Патент ссср 410456

Авторы патента:


 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Сщиалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 21.Ч11.1972 (№ 1814887/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 14.V.1974

М. Кл. G llс 11/14

Гасударственный квинтет

Саеета Министрав СССР аа делам изааретений и аткрытий

УДК 628,327.3(088.8) Автор изобретения

А. Д. Бех

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР

Заявитель

НАКОПИТЕЛЬ МАТРИЧНОГО ТИПА НА ТОНКИХ МАГНИТНЫХ

ПЛ ЕН КАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть применено при построении запоминающих устройств на тонких магнитных пленках.

Известны накопители на тонких магнитных пленках. Для удешевления тонкопленочных матриц запоминающие элементы часто располагают на диэлектрических, например стеклянных, подложках, когорые закрепляют на проводящем основании.

Известные накопители имеют следующие недостатки. Дополнительные короткозамкнутые проводники, проложенные между числовыми шинами, способствуют лишь ослаблению поля рассеивания числовых шин. Вследствие конечного сопротивления экранирующих проводников воздействие числовых шин а соседние запоминающие элементы полностью не устраняется.

Целью изобретения является повышение надежности устройства. Поставленная цель достигается тем, что конец числовой и дополнительных шин каждого разряда через соответствующий резистор подключен к токопроводящему основанию.

Предлагаемый накопитель на тонких магнитных пленках изображен на чертеже. Он состоит из запоминающего элемента 1, диэлектрической подложки 2, числовых шин 3, разрядных шин 4, токопроводящего основания

5, резисторов б и дополнительных шин 7.

Считывание информации с накопителя осуществляется подачей импульса тока считываs ния в одну из числовых шин 3. Ток числовой шины 3 создает магнитное поле в зазоре между шиной и диэлектрической подложкой 2, совпадающее по направлению с осью трудного намагничивания запоминающих элементов

l0 1 и постепенно убывающее за пределами числовой шины 3. Благодаря резистору б на конце числовой шины часть числового тока ответвляется в дополнительные шины 7 и создает поле, равное по величине и противопо15 ложное по направлению полю числовой шины

3, под шинами 7. В результате вычитания полей отсутствует воздействие выбранной числовой шины 3 на запоминающие элементы соседних числовых шин.

20 Магнитное поле разрядных импульсов тока в шинах 4 воздействует на неизбранные запоминающие элементы вдоль оси легкого направления. Так как с помощью резистора б и дополнительных шин 7 устраняется поле в

25 направлении оси трудного намагничивания, то информация в неизбранных запоминающих элементах не разрушается при изменении разрядного тока в широком диапазоне. Локализация поля выбранных числовых проводников

30 позволяет, таким образом, значительно увели410456

Составитель В. Гордонова

Текред E. Борисова Корректор 3, Тарасова

Редактор Т. Орловская

Заказ 1049/9 Изд. № 355 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 чить надежность работы магнитопленочных матриц в накопителе. В течение одного технологического цикла могут быть изготовлены числовые и дополнительные шины и резисторы б путем травления фольгированного материала.

Предмет изобретения

Накопитель матричного типа на тонких магнитных пленках, содержащий токопроводящее 10 основание с расположенными на нем числовыми и разрядными шинами и размещенными по обе стороны числовых шин дополнительными шинами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, конец числовой и дополнительных шин каждого разряда через соответствующий резистор подключен к токопроводящему основанию.

Патент ссср 410456 Патент ссср 410456 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх