Способ контроля толщины тонких пленок по

 

()

r, О ПИ СА — H=-М Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

322608

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 19 1.1970 (№ 1395056/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 30.Х1.1971. Бюллетень № 36

Дата опубликования описания 31.1.1972

М. Кл. G 01Ь 11/06

Комитет по делан изобретений и открытий при Совете тйииистров

СССР

УДК 667.783(088.8) Автор изобретения

В. В. Андрющенко

Институт полупроводников АН Украинской ССР

Заявитель

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПО

ОТРАЖЕНИЮ ИЛИ ПРОПУСКАНИЮ СВЕТА В ПРОЦЕССЕ

ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к способам контроля толщины тонких пленок многослойных оптических систем в процессе их изготовления.

Известные экстремальные способы контроля толщины каждого слоя в процессе напыления не позволяют точно зарегистрировать момент прекращения напыления даже при напылении первого слоя. Точность последующих слоев прогрессивно ухудшается.

Цель изобретения — повысить точность контроля.

Это достигается тем, что для контроля толщины напыляемой пленки фиксируют изменение интенсивности прошедшего через напыляемую пленку или отраженного от нее света длиной волны точек пересечения спектральных характеристик отражения или пропускания системы слоев с напыляемой пленкой и той же системы без нее. Например, для контроля толщины второго напыляемого слоя используют свет длиной волны точек пересечения спектральных характеристик пропускания или отражения одного и двух слоев, для контроля толщины третьего слоя — свет длиной волны точек пересечения спектральных характеристик двух и трех слоев и т. д. Напыление прекращают в момент, когда интенсивность

5 прошедшего или отраженного света достигнет интенсивности, которая была зарегистрирована до начала нанесения контролируемого слоя.

Предмет изобретения

1о Способ контроля толщины тонких пленок по отражению или пропусканию света в процессе их изготовления, заключающийся в том, что регистрируют прошедший через контролируемую пленку или отраженный от нее свет, 15 преобразуют световой поток в электрический сигнал, который подают на исполнительный орган для прекращения процесса напыления, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, регистрируют свет, длина

20 волны которого соответствует точкам пересечения спектральных характеристик отражения или пропускания системы слоев с напыляемой пленкой и той же системы без нее.

Способ контроля толщины тонких пленок по 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения толщины и показателя преломления прозрачных слоев

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматического измерения толщины прозрачных материалов, например листового стекла, в непрерывном производственном процессе

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к оптическим интерферометрам, и может быть использовано для непрерывного бесконтактного измерения геометрической толщины прозрачных и непрозрачных объектов, например листовых материалов (металлопроката, полимерных пленок), деталей сложной формы из мягких материалов, не допускающих контактных измерений (например, поршневых вкладышей для двигателей внутреннего сгорания), эталонных пластин и подложек в оптической и полупроводниковой промышленности и т.д

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщин слоев прозрачных жидкостей и может быть использован для бесконтактного определения толщин слоев прозрачных жидкостей в лакокрасочной, химической и электронной промышленности, а также в физических и химических приборах

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам измерения оптической толщины плоскопараллельных объектов и слоев

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в черной и цветной металлургии для измерения толщины проката в условиях горячего производства без остановки технологического процесса

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины и измерения разнотолщинности пленок, в частности в устройствах для нанесения фоторезиста в операциях фотолитографии

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщины слоя прозрачной жидкости
Наверх