Н. в. в. е. хавкин, а, м. скворцов и л. м. норкинабкй«^»йя 11шг.'г -шйвн .., и»?«4:г.:л1| i vf t

Авторы патента:

С. И. Крейнин, Р. А. Лашевский, М. Н. Максимов,

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскиз

Содиалистическив

Республив

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 20Х.1965 (№ 1007887/26-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Кл. 21а1, 37/04

ЫПК 6 06f

УДК 681.142.07(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано ЗО.VII.1966. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 29.IX.1966

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Известны запоминающие устройства с числовой организацией на многоотверстных фер ритовых пластинах, имеющие кассеты с числовыми пластинами.

Предложенное устройство отличается от из-. вестных тем, что для повышения быстродействия, увеличения емкости и снижения потребляемой мощности в нем магнитный дешифратор содержит диодную матрицу из интегральных планарных структур с количеством р вЂ” ипереходов, равным количеству адресов в устронстве.

На чертеже изображено описываемое устройство.

Магнитный дешифратор содержит трансформаторы, выполненные на многоотверстной феррнтовой пластине 1, и диодную матрицу 2.

Каждый трансформатор использует два отверстия 3, расположенные рядом по ширине пластины, что эквивалентно трансформатору на тороидальном сердечнике.

Трансформатор имеет три обмотки: обмотку

4 смещения, обмотку 5 возбуждения (выборки) и выходную обмотку б (провод Z) . Обмотка смещения проходит последовательно через все отверстия дешифраторной пластины. Обмотки возбуждения и выходные обмотки выполнены отдельно для каждого трансформатора. Через крайние отверстия пластины проходит только обмотка смещения.

Диодная матрица собирается из диодных структур, Шаг между выводами р вЂ” п-перехо5 дов диодных структур равен шагу между отверстиями пластины по ее длине. Выходные обмотки трансформаторов соединяются с печатными обмотками 7 соответствующей пластины 8 памяти. Один конец обмотки возбуж10 дения трансформатора соединен с катодом соответствующего р вЂ” n-перехода, другой выведен на наружную сторону кассеты. Общий анод диоднои структуры и концы обмотки смещения также выведены на корпус кассеты, 15

Предмет изобретения

Запоминающее устройство с числовой организацией, состоящее из кассет с числовыми многоотверстными ферритовыми пластинами, 20 магнитного дешифратора с трансформаторами, выполненными на многоотверстных ферритовых пластинах, отличающееся тем, что, с целгяо повышения быстродействия, увеличения емкости и снижения потребляемой мощности, 25 в нем магнитный дешифратор содержит диодную матрицу из интегральных планарных структур с количеством p вЂ” 11-переходов, равным количеству адресов в устройстве.

Составитель А. А. Соколов

Редактор Н. С. Коган

Текрсд T. П. Курилко

Корректоры: Г. Е. Опарина и Т. В. Полякова

Заказ 2726/9 Тираж 950 Формат бум. 60;к,90 /ц Объем 0,1 изд. л, Подписное

ЦНИИП11 Комитста по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2