Устройство для снятия вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов

280684

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21g, 11,/02

Заявлено 11.11.1969 (№ 1306223/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК Н 01 7/68

G 01r 31;26

УДК 621.382.001.3(088.8) Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано ОЗ.IХ.1970. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 11.1.1971

Авторы изобретения

H. С. Веремейчук и М. М. Бабушкин

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СНЯТИЯ ВОЛЪТАМПЕРНЫХ

ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности, к устройствам для измерения нарушенного слоя на полупроводниковых материалах после механической обработки.

Известно устройство для измерения нарушенного слоя на германии и кремнии после механической обработки, содер>кащее основание, на котором закрепляется контактная медная пластина для соединения измеряемой по- 10 полупроводниковой пластины с положительным полюсом источника питания. На основании установлен также механизм для закрепления и перемещения электрода (катода), который соединен с отрицательным полюсом ис- 15 точника питания. Контактирование измеряемой пластины с электролитом производится с помощью фторопластового кольца, смонтированного на измеряемой пластине. В образованный таким образом сосуд наливают элек- 20 тролит, в который опускают катод.

Одну сторону пластины, предназначенной для измерения, покрывают лаком ХСЛ, а другую сторону — палладием и получают в результате омический палладиевый контакт. 25

Омический контакт соединяют с положительным полюсом источника питания. Затем наклеивают фторопластовое кольцо и наливают приблизительно 1 смз плавиковой кислоты.

Платиновый электрод, соединенный с отрица- 30 тельным полюсом, погру>кают в электролит, так чтобы электрод не касался поверхности пластины. Вольтамперную характеристику системы снимают в темноте и сравнивают с кривой анодного растворения германия, не имеющего нарушенного слоя.

Недостаток этого устройства заключается в низкой воспроизводимости результатов, а также в том, что при каждом снятии вольтамперных характеристик необходимо многократно наклеивать полупроводниковые пластины на державки для измерения, а затем отсоединять их, а также наносить защитные покрытия на пластины перед травлением. Это делает каждый замер весьма трудоемким н приводит к увеличению погрешностей измерений.

Целью изобретения является повышение воспроизводимости результатов и удобства в работе.

Для этого в предложенном устройстве система контактирования измеряемой пластины с электролитом составлена из двух сообщающихся сосудов, что позволяет поддерживать постоянный уровень электролита в рабочем объеме и обеспечивать надежный контакт электролита с поверхностью исследуемой пластины. На торце одного из сосудов имее"" гнездо для помещения измеря ""а электрод (катод1

280684 спирали, жестко установленной параллельно плоскости измеряемой пластины.

Кроме того, система контактирования с положительным полюсом источника питания представляет собой изолированный постоянно подпружиненный стержень с державкой измеряемой пластины.

На чертеже показано предложенное устройство в разрезе.

На основании 1 установлены два сообщающихся сосуда 2 и 8. Электрод 4 в виде плоской спирали жестко закреплен параллельно плоскости измеряемого образца 5, наклеенного на державку. Последняя представляет собой изолированный стержень б с пружиной 7.

На торце сосуда 2 имеется гнездо, в которое устанавливается державка с приклеенным образцом 5.

Устройство работает следующим образом.

В сосуд 8 заливают электролит (плавиковую кислоту) до появления мениска жидкости в верхней части сосуда 2.

Образец 5, наклеенный на державку, с нанесенным íà его нижней плоскости палладием, устанавливают в гнездо на торце сосуда 2 и фиксируют с помощью пружины 7 в корпусе.

Избыток электролита сливается через кольцевой паз 8 и канал 9 в стакан 10 для сбора электролита.

Затем снимают вольтамперную характеристику системы и сравнивают с эталонной. Если кривые не совпадают, то образец подвергают травлению с последующими измерениями тол5 щины и снятием вольтамперных характеристик. Для травления образец снимают вместе с контактирующим устройством, травят и ьновь устанавливают в сосуд для снятия вольтамперных характеристик.

Предмет изобретения

Устройство для снятия вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов, содержащее систему контактирования полу15 проводниковой пластины с электролитом, систему контактирования с положительным полюсом источника питания и катод, отличаюи ееся тем, что, с целью улучшения результатов измерения, система контактирования полу20 проводниковой пластины с электролитом выполнена в виде двух сообщающихся сосудов, на торце одного из которых размещена система контактирования с положительным полюсом источника питания, выполненная в виде

25 изолированного постоянно подпруииненного к торцу стержня с державкой измеряемого образца, а катод выполнен в виде плоской спирали, жестко установленной параллельно плоскости измеряемой пластины.

280684

Составитель В. М. Гришин

Редактор T. 3. Орловская Техред 3. Н. Тараненко Корректоры: Л. Корогод и М. Коробова

Заказ 3444, IO Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская паб, д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2