Патент ссср 415896

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

4I5 896

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимый от патента М

Заявле.н> 09.!V.!969 (№ 1318066/18-24) М. Кл. (i I lc 11/14

Приоритет 16.IV.1968, P 21а /131518, ГДР

Государственный комитет

Свввта Министрвв СССР вв долам изабрвтвний и вткрытий

Опубликовано 15.11.1974. Бюллетень ¹ 6

УД К 681.327.66. (088.8) Дата опубликования описания 2!.VE.1974

Автор изобретения

Иностранец

Гюнтер Зальцманн (Германская Демократическая Республика) Иностранное предприятие

«ФЕБ Комбинат Роботрон» (Германская Демократическая Республика) Заявитель

НАКОПИТЕЛЬ ЗАПОМИ НА1О1ЦЕГО УСТРОИСТВА

Предлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники и касается магнитного тонколистового накопителя, с которого может свободно считываться накопленная информация и который состоит из накопительных элементов с одним или несколькими расположенными друг над другом магнитными тонколистовыми элементами, находящимися под воздействием .наружного магнитного импульсного поля.

Известны устройства, в которых применяются комбицированно представленные отдельные явления магнитно-статического оцепления между слоями, имеющими различные магнитные свойства, замедление токов возмущения как следствие «застывшего потока» и экранирующее действие металлических проводников, чтобы достигнуть считывания информации без каких-либо помех.

Для этих устройств повторное получение исходного магнитного состояния информации, считываемой с помощью магнитного импульса включения поля элемента слоя, осуществляется с помощью магнитного поля управления, действующего на элемент слоя, которое получается с помощью второго элемента слоя, слоя накопления или с помощью токов возмущения, образованных, как следствие, магнитным потоком рассеивания.

Известные электрические схемы включения накопителей и способы их работы с магнитными тонколистовыми элементами и со свободным считыванием накопленной информации имеют в случае их различного технического применения некоторые недостатки.

Недостатки известных устройств состоят в том, что оба тонколистовых элемента, необходимых для накопительной ячейки, должны иметь раз10 личные магнитные свойства; для записывания и считывания накопленной информации оказываются необходимыми различные импульсы включения полей (согласно а м плитуда м или продолжительности их действия) илн должны

15 быть поданы импульсы включения полей очень короткой продолжительности действия и времени их нарастания.

Целью настоящего изобретения является создание магнитного топколистового накопи20 теля, позволяющего беспрепятственно считывать накопленный материал, накопительные элементы которого имеют относительно простую технологию их изготовления, благодаря чему уменьшаются технические затраты для

25 подготовки импульсов включения полей, а потребности для одного накошггельного элемента в пространстве невелики.

Задача свободного считывания информации осуществляется благодаря выгодному распо415896 откспочеции импульса включеш(я полей Н,, т. е. Иа его обратном профиле, 0(!pe;(eлснцуто величину Н!. Записывающая составл»тощая магнитного силового поля в цапрльлсции цлимецьшего сопротивления зависит от времени. так как производящий ее электрический ток

i, затухает примерно по показательной функции.

Благодаря соответствующему определеццю продол?кител!..ности времени децствця импульса включеци ; полей Н„толщине цакопитсльHOI 0 C,IGH 1, TB!L?((Q Т07LLIHIE H (т(товодимост.ц провод!иков 2, 3, которые определяют постояццую времсцц затухания электрического тока („ может достигаться то, что црсвыш»ñòñ» цсобходимая чинима.7!.Пля величина Н! ссстав7»EQLUHx магнитного си,-.ового поля.

Свободцос считывание информации происходит соответству(0(цц.r образыт, когда цлкоцительцый слой 1 п..(сет цс сиксто»цис намагничивания —, - .Ч, а противоположцое cocToilццс цамаГП(:. Hl3BIII;я — — ?(т.

1-1акопец, дол?кцо быть рBñc!Hîòpåïo записывание и(!!а(?рх(ации. Злпцсываште (шформлции может осуществля r»c» извсст цт;! . обрлЗОМ ПУТЕМ CCГПЛДСЦИ» IITOPИЧЦЫХ OPTAI О((l! 74цых магцт(гц:,ë и?(пульсць,х i олей. 1!.»Пульс включения Т.(?зей П,, поданный в цлц;лвлсцш! цаиболыц(тго сопротивления, поворачцвлс т вектор нл "Hãíè÷»âàíè» цз сос Го» цця покo» в нлгравлс ции наибольшего cÎ!!pol щзлсцц ..

Одцовремс(шо подас ся магццтцое силов«с поле -+ Н;i !3 цлп1?лвлсции цл!(мсцыпеГО coIIpo7 ИР 7cli! я П1)и Откл(0" - -! ц !(т cB вкл:очеци» (алей Н,,- вектор ц-i. :Bã!HE:I:EBB:l . цс(тсопцтсл. l!L> О с 70» 1 злцц i 7 1!0 . опреде,чс;!ш.е полем уцравле ця Н,, ц цлпрлi;— лстг?ш цаи.;c...!»: о сопро(7(влсц!. :. Тем слмым заш:сывастс! .: I40pмлцц».

В устр«,".стве (((! Пг. 1} произвол с» ттт!— пульс включения полей Н,- с гомощыо и (пульса электрического -;ока !,, в;(1?ово.(цике, образованно.vI проводццклм;(1, О. Дс!» создBпия поля управлепця + Н! служцт:!. :Hó7üc электрического тока +4 в проводи:iêå, обраB0I3BIIIIoм из провод(шков 2, 3 и б.

Трудности возцит<а(от в общем в результате того, что цл осцовлции э.:;; ццрующего действия (троподццков 2, 3, которое вызывлстс.т благодаря образyrOLL(mrc;r токам возмущения (три Велточсциц импульса уп(?л -лецця пОля. 111, и»пу.(ьс вкгцо (! ш-l (толей Н,,- ц поле управлсi!!I(! (- l i<(цс цстп((длктт UocTBT« EEEo 5blcTpo ц с г(остл то-,!! !i>! си (Оц IIB цл!,;ОП и! с, (ьць(!! Сл(?Й 1.

Этот цс («c, Toê мож T быть 3 ст1?лцс I с гомощью и тпул»са (ттстточецц» полей Н,. Пзвестцым обрл.;ом путем изгото!3.7сц((:» (H тицев в проводник х 2, 3 по их продо,ты(ой Оси. Образование записывающих токов !„* однако в результате этого це затрудняется.

Проникновение поля управлеция —, Н,(с помощью проводника 2 обеспечивается благодаря небо",üøîé толщине и",с !с дпикл и достаточной продолжительпости действия импул!.са поля управления.

20 г зо

{) i

Прц другом конструктивном выполнении предллrBO roão накопителя (фиг. 2) в проводнике 2 вьшолняются оттверстця, которые (предотвращBloò образование TO::Ов возмущения и тем самым обеспечивают то, что поле управления -На попадает без помех на накопительцьш слой 1. Тем самым записывающий электрический ток i, одновременно распределяется цл некоторое количество вспомогательны. токов !, . Вследствие этого записывающие 3(лгцтсс! Пые силовые поля, созданные электрическими токами IÄ, ца некоторых участках накопительного слоя 1 имеют различи оси( тЧагццтцо-статического сцепление между участками цлкогцтельцого слоя 1 достигается несмотря ца то, что в процессе свободного считывлцтгл цлкопленной информации в обlne3!»al:оппте, тьцом слое накопление информации записывается опять.

Проводник 3 может быть выполнен в аиде рлстя((:, той металлической пластины и применен ол! овременцо в качестве несущего материала -я осажденного известным способом пако:тцтслт,цого слоя 1, а проводник 2 — в качестве о: ратного проводника лля импульсов

Э,-(СКТРПЧРСКОГО ТОКа (, И +-(< .

Тж;?ке оказывается возможным для уменьшсцт(я магнитных по,чей управ.леция под проводя!Пей п,7лстпцс и 3, выполцсццой в виде

".Оцкой фо,-.ьгц. Плц цад проводником 6 произволить обрати«с "IBãíèòíîå злмыклцие из хор(31110 грово,(L(E!Ix. маГцитць(х мате1?иалов.

Друг«й HB ðè Bíò коцстгуктцвного выполцецця ((а!сопи(те,-.ьцого устройства схематически изобрл?кец цл фпг. 3. Путем введения второго аццзолропцого магнитного тоцколистового элеме(Г:а считывающего слоя 7 выполняется фуцкцця накопления и считывания в разделенных тоцколистовых элементах, цаправлецця наименьшего coIIpoTI*IIJIcíè» которых расцолагл отся параллелы(о относительно друг друга. В то время как цлкопитсльцый слой 1 согл Bñíî плстоящему изобретению служит для накопления бинарной информации и в процессе считывания производит записываю(цги -:::; !,, получается сигнал считывания преп.л щсствеццо благодаря поворачивацию вектора намагничивания считывающего слоя

7. Это имеет то преимущество, что может !no7ó÷àòüñ." большой считывающий сигнал, так клк поворачцвBHHå вектора цлмагцичивация

cHèòûâàlîùåãо слоя 8 после подачи импульса вк,-цочсция Н,,- в противоположность накопительному слою 1 це может предотвращаться заццcl.!HB:OùHм током (,.

