Патент ссср 411520
4И520
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства М0
Заявлено 04.VIII.1972 (№ 1823396/18-24) с присоединением заявки Ме
Приоритет
Опубликовано 15Л,1974. Бюллетень гГе 2
Дата опубликования описания 20.V.1974
М. Кл. G lie 11/14
Государственный комитет
Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий
УДК 681,3,07 (088.8) Автор изобретения
Т. К. Цогоев
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОПЛЕНОЧНЪ|Х
НАКО П И ТЕЛ Е Й
Изобретение относится к области изготовления запоминающих устройств н может быть использовано при создании устройств памяти для цифровых вычислительных машин.
Известны способы изготовления магнитопленочных накопителей, по которым отдельно изготавливают магнитопленочную и ферритовую пластины, а затем обе пластины механически скрепляют. Недостатком известного способа изготовления является трудность обеспечения плотного прилеганпя с постоянным прижимом магнитопленочной н ферритовой пластин по всей Нх поверхности, вследствие чего снижают стабильность н однородность электромагнитных характеристик запоминающих элементов устройства.
Целью изобретения является повышение стабильности электромагнитных характеристик и технологичности изготовления.
Поставленная цель достигается тем, что ферромагнитную пластину с пазами и расположеш|ыми в них адресными проводниками заливают со стороны пазов диэлектриком, например стеклом, н с этой стороны шлифуют до вскрытия поверхности фсррнтовой пластины, оставляя диэлектрик только в пазах, затем осаждением наносят магнитопленочную пластину.
Последовательность операций предлагаемого способа изготовления магнптопленочных накопителей поясняется чертежом.
Изготовленную известным способом ферритовую пластину 1 заливают расплавленным диэлектриком 2, например стсклом, так, чтобы при этом заполнялнсь пазы 3 с уложенными в них адресными проводниками 4. После затвердевания диэлектрик удаляют с поверхности феррнтовой пластины, например, 1о посредством шлифовки до вскрытия поверхностии пл асти н ы.
При этом пазы 3 оказываются заполненными диэлектриком 2 вровень с поверхностью пластины 1.
После этого выполняют завершающую операцию предлагаемого способа изготовленпя— на поверхность пластины со стороны пазов осаждают известным способом магнитопленочную пластину 5 в виде параллельных по20 лос, перпендикулярных пазам 3.
Каждая из полос содержит два слоя ферромагнитной пленки, между которыми расположен зарядный проводник. Эти слои магнитной пленки обеспечивают замыкание магии;255 топровода вокруг разрядного проводника.
Предмет изобретения
Способ изготовления магнитопленочных накопителей, заключающийся в том, что на стск30 лянную подложку осаждают первый слой магСоставитель В. Гордонова
Техред 3. Тараненко редактор Б. Нанкина
Корректор Л. Орлова
Заказ 1117/18 Изд. № 1!69 Тираж 591 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и бткрытий
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунсва, 2 нитной пленки в виде параллельных полос, на первый слой магнитной пленки осаждают разрядные проводники из меди, затем — второй слой магнитной пленки поверх разрядных проводников, изготавливают ферритовую пластину с параллельными пазами па поверхности, укладывают в пазы ферритовой пластины адресные проводники и механически скрепляют ферритовую и магнитопленочпую пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электромйнитных характеристик и технологичности изготовления, ферромагнитную пластину с пазами и расположенными в них адресными проводниками заливают со стороны пазов диэлектриком, например стеклом, и с этой стороны шлифуют до вскрытия поверхности ферритовой пластины, оставляя диэлектрик только в пазах, затем осаждением наносят магнито10 пленочную пластину.
