Способ изготовления запол1инающей матрицы

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 14.11.1972 (J¹ 1747976!18-24) М. Кл. G 11с 11!14 с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 17.1Х.1973. Б!оллетеш ¹ 37

Дата опубликоваипя описаипя 23.1.1971

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

УДЫ, 681.327.66(!88.8) Г р

f !

;",1-О-- ;»

". 3 »Ф,! !,3

Ю. В. Остапенко, В. В. Бушии, Т. П. Боровских, Ю. П. Панев и В. А. П и стол ькорс

Ордена Ленина Институт кибернетики АН Украинской ССР

Авторы изобретения

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ МАТРИЦbl

Изобретение относится к области вычислительной техники.

Известен способ изготовления запомина!0щей матрицы, по которому на стскляш1ую подло>кку методом вакуумного напылсиия наносятся пос,тсдовательно слои псрмаллоя и меди, из которых методом фотолитографии получают полосы, а на них методом электрол итического осаждения наносится еще один слой пермаллоя. В результате получается ряд

Ilo.IocI»oBIIx линий с замкнутым 110 осп легкого намагничивания магнитным потоком.

Известен также способ, согласно которому иа медную подложку последовательно наносят слои пермаллоя, меди и пермаллоя. Фотолитографией трех слоев получают разрядные шины. Затем всю систему покрывают фоторезистом, который металлизируют медным слоем, нанесенным методом вакуумного напыления. На иапыленный слой наносят пермаллой. Фотолитографией двух слоев получают числовые шины.

Однако эти способы имеют плохие рабочие характеристики, вследствие неоднородности магнитных свойств слоев из-за различной структуры поверхностей, на которые осаждаются слои и из-за нанесения з!агнитиых слоев последовательно во времени. Процесс изготовлспия матрицы такими способами изза большого числа последовательных операций трудоемок, а магнитный слой элса!ситов бдиого разряда нс разделен.

Целью изобретения является улучшение ра

00ЧИХ XHPHIITCPIICTIII», » !!POIIICIIIIC II тт!СIIICВ, !Сиие тс: нологии производства.

Эта цель достигается тем, iTo иа обс сТоpoHbI фольГи HBHocHT сл01! маГllитиot о аllизотропцого материала, который затем с обеих сторон фотолитографируют иа нолось1, на10 правленные вдоль оси лс! кого н а мa i H» IIIII Iиия и совме cIIHhic з!е>! д1 собой. Од!1 сто(!Оиу полученной матрицы покрывают слоем эпоксидной смолы. который полимсризуют и полученный слой мсталза методом фотолито15 графии разделяют иа адрссныс проводники, !

1аправлс!1!1ыс вдоль оси легкого иаз!апш !ивания магнитных слоев, а фольгу с магнитными слоями — иа разрядныс проводники. направленные вдоль оси трудного намагии ш20 вания.

Матрицу изготавливают следующим образом.

На тонкую фольгу с двух сторон одиовре IcHHo HH ItocH T cлой а и изотр оп ного магнитного

25 материала с прямоугольной петлей гистерезиса по ocH,ICI t»ot n иамагиич11ваиия 11 IHHcltHDII оси трудного намагничивания. Магнитные слои по обеим сторонам заготовки растравливают с помощью метода фотолитографии иа ч0 совмещсииыс друг с другом полосы, иаправ397968 7

Предмет изобретения

Составитель В. Гордонова

Тсхред 1 . Курилко

Редактор Л. Утехина

Корректор О. Тюрина

Заказ 26/18 Изд. Х|з 9 Тираж 5/6 Подписное

ЦНИИПИ Государстве!!!!0! комитета Совета Миш|стров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская паб., д. 4/5

Типографии, пр. Сапунова, 2 ленныс вдоль оси легкого намагничивав|!я магнитного матсриата. Травление производят до фольги. Остатки фоторезиста, H одну сторону такой заготовки покрывают слоем эпоксидной смолы с отвсрдитслем. Смолу подвергают полимсризации. Слой полимера металлизируют. С помощью метода фотолитографии на мсталлизированной стороне получают полосы, ориентированныс вдоль оси легкого намаг||ичивания (адрес!и>|с проводники) и со стороны фольги с ма! н|!тпым слоем— ра:|рядн ые проводн||ки, op!le п|1)ованные вдоль оси трудного намагничивания.

После травления задуб IcHHblll фоторсзист убирают с покрытых магHkITHI>lx слоев разрядш>|х проводников и торцы проводников заращивают слоем ма|ч|итного материала. Затем остатки фоторезиста с адpccHbix проьодников убирают и иа адресные проводники методом элсктрофорсза наносят магнитный киппср.

Предлагаемый метод изготовления запоминающих матриц позволяет получить по упрощенной технологии и на недорогостоящсм тсхноlîãè÷åñêîì оборудовании однородные Ilo ма! ||итным свойствам качественные магнитныс пленки, в результате чего значительно улучшаются характеристики элеменТов запомина|ощих матриц.

Способ изготовления запоминающей матрицы путем нанесения слоев магнитного материала на фольгу, отличающийся тем, что, с

lo целью улучшения рабочих характеристик, упрощения и удешевления технологии производства, на обе стороны фольги наносят слой магнитного анизотропного материала, который затем с обеих сторон фотолитографиl5 руют на полосы, направленные вдоль оси легкого намагничивания и совмещенные между собой, одну сторону полученной матрицы покрывают слоем эпоксидной смолы, который полимеризуют, затем слой смолы металлизи20 руют и полученный слой металла методом фотолитографии разделяют на адресные проводники, направленные вдоль оси легкого намагничивания магнитных слоев, а фольгу с магнитными слоями — на разрядные провод25 ники, направленныс вдоль оси трудного намагничивания.