Динамическая ячейка памяти на мдп-транзисторах

 

395900

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 21.Х11.1971 (№ 1727554/18-24) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет

Опуоликовано 28.Ч111.1973. Бюллетень № 35

Дата опубликования описания 8.1.1974

М. Кл. 6 1lс 11 40

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

УДК 681.327(088.8) Автор изобретения

Э. P. Караханян

Рыбинский вечерний авиатехнологический институт

Заявитель

ДИ НАМИ Ч ЕСКАЯ Я Ч ЕЙ КА ПАМЯТИ НА

МДП-ТРАНЗИСТОРАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для проектирования накопителей цифровой информации оперативных запоминающих устройств.

Известны ячейки памяти динамического типа, предназначенные:для оперативных ЗУ.

Однако в них происходит стирание информации при считывании.

Для сохранения информации при считывании предлагаемая ячейка содержит буферный транзистор, затвор и подложка которого подключены к запоминающему конденсатору, сток — к шине считывания кода, исток — к адресной шине считывания кода.

На фиг. 1 приведена схема предлагаемой ячейки хранения; на фиг. 2 — схема, отражающая регенерацию кода в предлагаемой ячейке хранения.

Ячейка состоит из информационного транзистора 1, транзистора записи 2, запоминающего конденсатора 8. Зажимы 4, 5 — адресные входы, соответственно, при записи и считывании,кода, шина б предназначена для записи кода в ячейку, шипа 7 для считывания кода из ячейки.

На фиг. 2, кроме ячейки хранения (транзисторы 8 — 9, конденсатор 10), показаны цепи вывода кода (транзисторы 11, 12, конденсатор 13) и ка скад обратной связи (транзпсторы 14 — 17,,конденсаторы 18, 19). Зажимы

20 — 23 — шйны тактовых импульсов, 24— шина источника питания. Сигналы записи и считывания поступают соответственно на вхо5 ды25и26.

В течение действия на шине 20 первого тактового импульса заряжается конденсатор 18, так как cHIHB;I считывания на входе 26 от10 сутствует и напряжение истока (относительно общей точки) равно напряжению питания схемы. Во время действия на,шине 21 второго тактового импульса сигнал считывания, поступающий на вход 2б, понижает по15 тенциал истока транзистора 8 до нуля и сигнал, хранимый на конденсаторе 10, создает условие для разряда конденсатора 18. Заряд с этого конденсатора во время действия на входе 22 третьего тактового импульса перено20 сится на конденсатор 18 и затем во время действия на входе 23 четвертого тактового импульса — на конденсатор 19. Одновременно с первым тактовым импульсом сигнал запи си 25 опкрывает транзистор 9 и .заряд с

25 конденсатора 19 переносится на конденсатор

10, восстанавливая на последнем исходный уровень.

Запись и считывание информации в пред лагаемой и известной ячейках памяти анало30 гичны.

Предмет изобретения

Фиг. 7 фиг. 2

Составитель P. Яворовскаи

Техред А. Камышникова

Редактор Е. Гончар

Корректоры: О, Кудинова и Л. Орлова

Заказ 3513/16 Изд. ¹ 931 Тираж 576

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам .изобретений и открытий

Москва, УК-35, Раушская наб., д. 4/5

Под п и оное

Типография, пр. Сапунова, 2

Дииамическая ячейка памяти на МДПтранзисторах, содержащая информационный транзистор, затвор которого 1подключен к ад,ресной шине,за писи кода, исток — к,шпне записи кода, запоминающий конденсатор, включенный между стоком и подложкой информационного транзистора, отличающаяся тем, что, с целью сохранения информации .прп считывании, ячейка содержит буферный транзистор, затвор и подложка которого подключены к запоминающему конденсатору, сток— к шине считывания кода, исток — к адресной шине считывания кс да.

Динамическая ячейка памяти на мдп-транзисторах Динамическая ячейка памяти на мдп-транзисторах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх