Оперативное запоминающее устройство с числовой выборкой

A KM () () 424232

Co1os Советских :оциалистических,1"еспу6лик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 24.04.72 (21) 1777327/18-24 (51) М. Кл. G llс 11/14 с присоединением заявки ¹

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР, во делам изайретений и открытий (32) Приоритет

Опубликовано 15.04.74. Бюллетень _#_- 14

Дата опубликования описания 25.09.74 (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. Е. Демидова, С. И. Карый и Б. С. Севериновский (71) Заявитель (54) ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

С ЧИСЛОВОЙ ВЫБОРКОЙ

Изобретение относится к области электронной вычислительной техники.

Известно оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) с числовой выборкой, которое содержит дешифратор чисел и накопитель с запоминающими элементами на тонких магнитных пленках с адресными и разрядными шинами.

Одна из основных трудностей при реализации ОЗУ с числовой выборкой с накопителем на магнитных пленках заключается в том, что информация в запоминающих элементах чисел, конструктивно гасположенных рядом с выбранным числом, разрушается под действием магнитных полей многократно повторенного режима записи выбранного числа. Это явление известно как сползание рабочей точки запоминающего элемента и приводит к уменьшению области устойчивого функционирования ОЗУ, т. е. снижает надежность работы устройства.

В известном ОЗУ для устранения указанного недостатка используют кипер-гибкую пластину из магнитного эластичного материала, увеличивают длину адресных шин и уменьшают плотность записи информации. Однако эти меры недостаточно эффективны.

Целью изобретения является повышение надежности работы устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в запоминающем устройстве начала четных адресных шин и концы нечетных адресных шин соединены с шиной нулевого потенциала, концы четных адресных шин и начала нечетных адресных шин через резисторы соединены с соответствующими выходами дешифратора, а выходы дешифратора соединены между собой через резисторы.

1О Схема предлагаемого устройства представлена на чертеже.

Она состоит из дешифратора чисел 1, накопителя на плоских магнитных пленках с высокой плотностью размещения запоминающих

15 элементов 2 с адресными шинами 3 — 7 и разрядными шинами 8, первой и второй групп резисторов 9 — 13 и 14 — 18.

В накопителе начала «и» четных адресных шин 4, 6 и концы «к» нечетных адресных шин

20 3, 5, 7 соединены с шиной нулевого потенциала, концы «к» четных адресных шин 4, 6 и начала «и» нечетных адресных шин 3, 5, 7 через резисторы 14, 18 "".îåäèíåíû с соответствующими выходами дешпфратора, а выходы дешиф25 ратога соединены между собой через резисторы 9 — 13. В каждой группе величины сопротивлений резисторов равны между собой и величина сопротивления резисторов группы 9—

13 примерно на порядок больше величины соЗО противлений резисторов группы 14 — 18.

424232

Устройство работает следующим OOI:BOO».

Если дешифратором производится, например, выборка числа, запоминающие элементы которого расположены под адресной шиной 5, то по этой шинс протекаст пм!!ульс тока считывания 1„-. Магнитное поло им11ульса тока 1;, создает в запоминающих элементах шссл, расположенных под шипами 4 и б. магп1ггпос поле помехи. Магнитное поле помехи совмсстHO с магнитным полем импульса разрядного тока

НрН многократно IIQBTopcHH011 pc!åII»! . за1!!1с!1 в запоминающие элем íòû,,расположенные:!0 адресной шине 5, приводит к разрушению информации в запоминающих элементах, расположенных !log адресны1 111 u»11!. I III 4 11 6. Ко». пенсация этого магнитного поля помехи, т. с. устранение разрушения инфомрацпи .1 запоминающих элементах, достигается тем, что по адресным шинам 4 и б через резисторы 11 и

12 потекают компенсирующие импульсы тока

1, и 16 противополохкпого направления Io отношению к току в адресной шипе 5, составляю1цие часть импульса тока выбран!ного выхода дешифратор а.

1 о м п с н с а ц и я м а г и и т и о г 0 II 0;I 51 l o I» с х . . I p I водит к расширению области устойчивого функционирования матриц с высокой плотностью записи информации при пониженных трсбованиях к их статическим параметрам.

По адресным шина н 3 и 7 также протска!от импульсы токов от выбранного выхода дсшифратора, но пх величина на два порядка меньше тока импульса считывания и 1!0этому онп практически нс оказывают влияния на работу запоминающего устройства.

Соотношение мегкду величинами сопротивлений резисторов 11, 12 и 16, т. е. между величинами сопротивлений резисторов груп:I

9 — 13 и 14 — 18, выбирается таким, чтобы магнитные ноля токов 1:. и 1„- были достаточными

lIo вели-п1не для компенсации в за;иминающих элементах, расположеHHhlx под адресными шинами 4 и 6, магнитного поля помехи от импульса тока Ir; Абсолютные величины сопротивлений резисторов групп 9 — 13 и 14 — 18 выбираются такими, чтобы форма компенсирующих импульсов тока и тока считывания была одинакова.

В предлагаемом ОЗУ змссто транзисторного дешпфратора и накопителя на плоских магнитных пленках может быть использован диодный дешифратор или дешифратор с трансформаторнь1ми выходами и накопитель на цилиндрических :àãíèòíûõ пленках.

Предмет изобретения

Оперативное зат оминающсе устройство с числовой выборкой, содержащее дешифратор чисел и накогитсль с запоминающими элементами на магнитных .I,!eíках с адрсснbIMи и разрядными шинами, отличающееся

1см, что, с цель,о повышения надежности работы устройства, в нем начала четных адресных шип и концы нечстных адресных шип соеЗО динены с шиной нулевого потенциала, концы четных адресных шин и начала нечетных адресных ш11п через резисторы соединены с соответствующими зыходами де1пифратора, а выходы дс пифратора соединш1ы между собой . 1З чср: з резисторы.