Патент ссср 402942

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

О П И С- А Н И Е 402942

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Заг;исимое от явт. свидетельства ¹

Заявлено 25.1Ъ .1972 (№ 1777410/18-24) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 19.X.1973. Бюллетень ¹ 42

Дата опубликования описания !!.1П.!974

М. Кл. б llc 11/14

Государственный кевитет

Севвта Министрав СССР па делам изобретений и аткрытий

УДК 681.327.66 (088.8) Автор изобретения

А. Л. Кушнир

Заявитель

Уральский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт им. С. М. Кирова

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на элементах с тремя устойчивыми состояниями.

Известны запоминающие элементы, содержащие плоскую немагнитную подложку с нанесенной на ней анизотропной тонкой магнитной пленкой, состоящей из двух слоев с разными коэрцитивными силами, и обладающие несколькими устойчивыми состояниями.

Однако в силу разомкнутого магнитопровода поток одного слоя замыкается через другие слои в направлении, противоположном направлению потоков в этих слоях, что вызывает частичное илн полное разрушение информации в этих слоях.

Целью изобретения является расширение области применения н повышение надежности работы запоминающего элемента на двуслойной тонкой магнитной пленке. Это достигается тем, что немагнитная подложка выполнена в виде цилиндра.

На фиг. 1 изображен предложенный элемент в разрезе; на фиг. 2 вЂ” петля гистерезиса предложенного элемента и временные диаграммы импульсов записи-считывания.

Предложенный элемент содержит немагнитную подложку 1, иа которую последовательно нанесены электролитическим способом высококоэрцитивный слой 2, слой изоляции 3 и низкокоэрцнтивньш слой 4. При этом высококоэрцнтивный 2 и низкокоэрцитнвный 4 слои имеют одинаковое направление нямагничиваНИЯ IIPII IIPII 10?1<< IIÈÈ ПОЛЯ ВНСШНЕГО ИСТОЧника.

Устойчивые состояния элемента обозначены на фиг. 2 точками А, h, В, которые соответствуют «ранимым кодом «О», «1», «2» соответственно. Токи 1, и I соответствуют пер10 вому и второму импульсам такта чтения. То1» 1, ll 1„- COOTB0TCTB I IOT И,11п 113C3lWI TOI<3

3 а п и с и к О д О в << 1 3, << 2 >> и «О >> .

Для записи кода «1» необходимо приложить поле HI>)Л,) Н<, а для записи кода «2» нс15 обходимо ноле H) Hi>, а для записи кода

«О» поле H„должно быть другой полярности, т. е. H»(0.

Таким образом, состояния «1» и «2» характеризуются намагниченностью элемента раз20 ной степени в одинаковом направлении, а состояние «О» характеризуется намапшченностью элемента в противоположном направлении.

Предложенный элемент работает следую25 щим образом. Пусть в элемент записан код

«1», т. е. элемент перешел из устойчивого положения А в устойчивое положение Б. Чтобы считать эту ннформац1по, необходимо приложить поле Л,)Л . Так как иоле первого

30 импульса такта чтения равно коэрцитивной

Силе Н><, то, естественно, первый импульс такта чтения не сможет считать записанную информацию. В момент прихода второго импульса такта чтения, поле которого несколько больше поля Н „на выходной обмотке появится импульс э. д. с. от перемагничивания элемента из состояния Б в состояние Л. Если в элемент был записан код «2», что соответствует устойчивому состоянию В, то в такт чтения в момент прихода первого импульса на выходной обмотке появится импульс э.д. с. от перемагничиваиия элемента из положения В в положение Б, а в момент прихода второго Httпульса на выходной обмотке появится импульс э. д. с. от перемагннчивания элемента из положения Б в положение A.

Код «0» соответствует устойчивому состоянию Л, и в такт чтения на выходной обмотке импульс э. д. с. отсутствует.

Таким образом, при считывании кода «1» на выходной обмотке появляется один импульс э.д. с., при считывании кода «2» вЂ” два импульса э.д. с., а прн считывании кода «0» э.д. с. на выходной обмотке отсутствует. Качествешюе различие считанных кодов упрощает их распознавание.

Предмет изобретения

Запоминающий элемент, содержащий немагнитную псдложку с нанесенной на ней анизотропной тонкой магнитной пленкой, состоящей из двух слоев с разными коэрцитив1 ными силами, от.гичаюи ийся тем, что, с целью расширения области применения и повышения надежности работы элемента, немагнитная подложка выполнена в виде цилиндра. Rue.2

Станок для плетения обмоток матриц накопителя на цилиндрических магнитных пленках // 395911

Элемент памяти // 394849

Устройство для контроля стержней, покрытых ферромагнитной пленкой // 385320

Запоминающая матрица // 382145

Устройство для измерения емкостной помехи в тонкопленочном накопителе // 378964

Патент 377879 // 377879

Матрица запоминающего устройства // 377878

Всесоюзная // 377877

Тонкопленочный запоминающий элемент // 376805

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)