины вакуума, 20 массы и материала диска, отражающей способности поверхности диска.

Предмет изобретения

Вакуумная печь, содержащая камеру, кас25 сету для пластин, прижимной диск и нагреватель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения производительности труда за счет совмещения операций сплавления и зонной плавки B одном технологическом цикле, прижим30 ной диск снабжен вертикальными стержнями

328519

Составитель Н. Островская

Техред 3. Тараненко

Корректор Л. Царькова

Редактор И. Грузова

Заказ 711/18 Изд. № 174 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4у5

Типография, пр. Сапунова, 2 с игольчатыми контактами и размещен над кассетой на расстоянии, при котором масса лиска не влияет на температурное поле пластины.

Патент ссср 328519 Патент ссср 328519 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх