Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для выращивания стержней поликристаллического кремния, а именно для выращивания поликристаллического кремния, преимущественно путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки стержни-основы (затравки).
Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для выращивания стержней поликристаллического кремния, а именно для выращивания стержней поликристаллического кремния, преимущественно путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы).
Изобретение относится к технологии неорганических соединений, а именно к устройствам очистки отходящих газов, и в частности, газов, содержащих силан SiH4.