Вптб ш14ш11жу1

4Î9292

О ПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

10юз советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. G 11с 11/40

Заявлено 13.Х11.1971 (№ 1724086/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий

УДК 621.382(088.8) Опубликовано ЗО.Х1.1973. Бюллетень № 48

Дата опубликования опнсашгя 25.1V.1974

Авторы изобретения

О. А. Раисов, В. И. Кимарский и А. В. При

Заявитель

ТИРИСТОРНО-ТРАНЗИСТОРНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Изобретение относится к вычислительной технике.

Известны тиристорно-транзисторные ячейки памяти, содержащие тнристор и транзисторы записи и считывания.

Цель изобретения — снижение потребления энергии.

Для этого в предлагаемой ячейке памяти р-база тиристора соединена с коллектором транзистора записи «О», г-база — с коллектором транзистора записи «1» и через диод с выходной разрядной шиной, один из катодов тиристора соединен с эмиттерами транзисторов записи «О» и «1» и адресной шиной, а другой — с положительной шиной источника опорного напряжения, причем базы транзисторов записи «О» и «1» подсоединены к соответствующим входным разрядным шинам.

На чертеже приведена схема предлагаемой тиристорно-транзисторной ячейки памяти.

Она содержит тиристор 1, анод которого через резистор 2 соединен с положительной шиной питания, р-база тиристора соединена с коллектором транзистора 3 записи «0», л-база — с коллектором транзистора 4 записи «1» и через диод 5 с выходной разрядной шиной

6. Один из катодов тиристора соединен с эмиттерами транзисторов записи 3 и 4 и адресной шиной 7, а другой катод тиристора— с положительной шиной 8 источника опорного напряжения, причем базы т анзисторов 3 и 4 записи подсоединены соо етственно к входным разрядным шинам 9 10.

Предлагаемая ячейка памят может быть изготовлена в интегральном и олнении.

В режиме хранения информации входные разрядные шины 9 и 10 имеют низкий уровень сигнала, адресная шина 7 имеет потенциал больший, чем напряжение U, ð. Напряжение

10 на выходной разрядной шине 6 равно К„,т,.

Предположим, что «1» информации соответствует включенное состояние тиристора, а «О» — выключенное. Если в ячейке запи15 сана «1», то через тиристор 1, резистор 2 протекает ток. Транзисторы 3 и 4 заперты.

Диод 5 также заперт, так как его анод и катод имеют одинаковые потенциалы. В режиме считывания информации на адресную ши20 ну 7 подается низкий потенциал. Напряжение на катоде тиристора понижается до потенциала земли, диод 5 отпирается, и на выходной шине 6 напряжение понижается до уровня прямого падения напряжения на диоде.

25 При этом на выходной разрядной шине 6 формируется импульс отрицательной полярности, длительность которого равна длительности импульса на адресной шине 7.

Запись информации производится следую30 щим образом.

4Ви92

Предмет изобретения нпгу

Составитель А. Шевьев

Техред Т. Ускова

Корректор Т. Хворова

Редактор E. Караулова

3 а к аз 1003/ ) 6 Изд. № 1124 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открыгий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Одновременно на адресную шину 7 подается отрицательный импульс, на входную разрядную шину 10 положительный импульс, транзистор 4 открывается и по и-базе включает тиристор 1, т. е. происходит запись «1».

Если в ячейку производится запись «О», то одновременно на адресную шину 7 и входную разрядную шину 9 подаются импульсы такой же полярности, как и при записи «1».

При этом транзистор 3 открывается, и по р-базе выключает тиристор 1. Амплитуда положительных импульсов, подаваемых на входные разрядные шины 9 н 10,должна бытьменьше

Усп,,р. В этом случае информация записывается именно в ту ячейку памяти, на которую подан адрес.

Тиристорно-транзисторная ячейка памяти, содержащая тиристор, анод которого соединен с положительной шиной питания через резистор, транзистор записи «0», транзистор

- записи «1» и диод, отличающаяся тем, что, с целью снижения потребления энергии, р-база тиристора соединена с коллектором

10 транзистора записи «О», и-база соединена с коллектором транзистора записи «1» и через диод с выходной разрядной шиной, один нз катодов тирнстора соединен с эмиттерами транзисторов записи «О» и «1» и адресной

15 шиной, а другой — с положительной шиной источника опорного напряжения, причем базы транзисторов записи «О» и «1» подсоединены к соответствующим входным разрядным шинам.