Патент ссср 329601

 

3296OI

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от явт. свидетельства №

М. Кл. Н 011 7,68

Заявлено 26Х.1970 (№ 1442482. 26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 09.! 1.1Э72. Бюллетень М 7

Дата опубликования описания 11.1т .1972

Комитет по лала .и изобретений я огкрчтлй

УДК 621.328.2(3) (088.8) ори Сосете Ыннистрое

ССС

Авторы изобретения

Ю. В. Голованов, Л. M. Кукушкин и Л. Е. Шевелев....

1.-,т

° х

3 аявитель

РЕЗЦОВАЯ ГОЛОВКА СКРАЙБЕРНОГО СТАНКА

Изобретение относится к оборудованию для полупроводникового производства.

Известны скрайберные станки с резцовыми голов a Iè, предназначенные для нанесения ри сок.

OclIoBIIaIxl недостатком резцовых головок известных установок является то, что при скрайбировянии возникает усилие давления резца на обрабатываемую пластину, действующее перпендикулярно к плоскости скрайбирован:.гя и приводящее к выкрашивани|о материала па обрабатываемой (скрайбируемой) поверхllости.

Целью изобретения является повышение качества обработки полупроводншсовых пластин.

Для этого в предложенной резцовой головке пружина механизма прижима одним концом прикреплена к корпусу резцовой головки, другим — к резцсдержателю, благодаря чему jcHtI>IB пРижима QPHcTBI cT в II TlocIIocTII cl(PBIIбирования.

На фиг. 1 показана предложенная резцовая "îëîâêà; на фlll. 2, 3 — то же, вариант, вид сбоку и сверху.

Резец 1 rKecTKQ закреплен B резцедержателе 2, котсрый посредством шарнира 8 смонтирован на корпусе 4 резцовой головки. К резцедержате;,ю 2 жестко прикреплен од;II конец пружины б, другой конец которой соединен с регулировочным BB;ITobl б.

Резец 1 производит скрайбирование полупроводниковой пла "т:шы 7. HBBpàBëcíllå перемещения резцовой головки относительно обрабатываемой пластины показано стрелкой А. При скрайбllpoBBBIlи возникает сила сопротивления резанию Р„действующая перпендикулярно режущей кромке резца. Во избежание отжима резца 1 от обрабатываемой поверхности полупроводниковой пластины 7

10 сила Р, уравновешивается силой Р, создаваемой пружиной 5 (величина силы P устанавливается посредством регулировочного винта б). Условие равновесия сил Р, и Р определяется, исходя из равенства их моментов от15 Ilocllrezsllo шарп:lpB 8:

Р а=Ро b, где а и 6 — плечи сил Р, и Рз относительно шарнира.

Используя метод параллельного перемещения сил, установим, что ня резец 1 действуюсила Р, и момент Рос (где с — плечо силы P. относительно точки переноса). В свою оче25 редь, резец 1 воз тействует на обрябятBI»аемую полупроводниковую пластину 7 с силой прижима Р„»„„;, равной по величине силе Р и имеющей противоположное направление:

Рп»яж — Р2

30 Сила прижима Р,,»„-„действует в плоскости скрайбирования и поэтому не вызь|вает выКР 2Ш Il!3«1 1:! и . !с! !(.)!! 2, I 2 П (! !. ) «I!!(! ) ) « « . .1!;I )— верхнос! !.

Резец l> iipu:iз;U,;::,i;i! «<рапб;i»o..;.1.: с креплен посредством отo.-.ñ нв о В:шта а и резцедержателе ". UL, 1(p« i« HB 15: Г сбoll

МЕТ2Л«!и (ССК> 10 О!:Р IBKC С !.:i)1:I !.", !« и . .>

ХВОС ОВИКОЫ, В UTOO) io B)lo;iT 100 1:,:i,(«!21((Л, ИМЕЮЩ(Ш НЕСКОГ(ЬКО «.С)КУП(!П< .:;.:.:: . РСЗ .— держатель 2 через ш I;; i;Ip за:;,)сп. «I; корпусе 4 резцовой головк,i. Ш((рп: р «0«то:п из двух шар:!KoB 9:i г!о "K: зшого в:шта 1().

Через рсзцсдержапгель 2 !(роход(г(1 ш 1!, обеспечивающи!1 позорот резцсдер)к:) i,ля вертикаль:!Ой лоскост:I. 1) коря с 4 Входи винт 12, г!редназначеннь Й для:!L>,03(«. .и«:I:I: резцовой головки B верт:и<аз(и Gll lir UL î (при нистро!!кс па Tpcî«cìó(0 I ;ëó5ït; «c::02èoHpoBHíè5I) . РезцОВая Оловка:>(Опт!! po132!1:; на основании 1, 5 скрайберного ста:IK!..

Механизм и р (жиь! а pсзцc. !< 00;)202 >1!> И«в мой полу:!ровод!(иксвои п.-(асгипе ньп(олпеп

1)иде горизонтальной нру)кгп(ь: (), Од:ш копс которой крепится к шт:!фту И, )ксст::o «ìîíтированному на резцсдерж«i r«.!с 2, и д;угой — 15, llppcз!0(на!ОJ > йся по регулировочному Винту !). Зи-Гг !) (eeT T0JIb о ВРащательное,)B:I)KOII; «. 1 ВЙка . °,(теремещаетсбя B !азу корпуc2 1 I:о нà I)22ЛЯЮЩИМ (IPH BPH LB«II!I II В 11!Tc! ().

Работает резцовая "U.IUBK, .лс.l !Ои;и:>( образом.

РЕЗЦОВаЯ ГОЛОВКа УС:1(:!«1135(1:!3:-.Стен:> и !в правляющих ос:!ования ° 8 c!(;)2 tr)cрног(; cr2!Iка, а обраоатызаемая нс.-(укрсво-,п(I(U!:,! илаcT:.iíà закрсп.".яется па его ГU .,:Iêc.

O T О С Н О В а )I:151 l 8 .) С З Ц 0 В «1 5! 10 I O B!(1. СЗ Л ) с(1 С (I302BpHTII0-!:ОСТупаТС;(ы10« !в:.I;KCI (UT!:О тельно полупрозод ((н(озо:.I и) 2. -Ппы, н, I з;(!3I

ПОЛУП«РОВОДП ИКОВОЙ .(IЛ i CÒ П!С " Г (!." П К 1 (;1:!5«, ПО«0 « ((lнхс. СО«О(1(2ЕТС51 дВ "iжЕI(ИС

;.(, ;((! «1(I, .I;i;IÐ 2 I! 2(.!. IL Кото;>ОГО;(СО(!СПДП><У:IЯРI U;!! 3 >П Ы С! 1: I I O Р С l! U I3 U I! Г О Л 0 В К П . ) рс.-улита "::!2 05р батыв;cìó!0 поверх110« . :!. :>, ;)С. !) 1!IH!(OBOI!:I«1 с ."I :!:Il>i liHBUСЯТСЯ «с ( U )1 1;)BB!I UП(и !О;10 i(2 ПCPP >! ЕП«2СТС51 (> Г!IUC! I C, I b: О ÎC!!O!> (!:.1 .Я .> ДЛЯ .) OCC:(СЧСН Ия f>c(5) %chic Ii Гл, О.!! 1!>! СИР«l 10)1 зова и!. Я. (>:.Пlтох! (О,. ) 1)сзсц 1 г<()спи. 51:3 )сзlседер:1<ателе 2 тсlк(!)! ооразом, г(обы гс режущая грань созпада lcl и:-:.. (12 л>:пнем движсп t! 5! резцовой головки.

1! и;To)(11 резцеде )жатсль !сворачивается ц«.,"лпо «ОВ lс Пения сГО 3", ) г Iка:Iь,IОЙ Оси «

1;): очко(: «Он p):1 (ко с ноас(1:(я ()(.2ца ° с полупро.;0,((i::KîBOI(:i..:Hcò iíoé. BI i.том 6, Kåpñ. ..с(Па:o. 1f! K) 12, "Оз (;1(Tcя рсб)>«сз(ое т,си,(;.с .:::.::кима резца к 1:олугроводни (о 3оп (-.ласг;!и - !р. i cc «кра!!б:!ров;1 пп. Ус: лпс и )иж!0 М сl I: О Д О «! P 2 Ю Т Т 2 К И М О О (. а 3 О М, «I T O О 1>1 I I () Е Д O Tв.)HTI:T!> UTж:Dl резца 1 от полуl ро.одн ковой пластины нри скрайб (ровапии I! обе>п.ечпть

::2 !С«Е 11(. На ПОЛ>):: ОЗО, .1!I:!.0:>) IU;I.! 2«Г(ИН .

I«0К ОД!I!:2!<О:3U,, Л, 0:l.!!>I ilo !! C:! !!U."Ñ )ХПО>

2.>, 1:: . ;: .> 5 i".U;,il!1!lj! че Мeт:(О бр(.!;-,i:,я

Рс=цо)В я !оauB(; скрайбез iorо c!HB:<2, со30, с p iK c! (с. 5I К 0 р П >>> С, П 2 р Ii i р I(О З а К >p C: I, : «111! 1>1 Й ..С.. . (=:)К(ГГС.!Ь С .)СЗЦО)(, П:;УжИННЫЙ МОХ«(! (!>)! . .!«:- . . . >l: p(i2I! сl К Оораoci) b BH«МОХ!3 Мсl-! .).:11!Г! "., 0 ."«II((,C!,<«;и(а I Cл С>1. >!ТÎ, С ЦЕЛЬ(0 110.::::!«: K K:-:.I««: i Об)2(.:!!: i:I ó lL,: о«рсдо;5 . :, !. 1 и "С!П :: j! I !5! Ifl!I)K )I!! 13 !3ЛОСКО«к )аi!, 5п Од . !fн)! пруж I! (.,Iсхсп! >!3 >!2 .. :!ж:!3; ).I ! Kol 11«) нрикзCII«I !! 2 K ,(> ) ;. 1;СЗ i:;;;; 1:.10(в!(It, !(» П!М вЂ” РСЗ«

1;, !)«

/ г., ч>

Л ь1 Г..

1 !

«

«

У -Х, > ,> 1 ,1, >

Е

°,; 5,«,-.;,:, =«;, 7;, ;,: °,«

329601

Риг,Х

Составитель В. Гришин

Корр "кторы: Е. Давыдкина

Е. Ласточкина

Редактор Т. Орловская

Текред Т. Ускова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 853/15 Изд. Мв 219 Тпраьк 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Мшп1стров СССР

Москва, Я-35, Раушская паб., д, 4, 5

Патент ссср 329601 Патент ссср 329601 Патент ссср 329601 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх