Элемент памяти
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
394849
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства J¹
М, Ел. G 11с 11/14
Заявлено 03.11.1970 (¹ 1400095j18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 22.VII1.1973. Бюллетень № 34
Дата опубликования описания 14Л11.1973
Государственный комите
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
УД1; 681.327.66 (088.8) Авторы изобретения
А. М. Райтаровский, А. М. Ленивцев и И. Ф. И ванов
Заявитель
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических тонких магнитных пленках, нанесенных на диэлектрической подложке.
В известных запоминающих устройствах на цилиндрических тонких магнитных пленках из-за близко расположенных элементов между разрядными линиями и между числовыми и разрядными в момент считывания и записи возникают достаточно большие помехи, которые в основном носят емкостный характер.
Для устранения этих помех используют конструктивные методы: применяют проводящие заземленные пластины между матрицами, увеличивают расстояние между линиями. Однако эти методы не позволяют полностью уничтожить помехи и в то же время увеличивают габариты запоминающих устройств. Для устранения этих помех используют также схемные методы: применяют реакторы, пользуются сложные балансные схемы усилителя считывания. Однако эти методы заметно усложняют электронику управления запоминающего устройства.
В предлагаемом элементе памяти для по. вышения помехоустойчивости заземляют магнитную пленку, которая, кроме выполнения функций запоминания информации, служит в качестве электростатического крана.
11а чертеже показан предлагаемый элемент и приняты следующие условные обозначения:
1 — металлическии проводник; 2 — диэлектрическая по1ложка; ? — числовая ливня; 4 — ци5 линдрическая магнитная пленка.
Предлагаемый элемент памяти, экспериментально исследованный, бь1л изго"îâëå!1 на основе магнитной пленки, нанесенной на медный
10 провод в стеклоизоляцип. Провод в стеклоизоляции получали методом литья: диаметр медного провода d=0,1 лл, толщ1ьна стеклонзоляции — 15 — 20 лкл. 1-1а нее химическим путем осаждали слой Ag (0,3 лкл), затем (и
15 (1,0 л1кл) и, наконец, электролитическнм методом наносили пленку Feei (1,0 лкл). Магнитную пленку заземлили, как изобра?кено 113 чертеже, и, таким образом, расстояние:;1ежду пленкой-экраном и медным проводом, являю20 щимся проводом записи †считыван, составило -15 — 20 лкл. Числовые шины конструктивно BI!ïîëíÿëè в виде плетеных соленоидов.
Испытания проводили на макете накопителя
25 емкостью 256 чисел, 51 разряд.
Эффективность предлагасмо о элемента оч1енивалась при сравнен1ш с результата:1н испытаний аналогичного накопителя, составлснч1о"o из матриц, разделенны.; медными электроста30 тическими экранами.
394849
Предмет изобретения
Составитель E. Иванеева
Корректор Е. Бл омина
Редактор Л. Струве
Тсхред Т. Курилко
Заказ 3321/12 Изд. № 1817 Тираж 576 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Так как заземленная пленка-экран располагается между числовой и разрядной лилиями, полностью устраняется электростатическая связь между ними, что принципиально невозможно при других способах экрапирования.
Это же относится и к электростатической связи между разрядными линиями.
Результаты испытаний показали, что суммарная помеха уменьшается примерно на порядок. Следует учитывать, что приближение экрана к разрядному проводу увеличивает емкость между разрядным проводом и землей и, как следствие, увеличивает задержку сигнала в разрядной линии, однако, как показал эксперимент, опа не существенна для накопителей средней емкости и среднего быстродействия.
Элемент памяти, содержащий цилиндрическую пленку, нанесенную на диэлектрическую подложку с расположенным внутри проводом
10 записи — считывания, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, цилиндрическая магнитная пленка соединена с шиной нулевого потенциала.
