Патентно- ^.|>& ij -.-г v.!!^orrv*j; • **б:и; листекав. л. генкин

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

О П И С А Н И Е I85556

ИЗОБРЕТЕНИЯ

X ABTOPCXOM3f С ИДETEJlbCTSY

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 42m, 14

21а, 37/чО

Заявлено 28.Х.1964 (№ 927020/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 13Л 111.1966. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 5,Х.1966

МПК G 06f

G 01f

УДК 681.142.07(088.8) Номитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

В. Л, Генкин

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ДВУХОТВЕРСТНЫХ

ТРАНСФЛЮКСОРАХ

Известны запоминающие устройства на двухотверстных трансфлюксорах, через которые пропущены числовые, разрядные и выходные обмотки, а также обмотки перазрушаемого считывания.

Описываемое устройство отличается тем, что, с целью повышения надежности и устранения возможности разрушения информации в невыбранных адресах разрядными токами записи, числовые и разрядные обмотки охватывают среднюю перемычку трансфлюксора.

На чертеже изображено описываемое устройство.

Оно имеет двухотверстные трансфлюксоры

/, у которых площадь сечения перемычки 2 больше или равна сумме площадей сечений перемычек 8 и 4. Запоминающие элементы слов (чисел) расположены горизонтальными рядами и пронизаны обмотками 5 неразрушаемого считывания, проходящими через малое отверстие, и числовыми обмотками 6, охгатывающими перемычку 8. Одинаковые разряды чисел располагаются вертикальными рядами. Через трансфлюксоры одного разряда всех чисел проходит разрядная обмотка 7, охватывающая перемычку 8, и выходная обмотка 8, пропущенная через малое отверстие.

В режиме опроса в обмотку 5 неразрушаемого считывания выбранного адреса подаются два разнополярных импульса тока: отрицательный вЂ” I pgpl и положительный вЂ” Ipgp2

В случае, если в каком-либо разряде выбранного числа хранится «1», то при подаче

5 тока /„рт.данный трансфлюксор перемагничивается, и с выходной обмотки 8 снимается сигнал. Если хранится «О», то перемагничивапия не происходит и сигнал а выходе DTc)" ствует. При подаче тока I,„р.. восстанавлива10 ется состояние «1».

Величина импульсов опроса ограничена только величиной тока, соответствующего коэрцитивной силе по внутренней части контура

4 вЂ” 2 вЂ” 4 трансфлюксора, т. е. переключение

15 материала по контуру 4 вЂ” 8 вЂ” 4 производится форсированно.

В режиме записи в соответствующую числовую обмотку подают неограниченный по амплитуде импульс тока. В следующий мо20 мент времени в обмотку 5 подаются импульсы опроса. В тех разрядах, где необходимо записать «О», одновременно с первым импульсом опроса (/,„рт) в соответствующую разряд" ную обмотку 7 посылают импульс разрядного

25 тока /р, В те разряды, где нужно записать

«1», ток Тр не подают.

Воздействие токов Тр не может привести к разрушению информации в трансфлюксорах невыбранных адресов, так как направление

30 магнитного поля, создаваемого этим током, 185556

Составитель А. А, Соколов

Текред Г. Е. Петровская Корректоры: В. В. Крылова и О. Б. Тюрина редактор H. джарагетти

Заказ 3004/7 Тираж 1750 Формат бум. 60Х90 /з Объем 0,13 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 совпадает с направлением остаточной намагниченности перемычки 3 трансфлюксоров.

Предмет изобретения

Запоминающее устройство на двухотверстных трансфлюксорах, через которые пропущены числовые, разрядные и выходные обмотки, а также обмотки неразрушаемого считывания, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и устранения возможности разрушения информации в невыбранных адресах

5 разрядными токами записи, числовые и разрядные обмотки охватывают среднюю перемычку трансфлюксора.