Способ определения толщины тонких пленок

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетсккк

Социалистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства Х—

Заявлено 04,Х11.1968 (№ 1287100/25-28) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 26. т 111.1970. Бюллетень ¹ 27

Дата опубликования описания 16.XI I.1970

Кл. 42Ь, 12/06

Комитет по дедом изобретеиий и открмтий ори Сооете Министроо

СС0Р.ЧПК G 0Ib 11/06

УДК 531.717.1 (088.8) Авторы изобретения

В. В. Долгов и Ю. Н. Дьяков

3 аявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК

Предмет изобретения

Известен способ определения толщины тонких пленок, нанесенных на подложку, с использованием индентора и микроскопа, заключающийся в том, что в подложку со стороны пленки вдавливают индентор с определенным усилием, необходимым для проникновения через пленку в поверхность подложки, и после снятия усилия измеряют геометрические размеры отпечатка, по которым судят о толщине пленки. 10

Предлагаемый способ предназначен для ускорения процесса измерения толщины тонкой пленки в любом заранее выбранном месте по пластине.

Сущность описываемого способа состоит в 15 том, что в качестве индентора используют алмазный наконечник в виде пирамиды с ромбическим основанием и углами при вершине от 120 до 180 в плоскости большой диагонали и от 110 до 160 в плоскости малой диагонали, с помощью микроскопа определяют разность длин больших диагоналей отпечатка на переходе пленка — подложка и на поверхности пленки, а затем вычисляют толщину пленки по известному уравнению 25 (Д2 Д1) где Д1 — длина большей диагонали ромба на переходе пленка — подложка;

Дс — длина большей диагонали ромба .на поверхности пленки; 30 к — постоянный коэффициент, зависящий от величины угла при вершине пирамиды в плоскости большей диагонали.

Предлагаемый способ поясняется чертежом.

Индентор вдавливают со стороны пленки 1 в подложку 2 и измеряют диагонали Д1 и Д отпечатка 8 на одном приборе, который снабжен микроскопом с предметным столиком, поворачивающимся относительно неподвижной осн на 180 . Затем вычисляют толщину h пленки по уравнению, приведенному выше.

Во избежание деформаций пленки в плоскости большей диагонали выбрана такая форма алмазной пирамиды, при которой углы прп вершине равны 134 и 172 . Прп этом незначительные деформации пленки в месте отпечатка возникают только в плоскости малой диагонали.

Разработанный метод может быть использован и для измерения толщин многослойных металлических пленок без примененпя прп этом поочередного травления.

Способ определения толщины тонких пленок, нанесенных на подложку, с использованием индентора и микроскопа, заключающийся в том, что в подложку со стороны пленки вдавливают индентор с определенным усилием, 279975

Составит ель Л. Кениг

Редактор T. Юрчикова Техред А. А. Камышникова Коррсктор В. И. )Колудева

Заказ 6811 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьтвий при Совете Мииостров СССР

Москва, 5К-35, Рауюская наб., д. 4/5

Областная типография Костромского,управлен ия по печати необходимым для проникновения его через пленку в поверхность подложки, и после снятия усилия измеряют геометрические размеры отпечатка, по которым судят о толщине пленки, отличающийся тем, что, с целью сокраще- 5 нпя времени процесса измерений, в:качестве индентора используют алмазный наконечник в виде пирамиды с ромоическим основанием и углами при вершине от 120 до 180 — в плоскости большой диагонали, от 110 до 160 — в 1о плоскости малой диагонали, и с помощью микроскопа определяют разность длин больших диагоналей отпечатка на переходе пленка— подложка и на поверхности пленки, а затем вычисляют толщину пленки по известному уравнению

Ь= (Дв — Д1) к, где Д1 — длина большей диагонали ромба на переходе пленка — подложка;

Д вЂ” длина большей диагонали ромба на поверхности пленки; к — постоянный коэффициент, зависящий от величины угла при вершине пирамиды в плоскости большей диагонали.