Магнитный элемент памяти

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистииеских

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 42m, 14!!!

Заявлено 29.111.1963 (№ 828422/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17.111.1965. Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 11 VI.1965

МПК С 06с1

Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССР

УДК 681.142.652.2 (088.8) Автор изобретения

В. И. Перекатов

Заявитель

МАГНИТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Подпггсггаи гругггга № 174

Известны магнитные элементы памяти с форсировкой режима записи. Каждый такой элемент выполнен в виде пластины из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, имеющей трп отверстия, расположенных на одной осевой линии, Ширина перемычек, образованных в пластине этими отверстиями, равна $ вдоль осевой линии и 2S вдоль прямых, проходящих через центры отверстий и перпендикулярных осевой линии. Через первое отверстие пропущен провод запрета, через второе — провод записи, через третье— выходной провод.

Известен также магнитный элемент памяти с тремя отверстиями, позволяющий осуществлять быстрое считывание информации без ее разрушения.

Предлагаемый магнитный элемент памяти отличается от известных тем, что он имеет, кроме трех отверстий, четвертое и пятое отверстия, через которые пропущен провод считывания. Центры четвертого и пятого отверстий расположены на проходящей через центр третьего отверстия прямой, перпендикулярной прямой, соединяющей центры первого, второго и третьего отверстий (осевой линии). Ширина перемычек в пластине вдоль прямой, проходящей через центры третьего, четвертоS го и пятого отверстий, равна

Предлагаемый магнитный элемент памяти позволяет сочетать форсированную запись с быстрым считыванием информации без ее разрушения.

На фиг. 1 даны внешний вид элемента и расположение обмоток; на фиг. 2 — вре менная диаграмма следования импульсов в режиме записи; на фиг. 3, а, б, в, г — направление векторов индукции в перемычках магнит10 ного элемента памяти при воздействии управляющих токов.

Элемент представляет феррптовую пластину с пятью отверстиями 1 — 5, одинаковую по толш,ине.

Отверстия образуют в ферритовой пластине перемычки 6 — 15. Ширина перемычек 6 — 9 равна S, ширина перемычек 10 — 11 — 2S, а

20 перемычек 12 — 15—

Через отверстие 1 проходит провод 16 тока

1, запрета для за писи «0», через отверстие 2— провод 17 тока I> и I.. для записи информации, через отверстие 8 — выходной провод 18, 25 с которого снимается на пря>кение 1,„„., через отверстия 4 и 5 — провод 19 тока I, считывания.

В рехкиме записи «1» и «О» по,проводу 17 подают ток I! положительной полярности, а

30 затем ток 1. отрицательной полярности. При

169874 записи «О» одновременно с током I» по проводу 16 подают ток 1О.

Направление векторов индукции в перемычках магнитного элемента памяти после подачи тока 1 изображено на фпг. З,а. При записи «1» устанавливается состояние, изображенное на фиг. 3,о. Прп записи «О» направление вектора индукции в цсрсмычкс 6, устацовившсйся после действия тока lo пе изменяется, а изменяется только направление индукции в перемычках 7 и 8 (см. фиг. З,в).

В запоминающем устройстве возможен случай, когда на tivàãíèòíûé элемент памяти, в котором хранится «!», действует ток 1,, при этом перемагнпчиваются перемычки 6 и 8 (см. фпг. З,г).

Из фигур, соответствующих состоянию «1» (см. фиг. З,б) и «О» (см. фиг. З,в), следует, что направления векторов индукции перемычек 12 — 15 в этих случаях противоположны.

Подача тока lq по проводу 19 создает в этих перемычках поле, действие. которого приводит к обратимому изменению потока в перемычке

9, охватываемой выходной обмоткой 18 и, следовательно, к появлению в последней сигналов, отличающихся полярностью в случае считывания «1» и «О».

Предмет изобретения

Магнитный элемент памяти, выполненный в виде пластины из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, с тремя отверстиями, центры которых расположены на одной прямой так, гго перемычки, образованные в пластине этими отверстиями, имеют одинаковую ширину S вдоль упомянутой прямой и шири-!

О ну 2S вдоль проходящих через центры отверстий прямых, перпендикулярных прямой, соединяющей эти центры, причем через первое отверстие пропущен провод запрета, через второе отверстие — провод записи, а выход1 ной провод проходит через третье отверстие, отличаюи1ийся тем, что, с целью сочетания форсированной записи и быстрого считывания информации без ее разрушения, магнитный элемент памяти имеет четвертое и пятое

20 отверстия, через .которые пропущен провод считывания, а центры четвертого и пятого отверстий расположены на проходящей через центр третьего отверстия прямой, перпендикулярной прямой, соединяющей центры пср25 ното, второго If третьего отверстий, причем ширина перемычек в пластине вдоль прямоЙ, проходящей через центры третьего, четвсртоЬ

ro и пятого отверстий, равна — .

Запись,:

j ) I

Фиг 3

Составитель А. А. Соколов

1 едактор Н. А. Джарагетти Техред Т. П. Курилко Корректор Л .В. Тюнлева

Заказ 1130 15 Тираж 975 Формат бум. 60+90

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2