Устройство полупроводникового передатчика тепла

Устройство полупроводникового передатчика тепла включает в себя хорошо проводимую металлическую подложку, окисленный изоляционный слой, который нанесен на указанную хорошо проводимую металлическую подложку, металлический проводимый слой, который нанесен на указанный окисленный изоляционный слой на отдельных местах, электронное устройство, установленное на указанной хорошо проводимой металлической подложке, и множество проводимых проводков, соединяющих указанное электронное устройство и указанный металлический проводимый слой.

1. Область полезной модели.

Настоящая полезная модель касается полупроводникового устройства, в частности устройства полупроводникового передатчика тепла.

2. Описание известного уровня техники.

Получение полупроводникового материала, передающего тепло, известно: распылением покрытия или нанесением изоляционного материала покрытия на поверхность хорошо промытой металлической подложки и затем просушиванием изоляционного материала покрытия до сухого состояния, чтобы получить изоляционный слой на металлической подложке, и затем наложением проводиимого слоя на изоляционном слое. Изоляционный материал покрытия получается путем смешивания порошка горной породы со смолой и растворителем. Этот метод имеет несколько недостатков, перечисленных ниже:

(1) Изоляционный слой не соединяется плотно с металлической подложкой так, чтобы образовать нулевой зазор и таким образом зазор между изоляционным слоем и металлической подложкой создает барьер на пути передачи тепловой энергии.

(2) Для того, чтобы получить гибкую структуру изоляционного слоя изоляционный слой должен иметь определенную толщину, однако толстый изоляционный слой создает барьер на пути передачи тепловой энергии.

(3) В связи с тем, что проводимость тепла неметаллического материала является слабой, то тепловая энергия, производимая электронным устройством, установленным в проводимом слое, не может быть быстро передана к металлической подложке для ее быстрого рассеивания.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНЙ МОДЕЛИ

Настоящая полезная модель выполнена при следующих условиях. Структура полупроводникового передатчика тепла согласно настоящей полезной модели включает в себя хорошо проводимую металлическую подложку, окисленный изоляционный слой, который нанесен на указанную хорошо проводимую металлическую подложку, металлический проводимый слой, который нанесен на указанный окисленный изоляционный слой на отдельных местах, электронное устройство, установленное на указанной хорошо проводимой металлической подложке, и множество проводимых проводков, соединяющих указанное электронное устройство и указанный металлический проводимый слой. Полезная модель имеет следующие преимущества.

(1) Нулевой зазор между металлической подложкой и окисленным изоляционным слоем, что улучшает эффективность передачи тепла.

(2) Теплота, производимая электронным устройством во время его работы, может быть равномерно передана к металлической подложке для ее быстрого рассеивания.

(3) Окисленный изоляционный слой является тонким и способен передавать тепловую энергию.

(4) Окисленный изоляционный слой обладает характеристиками сопротивления теплу и электрическому напряжению.

(5) Полупроводниковое устройство может быть легко приспособлено для установки на нем контура электронного устройства.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ.

Фиг.1 изображает продольный разрез устройства полупроводникового передатчика тепла для фиксирования светодиода типа LED в соответствии с

настоящей полезной моделью.

Фиг.2 изображает в перспективе устройство полупроводникового передатчика тепла, показанное на Фиг.1.

Фиг.3 изображает технологическую схему настоящей полезной модели.

Фиг.4 изображает продольный разрез альтернативной формы выполнения устройства полупроводникового передатчика тепла согласно настоящей полезной модели.

Фиг.5 изображает в разобранном виде другую альтернативную форму выполнения устройства полупроводникового передатчика тепла согласно настоящей полезной модели.

Фиг.6 изображает в разобранном виде другую альтернативную форму выполнения устройства полупроводникового передатчика тепла согласно настоящей полезной модели.

Фиг.7 изображает в разобранном виде другую альтернативную форму выполнения устройства полупроводникового передатчика тепла согласно настоящей полезной модели.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНОГО ВАРИАНТА ВЫПОЛНЕНИЯ.

Со ссылкой на Фиг.1 и 2 показано, что хорошо проводимая металлическая подложка А обрабатывается способом электролитического окисления, чтобы получить окисленный изоляционный слой В, которым покрывается поверхность подложки. Окисленный изоляционный слой В имеет высокие характеристики сопротивляемости теплу и электрическому току. Затем наносится проводимый металлический слой С на окисленный изоляционный слой В на отдельных выбранных местах по технологии гальванического покрытия или

полупроводниковой фотолитографии. Проводимые проводки 111 соединяют металлический проводимый слой С с электронным устройством (устройствами) А1, расположенном на хорошо проводимой металлической подложке А. Производимое во время работы электронного устройства (устройств) А1 тепло быстро передается к хорошо проводимой металлической подложке А для быстрого рассеивания.

