Запоминающий блок

Авторы патента:

В. А. Тер ев, Г. Н. Переплётчиков, В. Н. Киреев , В. Г. Страхов

О П И С А Н И Е >42738!

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 24.01.72 (21) 1744276/18-24 (51) М. К . 6 1 lc 11/14 с присоединением заявки №вЂ”

Государственный комитет

Совета Министров СССР ео делам изобретений и открытии (32) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 05.05.74. Бюллетень № 17 (53) УДК 681.327.66 (088.8) Дата опубликования описания 26.1!.74 (72) Авторы изобретения

В, А. Теряев, Г. Н. Переплетчиков, В. Н, Киреев и В. Г. Страхов (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ БЛОК

Запоминающий олок предназначен для запоминания и хранения информации и может быть использован в вычислительной, импульсной и другой технике.,Известен запоминающий блок, содержащий матрицы магнитных пленок с адресными проводниками и разрядным шлейфом, установленными на матрице. iB этом блоке величина разрядной помехи регулируется за счет петли съемной обмотки путем, изменения ее площади. При такой конструкции блока помеха превышает сигнал более чем на порядок, что снижает быстродействие запоминающего блока. Кроме того, .процесс регулировки помехи сложен и длителен.

Целью изобретения является снижение величины разрядной помехи.

Эта цель достигается .за счет установки поверх разрядного шлейфа металлической пластинки, которую выполняют преимущественно из магнитного материала.

Благодаря такой конструкции запоминающего блока величина разрядной помехи снижена до уровня сигнала, значительно упрощен процесс регулировки и сокращена его длительность. В результате повышено быстродействие запоминающего блока.

Изобретение, поясняется чертежом.

Запоминающий блок состоит из магнитных матриц с адресными проводниками 1 и разрядным,шлейфом 2, содержащим проводники записи 8 и провод ники съема 4. Разрядный шлейф выполнен на двустороннем фольгированном диэлектрике, например, стеклотекстолите. Проводники съема 4 имеют перекрестия. ,В месте перекрестий разрядный шлейф 2 разделен на симметричные петли и изогнут.

Между петлями разрядного шлейфа размещен замыкатель магнитного потока 5.,Поверх разрядного шлейфа 2 между перекрестиями проводников съема 4 и магнитной матрицей помещена металлическая пластинка б, например, из алюминиевой фольги, площадь которой пропорциональна величине разрядной помехи. ,Величина разрядной помехи регулируется следующим образом. Определяется разброс величины разрядной помехи от разряда к разряду. |В зависимости от величины разброса выбирают форму металлической пластинки, а также место ее расположения относительно петли разрядного, шлейфа, добиваясь уменьшения разрядной помехи,и величины ее разброса от разряда к разряду.

Если величина разрядной помехи много больше величины считанного сигнала, пластинку из алюминиевой фольги заменяют

ЗО пластинкой из магнитного материала.

427381

Предмет изобретения

Составитель Г. Переплетчиков

Тсхред Е. Борисова Корректор В. Гутман

Редактор T. Орловская

Заказ 1661/515 Изд. ¹ 818 Тира;к 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

1. Запоминающий блок, содержащий матрицы магнитных пленок с адресными проводниками и разрядным шлейфом, установленными на матрице, отличающийся тем, что, с целью снижения разрядной помехи, поверх разрядного шлейфа помещена металлическая пластинка.

2. Запоминающий блок по п. 1, отличающийся тем, что, с целью снижения разрядной помехи, металлическая пластинка выполнена из магнитного материала.

Патент 416758 // 416758

Патент 415896 // 415896

Патент 411692 // 411692

Патент 411520 // 411520

Патент 410467 // 410467

Патент 410458 // 410458

Патент 410457 // 410457

Патент 410456 // 410456

Запоминающее устройство на тонких л1агкитных // 404131

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)