Устройство для нанесения фоторезиста

 

ОП ИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ реме Севетеиив

Социалистически к

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Кл. 21 :, -11/02

75а, 22

Заявлено 27.Х.1967 (№ 1193582/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 12.VIII.1969. Бюллетень ¹ 26

Дата опубликования описания 16.11.1970

МПК Н 01/

В 44b

УДК 621.382.2/3,,681. 92/94 (088. 8) ь

Комитет по делам иаобретвний и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. Н. Клепиков, Б. И. Симакин и В. Н. Осенков

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОХОРЕЗИСТА

Предлагаемое устройство предназначено для использования в полупроводниковой промышленности при производстве полупроводниковых приборов, в частности при фотолитогр афин.

В настоящее время фоторезист на носится на полупроводниковые пластины на уста новках, использующих методы пульверизации или центрифугиро вания. При пульверизации невозможно получить тонкий слой резиста, например 0,5 — 1,5 лк, так как размер капель при прямой пульверизации не менее 15 — 20 ик.

Предлагаемое устройство содержит два распылителя, сопла которых направлены на вогнутые отражатели, и форсунку, создающую с помощью слабой струи инертного газа направленный поток мельчайших частиц распыленного фоторезиста подложку. Такая конструкция позволяет, кроче распыления фоторезиста, произвести трехкратную его сепарацию (отделение мелких частиц от более крупных) и создать направленный непрерывный поток отделенных мелких частиц на подложку.

На фиг. 1 показано описываемое устройство, общий вид; на фиг. 2 — то же, вид сверху, крышка с форсункой условно сняты.

Устройство состоит из цилиндрической камеры 1, к которой крепятся три форсу нки 2, 8 и 4. Камера имеет дно б и крышку б. Через окно в дне о происходит напыление фоторезиста на подаваемые транспортером 7 подложки 8.

Внутри камеры установлены смещенные относительно центра отражатели 9, выполненные в виде части боковой поверхности цилиндра. Каждый из ННх находится против сопла соответствующей форсу|нки 2 и 8. Форсунки 2 и 8 служат для распыления фоторе10 зиста и подачи струи на отражатели 9. Для улучшения сепарации эти форсунки установлены под углом 5 — 10 к горизонтальной плоскости. Кроме того, оси форсунок направлены под некоторым углом к плоскости экра15 нов (угол и), что позволяет при работе создать завихрение распыленного фоторезпста относительно вертикальной оси камеры. Форсунка 4 крепится к крышке б и предназначена для получения слабого потока инертного

20 газа (аргона), .создающего направленный поток мелких частиц фоторезиста на подложку.

В устройство входит также транспортер 7, предназначенный для перемещения пластин в

25 процессе нанесения и сушки фоторезиста, а также узел 10 предварительной сушки снизу и узел 11 окончательной сушки фоторезиста.

Устройство работает следующим образом.

Фоторезист поступает к форсункам 2 и 8

30 из резервуара под давлением 0,5 — 1,0 атль.

250322 Pug.1

Фиа. Р

Редактор Н. С. Коган

Составнтекь В. В. Шведова

Корректорвк E. Ласточкина и А. Абрамова

ЦНИИПИ Заказ 3637, 1 Тираж 480 Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2

Давление создается инертным газом (аргоном). Распыление фоторезиста также осуществляется аргоном под давлением 4 — 6 атм.

Струя распыленного фоторезиста содержит частицы разных размеров. Более крупные частично оседают,на отражателях 9, остальные подвергаются дроблению при ударе об отражатели. Такой процесс повторяется несколько раз до тех пор, пока скоро|сть капли еще достаточна для дробления. При меньшей скорости капли будут оседать на стенках отражателя 9. Кроме того, мелкие капли струи и капли, полученные при сепарации на экранах, подвергаются завихрению, в результате которого мельчайшие частицы остаются в центре камеры, а остальная часть отбрасывается на стенки. Слабым потоком аргона, который создается фопсункой 4, самые мельчайшие частицы направляются,на подложку 8.

Таким образом, распыленный фоторезист подвергается первичной сепа рици на отражателях 9, вторичной сепарации — за счет завихрения. Это позволяет получить равномерный слой фоторезиста толщиной 0,5 — 2,0 мк.

Капли, которые остались на стенках, коагулируются и стекают в сборник. Из сборника фоторезист поступает на очистку и снова пригоден к применению.

Подложки 8, на которые нужно нанести фоторезист, укладываются в гнезда ленты транспортера 7. Скорость движения ленты тра нспортера определяется необходимой толщиной наносимого слоя. Нанесение фоторезиста происходит .в момент прохождения пластин (подложки 8) .под окном дна 5. После нанесения осуществляется предварительная сушка фоторезиста снизу при помощи узла 10.

Окончательная сушка происходит в узле 11.

После сушки готовая пластина выгружается вручную.

Предмет изобретения

У стройство для нанесения фоторезиста, содержащее рабочую камеру, распылители, транспортер для перемещения деталей, нагреватель, отличающееся тем, что, с целью увеличения равномерности покрытия по толщине, в его .рабочей камере напротив каждого распылителя установлены отражатели, выполненные в виде части боковой поверхности цилиндра, и создающие завихрение фоторезиста

25 относительно вертикальной оси камеры, а на верхней крышке .камеры помещена фор сунка для создания |направленного потока инертного газа в сторону подложки.

Устройство для нанесения фоторезиста Устройство для нанесения фоторезиста 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх