Патент ссср 410457

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

4I0457

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 3 I.V111.1972 (№ 1820681/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05Л.1974. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 14Х.1974

М. Кл. 6 11с 11/14

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР оо делом изооротоний и открытий

УДК 681.327.3(088.8) Автор изобретения

В. В. Звягинцев

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР

Заявитель

НАКОПИТЕЛЬ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА НА

ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам вычислительных машин. Устройство может быть использовано при построении быстродействующих запоминающих устройств.

Известны накопители запоминающего устройства, в которых использованы тонкие слои ферромагнитных материалов. Эти накопители имеют следующий недостаток. Межэлементные участки подложки, расположенные между разрядными полосковыми линиями выборки, будучи электропроводящими, шунтируют нагрузку запоминающего элемента, которой является разрядная шина выборки. В результате уменьшается амплитуда полезного сигнала.

Цель изобретения вЂ” увеличение амплитуды считанных сигналов, Поставленная цель достигается тем, что в электропроводящей подложке между разрядными полосковыми линиями выборки выполнены изолированные участки в виде сплошных полос, параллельных разрядным полосковым линиям выборки, На чертеже показан предложенный накопитель, в состав которого входят: 1 вЂ” электропроводящая подложка, 2, 3 вЂ” металлические (диэлектрические) подслои, используемые для сглаживания неровностей поверхности подложки, 4, 5 вЂ” магнитные пятна, 6 вЂ” разрядные полосковые линии выборки, 7 вЂ” адресные полосковые линии выборки, размещенные на диэлектрических подслоях 8 и 9, 10 вЂ” изолирующие участки, выполненные в виде сплошных полос, 11 вЂ” адресный дешифратор, 12вЂ” несущее диэлектрическое основание.

Накопитель работает следующим образом.

При записи двоичной информации под воздействием тока, пропускаемого по выбранной адресной линии 7 от адресного дешифратора

lo 11, намагниченность магнитных пятен 4, 5 всех элементов выбранной адресной линии устанавливаются в направлении оси трудного намагничивания. Перед отключением адресного тока по разрядным линиям пропускают

15 разрядный ток записи, полярностью которого определяется записываемая («О» или «1») информация.

В момент отключения адресного тока намагниченность магнитных пятен 4, располо20 женных внутри разрядных линий на одной поверхности электропроводящих участков подложки 1 под воздействием разрядного поля (в зависимости от записи в элемент «О» или

«1») будет вращаться соответственно по часо25 вой, либо против часовой стрелки. При этом намагниченность магнитных пятен 5, расположенных впе разрядной линии на противоположной поверхности электропроводящих участков подложки 1, под воздействием полей зо рассеяния магнитных пятен 4 вращается в

Предмет изобретения

Составитель В. Гордоиова

Текред Е. Борисова

Корректор 3. Тарасова

Редактор Т. Орловская

Заказ 1049 10 Изд. № 355 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 противоположном направлении, т. е. против часовой стрелки при записи «0» и по часовой стрелке при записи «1». После отключения разрядного тока намагниченности магнитных пятен 4, 5, расположенных на противополож- 5 ных поверхностях подложки, оказываются сориентированными в противоположных направлениях вдоль оси легкого намагничивания, чем обеспечивается замыкание полей рассеяния элементов при хранении информации. 10

Считывание информации происходит на переднем фронте адресного тока при вращении намагниченностей магнитных пятен элементов из остаточного состояния вдоль оси легкого намагничивания в направлении оси трудного 15 намагничивания. Такое вращение сопровождается изменением потока, проходящего через плоскость разрядной линии, от нуля до максимального положительного и отрицательного значения и выделением на разрядной линии 20 полезного сигнала. Сигналы считанных «1» и

«0» различаются полярностью. При считывании информации изолирующие участки 10 подложки предотвращают шунтирование разрядной линии, это приводит к увеличению амплитуды полезного сигнала.

Накопитель запоминающего устройства на тонких магнитных пленках, содержащий несущее диэлектрическое основание с выполненными на нем адресными полосковыми линиями выборки, на котором последовательно расположены диэлектрическая подложка с нанесенными на ней разрядными полосковыми линиями выборки и электропроводящая подложка, на противоположных поверхностях которой нанесены магнитные пятна, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения амплитуды считанных сигналов, в электропроводящей подложке между разрядными полосковыми линиями выборки выполнены изолированные участки в виде сплошных полос, параллельных разрядным полосовым линиям выборки.

Похожие патенты:

Патент 410456 // 410456

Запоминающее устройство на тонких л1агкитных // 404131

Способ записи и считывания информации в тонкоплеиочпом магнитном накопителе // 404130

Патент 402942 // 402942

Способ изготовления запол1инающей матрицы // 397968

Станок для плетения обмоток матриц накопителя на цилиндрических магнитных пленках // 395911

Элемент памяти // 394849

Устройство для контроля стержней, покрытых ферромагнитной пленкой // 385320

Запоминающая матрица // 382145

Устройство для измерения емкостной помехи в тонкопленочном накопителе // 378964

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)