Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОР СКОФАУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советски»

Социалистических республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл, 21b, 27/06

21е, Зб 10

Заявлено 02.XI I.1965 (№ 1040853/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 16Л .1967. Бюллетень № 11

МПК Н 01m

G 0lr

УДК, 621 362 1(088 8) Комитет ло делам изобретений и открытиЯ ори Сосете Министраа

СССР

Дата опубликования описания 19Х1.1967

Авторы изобретения

Ю. Г. Басин и Е. П. Сабо

Физико-технический институт

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Предмет изобретения

При исследовании термоэлектрических свойств полупроводниковых материалов методом Хармана при пропускании постоянного электрического тока через образец электрическое напряжение на потенциальных электро. дах образца складывается из омического падения напряжения и термо-э.д.с. за счет эффекта Пельтье. Известен способ измерения этих напряжений, основанный на инерционности тепловых процессов. Однако такой способ измерения не предусматривает непрерывной записи температурной зависимости термоэлектрических параметров.

По предложенному способу через образец пропускают периодически прерывающийся ток одного направления, составляющие зондового напряжения разделяются с помощью фильтрующих цепей, после чего из усиленной постоянной составляющей, являющейся суммой двух напряжений, вычитается усиленная переменная составляющая, представляющая собой омическое падение напряжения. Благодаря этому обеспечивается возможность проведения одновременных измерений омического падения напряжения и термо-э,д.с. и непрерывной записи температурных ходов этих величин.

Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов, использующий инерционность тепловых процессов в образце для разделения омического падения напряжения и термо-э.д.с., отличаюи1ийся тем, что, с целью одновременного измерения и непрерывной записи температурных ходов омического падения напряжения и термо-э.д.с., через образец пропускают периодически прерывающийся ток одного направления, составляющие зондового напряжения разделяются с помощью электрических фильт20 рующих цепей, после чего из усиленной постоянной составляющей в разностной схеме ,вычитается усиленная переменная составляющая.

Похожие патенты:

Патент 187859 // 187859

Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников // 186538

Индикатор для определения глубины дрейфа лития в кремниевых^? — г — п-детекторах ядерных излучений // 184980

Ударно-вибрационный стенд // 179387

Способ измерения дрейфа обратного тока р—п-переходов // 174277

Способ стробоскопического наблюдения // 172406

Измеритель физических свойств материалов на сеч // 166763

Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов // 164068

Патент 163291 // 163291

Патент 157015 // 157015

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349