Способ изготовления элементов памяти

205884

ОЛ ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистических

Республик

+«ar. я,, Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 03.Х.1966 (№ 1105016/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.1Х.1968. Бюллетень № 28

Кл. 21ат, 37/00

МПК Н 03k

УДК 681.142.07 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

Дата опубликования описания 22.XI.1968

Авторы изобретения

Я. М. Беккер и И. В. Берг

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ

Известен способ изготовления элементов памяти на ферритовой пластине путем выжигания отверстий в пластине, например, лазерным лучом, с нанесением проводящего слоя.

Описываемый способ отличается тем, что выжигание отверстий ведут в восстановительной газовой среде, что позволяет упростить способ и увеличить плотность элементов памяти в пластине.

На чертеже изображена многоотверстная ферритовая пластина с элементами памяти, полученными описываемым способом.

Ферритовая пластина 1 помещается в восстановительную газовую среду (водород, окись углерода), и затем узким лучом лазера (в зависимости от желаемого диаметра отверстия) в пластине выжигают сквозное отверстие 2.

При этом в зоне действия луча лазера температура феррита превосходит его температуру плавления, вследствие чего происходит распад твердого раствора феррита, например, Mg,.

Мп, ЕевОк распадается на окислы: Mg0, МпО, РевОз, Мп О>, Fe0g и частично Восстанавливается до металлов: Mg, Мп, Fe.

Таким образом, соосно с отверстием образуется частично восстановленный металлический слой 8 в виде полого цилиндра, имеющий достаточно высокую электропроводность, т. е. путем одной технологической операции создаются одновременно отверстие и электропрово5 дящий слой (провод). При этом образование проводящего слоя непосредственно в пластине обеспечивает высокую механическую проч.ность слоя 8, В зависимости от энергии излучения лазера

IO и длительности импульса можно изменять толщину проводящего слоя 8.

Пропусканием переменного электрического тока через проводящий слой 8 осуществляют перемагничивание феррита в области, окру15 жающей проводящий слой.

Предмет изобретения

Способ изготовления элементов памяти на

20 ферритовой пластине путем выжигания отверстий в пластине, например, лазерным лучом, с нанесением проводящего слоя, отличиюи ийся тем, что„с целью упрощения способа и увеличения плотности элементов памяти в

25 пластине, выжигание отверстий ведут в восстановительной газовой среде.

205884

z з

Составитель А, А. Соколов

Редактор А. М. Сомова Техред P. М. Новикова Корректор Н, С. Босняцкая

Заказ 3324/5 Тираж 550 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2