Способ контроля герметичности полупроводниковых

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

00Ios Соеетскик

Сециалистическик

Реолублик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 15.IV.1971 (№ 1648128/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18ЛЧ.1973. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 12.VII.1973

М. Кл, Н Olt 7/64

Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.382(088.8) Авторы изобретения

А. Г. Егоров и В.,Н. Говоренков

Минский завод «Транзистор»

Заявитель

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ГЕРМЕТИЧНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области контроля герметичности полупроводниковых устройств.

Известные способы контроля герметичности, основанные на проникающей способности жидкостей или газов через негерметичные соединения, обладают низкой чувствительностью и длительным временем испытания.

Предлагаемый способ позволяет повысить чувствительность жидкостных методов до — 4 Л,МН

10 4 и снизить время выдержки изделий сек с нескольких суток до нескольких минут.

Это достигается тем, что для создания высокой разности давлений между внутренним объемом негерметичных изделий и их внешней поверхностью откачивают воздух из камеры с контролируемыми изделиями, что позволяет снизить давление в объемах негерметичных изделий до 10 — 100 мм рт. ст., заполняют камеры жидкостью (например, ацетоном) под атмосферным давлением и затем обрабатывают изделия в жидкости ультразвуковыми колебаниями частотой 20 — 500 кги, мощностью 1 — 5 вт/см .

По предлагаемому способу сократить время контроля изделий на герметичность позволяет разность давлений, полученная между внутренним объемом негерметичных изделий и их внешней поверхностью. Разность давлений создается в результате следующих физических процессов: внутренние объемы негерметичных изделий имеют пониженное давлен ие за счет откачки воздуха из них по отношению к объему камеры, которая заполнена жидкостью под атмосферным давлением; ультразвуковые колебания создают кавитационные процессы в жидкости, при которых возникают местные ударные волны с большими мгновенными nulo ками давления. Ударные волны при гидродинамическом ударе о поверхность контролируемых изделий и разность давлений между атмосферным и откаченным в объеме изделий резко повышают проникающую способность

15 жидкости в объеме негерметичных изделий.

По предлагаемому способу испытывают изделия на герметичность следующим образом.

Контролируемые изделия помещают в вертикальном положении в сетчатое приспособ20 ление, имеющее полое фторопластовое кольцо. Вертикальное расположение изделий выбирают из условия наименьшего экранирования контролируемых поверхностей от ультразвуковых колебаний, Приспособление с изде25 лиями размещают в камере центрично относительно излучателя. Уплотняют камеру крышкой и затем откачивают воздух из камеры форвакуумным насосом до давления 10—

100 мм рт. ст. Изделия выдерживают в ваз0 кумме 30 — 120 мин и заполняют камеру жид.

378999

Предмет изобретения

Составитель Н. Островская

Техред Т. Миронова

Редактор А. Батыгин

Корректоры: М. Гарцевич и А. Степанова

Заказ 1892!11 Изд. № 548 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

3 костью (например, ацетоном) под атмосферным давлением.

По заполнении жидкостью объема камеры на контролируемые изделия воздействуют ультразвуковыми колебаниями, мощность которых выбирают из условия механической прочности контролируемых изделий. Изделия в ультразвуковом поле выдерживают несколько минут в зависимости от конструкции узлов соединения и методов герметизации. После выдержки изделия удаляют из камеры и измеряют величину обратного тока. При проникновении в корпус жидкость изменяет поверхностные свойства полупроводникового материала, в результате чего изменяется обратный ток полупроводникового устройства, по изменениям которого оценивают негерметичность корпуса.

По предлагаемому способу воздействие ультразвуковых колебаний на изделия позволяет вскрыть скрытые микротрещины и тем самым обнаружить потенциально ненадежные приборы, что невозможно сделать другими способами контроля.

10 Способ контроля герметичности полупроводниковых приборов, основанный на проникающей способности жидкости через негерметичные соединения с последующим изменением величины обратного тока прибора, отли15 чающий ся тем, что, с целью снижения времени контроля, откачивают воздух из камеры с контролируемыми изделиями, заполняют камеру обрабатывающей жидкостью под атмосферным давлением и после обработки ультра20 звуком проводят измерения.

Способ контроля герметичности полупроводниковых Способ контроля герметичности полупроводниковых 

 

Похожие патенты:

Всрос-'-' // 375714

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх