Запоминающая матрица

Авторы патента:

Ю. В. Остапенко, В. В. Бушин, В. Литвишко, Ю. П. Панев , В. А. Пистолькорс

G11C11/14 - тонкопленочных

ОПИСАНИЕ 382145

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. G 11с 11/14

Заявлено 29.III.1971 (№ 1639483/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 22.V.1973. Бюллетень ¹ 22

Дата опубликования описания 2Х111.1973

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

УДК 681.327.6(088.8) Авторы изобретения

Ю. В. Остапенко, В. В. Бушин, 3. В. Литвишко, Ю. П. Панев и В. А. Пистолькорс

Ордена Ленина Институт кибернетики АН Украинской ССР

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА Предлагаемое изобретение относится к ооля ст!! Вы !Ислительной техники и мо>! ет сыть использовано в интегральных магнитоплепочи ых пако.пителях.

Известны запомипа!ощие матрицы, образованные правильно чередующимися перекре«тиями,poBoëI!èåoÂ, покрытых тонкоп магнитной пленкой.

Известные матрицы имеют следующие недостатки: а) нетехнологичность конструкции, так кяк элемент из магнитного проводлп!его материала нельзя осаждать непосредственно на проводники. Прп !!внесении >ке элемента из проводящего материала на диэлектрик более сложно обеспечить заданные характеристики магнитного слоя, аследовательно,,п однородность рабочих характеристик матриц; б) сложность изготовления эле«мента из-зя наличия слоя изоляции между проводниками упра вления и магнитным слоем; в) увеличение длины магнитопровода элемента из-за наличия слоя изоляции между проводниками управления и магнитным слоем, а, следовательно, увеличение адресного и разрядного токов.

Целью предлагаемого изооретения явллетсл улучшение эксJIëóàтационных характеристик запоминающей матрицы.

Для достижения этого матрица содержит дискретные магнитные слои, нанесенные непосредственно ня пнешп!ою «торону упрявллюLIIHx прогоднпков и непроводлщпй магпигн!и! материяl с большой магнитной проппцаемостью и малой остаточной IIa>IarIIII IeIIIIo«xI Io u простряп !!I« между перекрестплмп упрявлппощпх проводников.

Предлагаемая констр запоминаю!цеп матрицы имеет следующие преимущества: а) магнитные слои расположены пе«редстве!що па плоских управляющих проводниках, .поверхно«тп которых можно придать структуру, обеспечивающую получение магнптIII.Ix пленок «зя;!янп!.!ми свойствямп и тем самым получение матриц с однороднымп раб оч п м I I >:3 р я кто р и «Tп ах! п; б) упрощает.л изготовление элемента, так как пе требустсл наносить слой изоляции между прово:!нпкамп и магнитными слоями

20 элемента; в) изоляция прокладывается только между проводниками, в результате чего уменьшается общая длина магнптопровода элемента, а следовательно, уменьшаютсл адресные и

25 разрядные токи.

На фпг. изображена конструкция предлагаемого устройства; на фпг. 2 вЂ” разрез по

А вЂ” Л !га фпг. 1; на фпг. 3 изображена схема нямаг элемента.

30 Предлагаемое устройство состоит пз управоо о1

Предмет изобретения

1 2

Фиг.,у

Составитель В. Вакар

Техред Т. Ускова

Ред; ктор Б. Нанкнна

Корректор Е. Сапунова

Заказ 22!О/16 Изд. № 1525 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета ио делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Москва, )1(-35, Раугнская иаб., д. 4г5

Типография, пр. Сапунова, 2 ляющего плоского проводника 1 со слоем изоляцин 2 и с дискретным магнитны i слоем 8 из материала с пpttìoóãoëüíoé петлей гистерезнса; проводника 4 со слоем изоляции 5 и магнитным слоем 3; зямыкателя 6 5 магнитного потока элементов.

Предлагаемое уcTpoitcTiBQ работает следующим образом.

При записи «1» в элемент матрицы магнитные слои 8 под действием адресного it,ра;- тц рядного токов записи намагни1ива1отся по 1Ясовой стрелке. Магнитный поток «с между краями itat.ttttTItttx. слоев 3 проводи.tков 1 н 4 проходит по замыкателю 6. Мапи1Тный загмыкатсль имеет большие магниты ю 15 проницаемость и площадь сечения, а следовательно, малое магнитное сопротиьленнс. 1 роме ТОГО, за м ы KBTPJII> должен иметь:!1ял 10 Ос таточную намагниченность, При записи «0» элемент матрицы направление намагнпченно- 2р сти слоев 3 изменяется под действием а,.чресного н разрядного токо13 на противоположное.

Прн с IHòûâaíètt «1» в проводнике 4 в результате :перемагничнвяння элемента адресным импульсом наводигся э. д. с., а при считывании «0» э.д.с. не наводится.

Започиняющяя матрица, содержян!яя мно гослой систему управляющих плоских проводников, .расположенных взаимно перпендн1сул ярно, с изолятором между ними, отлича1ои1аягя тем, что, с целью улучшения эк.плуатационных характеристик, оня содержит

;jHcKpcTIII Ie магнитные слон, нанесенные непоcðñäñòâcíaî на. внсшн1ою сторону управляюtitties проводников и непроводящий магнитный

:,1ятернал с большой мапштной прон11цаемостью н малой остаточной Itaxiait ttttченпостыо в п13острянстве межд1 перекрестпs1ми упрявляющих проводников.

Патент 377879 // 377879

Матрица запоминающего устройства // 377878

Всесоюзная // 377877

Тонкопленочный запоминающий элемент // 376805

Способ записи и воспроизведения информации // 376802

Запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации // 375678

Элемент памяти // 374660

Пленочный магнитный запоминающий блок // 374659

Оюзная г ~i't\'^щ^^.г^"^k, •it-asii и-,-,; // 373776

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)