Кроме того, тонколистовые элементы слоев

1, 7 образуют почти замкнутый магнитный поток так, что магнитные поля управления могут уменьшаться выгодцыт! образом.

Запцсыьацие информации ца накопительном слое 1 происходит аналогичным образом, клк это было описано в накопительном устройстве на фиг. 1. Дополнительно, однако, должен быть переведен вектор намагничен

115896

30 пого состояния И считывающего слоя 7 в положение, антипараллельное вектору намагничивания накопительного слоя 1.

Поле управления Н«, созданное с помощью импульса электрического тока «,«в ««аправлении меньшего сопротивления, имеет для накопительного слоя 1 и для считывающего слоя

7 различные величины. На накопительном слое 1 появляется суммарное воздействие составляющих силового поля, произведенного токами проводников 3, 6, в то время как па считывающем слое 8 появляется только их разница. Маг««и «но-статическое сцепление между накопительным слоем 1 и считывающим слоем 7 имеет то последствие, что несмотря на это векторы намагничивания после процесса записывания занимают антипараллельное положение.

Далее существует возможность создать достаточно сильное поле управления На также и для считывающего слоя 8, в то время как последний посылает импульс электрического тока 4, он имеет тот же самый поте«щиал, что и проводник 6.

Далее с помощью накопительного устройства согласно настоящему изобретению по фиг. 3 можно осущес«вить видоизмененный способ считывания накопленной информации.

В случае известных способов свободного считывания информации с помощью тонких магнитных слоев используется при включении импульса включения поля Н„как следствие поворачивания вектора намагничивания в тонколистовом элементе, индуцирова«шый импульс напряжения для опознавания информации. При отключении импульса включения полей Н, возвращается вектор намагничивания, отклоненный в направлении большого сопротивления, в положение, параллельное направлению меньшего сопротивления. При этом аналогично индуцируется импульс напряжения, который может служить для о «03навания информации, когда вектор намагничивания возвращается обратно в положение, заданное накопительным слоем 1. Это имеет место в случае способа согласно настоящему изобретению со свободным счит««ва««иеъ«накопленной информации.

Этот способ считывания информации имеет то преимущество, что состояние намагничивания с появлением импульса вкл«очс««««««полей

Н, может быть любым. Перемагничива«ие считывающего слоя 7 вследствие известного эффекта утечки или вследствие размагничи5 вания также не имеет значения: Вследствие этого оказывается возможным для получения большего импульса напряжения при считывании для считывающего слоя 8 применять большую толщину слоя, чем это допустимо в

10 случае накопительного слоя 1.

Работа накопительного устройства, согласно фиг. 3, осуществляется также тогда, когда при записывании в первый раз информации она записывается только в накопительный

15 слой 1 и не записывается одновременно в считывающий слой 7.

Для принципа действия предлагаемого накопителя не имеет значения, по какой технологии и из какого несущего материала изготов20 лены магнитные топколистовые элементы. Не имеет также принципиального значения, выполнены ли накопительный слой 1, считыва«ощий слой 7 и проводящие слои 2, 3 для производства записывающих токов !, в виде про25 ходящих слоев, в виде полосообразных слоев или в виде отдельных прерывистых элементов.

Предмет изобретения

1. Накопитель запоминающего устро««ст««а, содержащий анизотроппый магнитный слой, окруженный с двух сторон проводниками, отличающийся тем, что, с целью упро35 щения технологии изготовления накопителя, проводники электрически связаны с магнитным слоем.

2. Устройство по и. 1, отличающееся тем, что один из проводников выполнен по

40 способу мозаики.

3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что один из проводников разделен в виде полос в направлении наименьшего сопротивления накопительного слоя.

45 4. Устройство по п п. 1, 2 или 3, о т л и ч а ющ е е с я тем, что опо содержит,чополнительный аннзотропный магнитный слой, ось которого параллельна оси основного магнитного слоя и который расположен под проводником, 50 окружающим основной маг«««««««ь«, слой.

415896

Составитель Л, Иванеева

Техред 3. Тараненко

Корректор И, Аук на

Типография, пр Сапунова, 2

Заказ 1408/19 Изд. № 1286 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5