Со ссылкой на Фиг.3 и 4 указанный выше процесс электролитического окисления применяется для хорошо проводимой металлической подложки А после того, как хорошо проводимая металлическая подложка А была хорошо очищена струей воды. Полезная модель включает приемы: (1) обезжиривания, (2) первичной химической шлифовки поверхности, (3) первичного промывания, (4) процесса нейтрализации, (5) электролитического окисления, (6) вторичного промывания, (7) уплотнения, (8) окунания в горячую воду, (9) упрочнения поверхности, (10) вторичной химической шлифовки поверхности, (11) третьего промывания и (12) просушивания. Если применяется технология гальванического покрытия, чтобы образовать металлический проводимый слой С на окисленном изоляционном слое В хорошо проводимой металлической подложки А, то метод согласно заявленной полезной модели далее включает приемы: (13) окунания в проводимую жидкость, (14) гальванического покрытия. (15) окончательного промывания и (16) окончательного просушивания.

Указанный выше проводимый металлический слой С может быть непосредственно нанесен на окисленном изоляционном слое В на хорошо проводимой металлической подложке А на отдельных выбранных местах.

Со ссылкой на Фиг.5 металлический проводимый слой С может состоять из нескольких проводимых металлических пластинок, непосредственно соединенных

с окисленным изоляционным слоем В на хорошо проводимой металлической подложке А на отдельных выбранных местах.

Со ссылкой на Фиг.6 указанный проводимый металлический слой С может включать несколько металлических фиксирующихся пластинок С3, соответственно зафиксированных на окисленном изоляционном слое В на хорошо проводимой металлической подложке А на отдельных выбранных местах. Металлические фиксирующиеся пластинки С3 имеют каждая защемляющий участок С4, который фиксирует их в соответствующем защемляющем отверстии А2 на окисленном изоляционном слое В, расположенном на хорошо проводимой металлической подложке А.

На Фиг.7 показано применение настоящей полезной модели на примере интегральной схемы. Как показано на чертеже хорошо проводимая металлическая подложка А имеет окисленный изоляционный слой В, нанесенный на подложку, и проводимый слой, который включает множество проводимых элементов С1, соответственно нанесенных на окисленный изоляционный слой В на отдельных выбранных местах, и соответственно соединенных электрически с соответственными штырями С2, расположенными на корпусе хорошо проводимой металлической подложки А, и электронное устройство D монтируется в выемке A3, врезаясь в окисленный изоляционный слой В. Электронное устройство D имеет контакты D1, соединенные соответственно электрически с соответствующими штырями С2, расположенными на хорошо проводимой металлической подложке А через проводимые элементы С1. Во время работы электронного устройства D производимое им тепло передается от электронного устройства D через проводимые элементы С1 и штыри С2 к хорошо проводимой подложке А для последующего быстрого рассеивания.

Хотя частные варианты выполнения заявленной полезной модели были описаны

детально в качестве иллюстрации другие различные варианты и примеры конструктивного выполнения заявленной полезной модели являются частью заявленного объема правовой охраны. Соответственно, заявленная полезная модель не ограничивается только прилагаемой формулой полезной модели. нанесен

1. Устройство полупроводникового передатчика тепла, включающее в себя хорошо проводимую металлическую подложку, окисленный изоляционный слой, который нанесен на указанную хорошо проводимую металлическую подложку, металлический проводимый слой, который нанесен на указанный окисленный изоляционный слой на отдельных местах, электронное устройство, установленное на указанной хорошо проводимой металлической подложке, и множество проводимых проводков, соединяющих указанное электронное устройство и указанный металлический проводимый слой.

2. Устройство полупроводникового передатчика тепла по п.1, в котором указанный металлический проводимый слой создается на указанном окисленном изоляционном слое на отдельных местах методом гальванического покрытия.

3. Устройство полупроводникового передатчика тепла по п.1, в котором указанный металлический проводимый слой включает в себя множество проводимых элементов.

4. Устройство полупроводникового передатчика тепла по п.1, в котором указанный металлический проводимый слой включает в себя несколько проводимых металлических пластинок, соответственно соединенных с окисленным изоляционным слоем на отдельных местах.

5. Устройство полупроводникового передатчика тепла по п.1, в котором указанный металлический проводимый слой включает в себя множество металлических фиксирующих пластинок, защемляющихся на указанном окисленном изоляционном слое на указанной хорошо проводимой металлической подложке на отдельных местах, указанные металлические фиксирующие пластинки, имеющие каждая защемляющий участок, фиксируются в соответствующем защемляющем отверстии на указанном окисленном изоляционном слое, расположенном на хорошо проводимой металлической подложке.

6. Устройство полупроводникового передатчика тепла по п.1, в котором указанный металлический проводимый слой печатается непосредственно на окисленном изоляционном слое, расположенном на указанной хорошо проводимой металлической подложке на отдельных местах.

7. Устройство полупроводникового передатчика тепла по п.1, в котором указанный окисленный изоляционный слой наносится на всю поверхность указанной хорошо проводимой металлической подложки.