Широкопольный растровый объектив

 

О П И С А Н И Е 247412

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Совотскин

Социал истичес кис

Респуйлнн

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл, 2ig, 11/02

Заявлено 13.Х|.1967 (№ 1196387/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.VII.1969. Бюллетень № 22

Дата опубликования описания 8.XII.1969

МПК H Oll

УДК 621.382(088.8) Комитет но делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР! e- . Иа :й м

- Д ПЛТ ПТ|10 YElHIPltct;as 1

Ь" 6:ЖОТсЕА

Авторы изобретения

И. М. Глазков, Г. П. Шадурский и Е. В. Ивакин

Заявитель

ШИРОКОПОЛЬНЫЙ РАСТРОВЫЙ ОБЪЕКТИВ

Предлагаемый растровый объектив предназначен для получения комплектов фотошаблонов, используемых при изготовлении полупроводниковых приборов и твердых схем.

Известен растровый объектив, содержащий сменную диафрагму и систему преломляющих оптических элементов (линзовых растров), расположенных в определенном порядке в одной плоскости для размножения изображений оптическим путем с одновременным уменьшением (200 — 700-кратным). Однако поле, которое обеспечивает каждая элементарная линза растра, не превышает 0,5Х0,5 мм в пространстве изображений. Это затрудняет внедрение растров в производство твердых схем и отдельных полупроводниковых приборов, размеры которых достигают 1Х1 мм и больше.

Предлагаемый широкопольный растровый объектив обеспечивает качественное изображение на большом поле за счет того, что каждая из ячеек линзового растра включает в себя несколько элементарных линз, расположенных одна от другой в ячейке на расстоянии, равном рабочему полю, рисуемому элементарной линзой.

Строгое равенство расстояний между отдельными элементарными линзами обеспечивает качественную стыковку частей целого изображения, полученного по частям.

На чертеже изображены две проекции части четырехлинзового шпрокопольного растрового объектива (на второй проекции сменная диафрагма не показана).

Объектив содержит линзовый растр 1, каждая ячейка 2 которого состоит из четырех элементарных линз 8. Все линзы растра 1 задиафрагмированы апертурной диафрагмой

1р 4 и сменной диафрагмой 5, которая поочередно перекрывает три линзы из четырех во всех ячейках растра. Расстояние t между линзами в каждой ячейке строго одинаково и равно рабочему полю, рисуемому элементарной линl5 зой. К точности соблюдения шага T ячеек высоких требований не предъявляется.

При воспроизведении оригинала через одну из линз каждой ячейки растра фотографи2р руется первая четверть оригинала, после чего бывшие в работе линзы с помощью сменной диафрагмы перекрываются, а следующие линзы каждой ячейки открываются, затем делается второе экспонирование и т. д. до по25 строения полного изображения. Таким образом, для получения фотошаблона с помощью данного объектива необходимо провести четыре съемки отдельных четвертей целого оригинала, которые стыкуются на фотослое и

Зр образуют полный рисунок.

247412

Предмет изобретения

Составитель В. П, Мирошкина

Редактор Т, 3. Орловская Техред Т, П, Курилко Корректор С. М. Сигал

Заказ 3187/4 Тнрахк 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобре)енпй и открытий при Совете Министров СССР

Москва Я(-35, Раушская наб., д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2

Широкопольный растровый объектив, содержащий линзовый растр и сменную диафрагму, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров рисунка схемы на фотошаблоне с обеспечением стыковки частей целого изображения, полученного по частям оптическим путем, линзовый растр состоит из ячеек, каждая из которых включает в себя несколько элементарных линз, расположенных одна от другой в ячейке на расстоянии, равном рабочему полю, рисуемому элементарной линзой.

Широкопольный растровый объектив Широкопольный растровый объектив 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх