Измеритель заряда переключения диодов

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОП И

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

337738

Союз Советских

Социалистических

Реслублин

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 13.Х.1970 (№ 1482883/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.Ч.1972. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 5.VI.1972

M. Кл. G 01г 31/26 комитет ло делам изобретений и открытий

УДК 621 317.318(088.8) ори Совете Министров

СССР

А,втор изобретения

В. П. Урбонас

Заявитель

ИЗМЕРИТЕЛЬ ЗАРЯДА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ДИОДОВ

Изобретение относится к технике радиоизмерений.

Известный измеритель заряда переключения диодов, содержащий источник тока, генератор переключающих импульсов, двухдиодную детекторную схему, регулируемый делитель, источник напряжения смещения и устройство индикации, не обеспечивает высокой точности измерений, Цель изобретения вЂ” повышение точности измерений.

Для этого в предлагаемом устройстве кточке соединения диодов детекторной схемы подключен инвертирующий вход операционного усилителя, другой вход которого связали с регулируемым делителем, соединенным с источником напряжения смещения, а выход операционного усилителя через дополнительный диод соединен с одним из диодов детекторной схемы.

На чертеже показано предлагаемое устройство.

Измеритель заряда содержит источник 1 тока, генератор 2 переключающих импульсов, операционный усилитель 8 с входами А, Б, усилитель 4, устройство 5 индикации, диоды б и 7 детекторной схемы, конденсаторы 8 и 9.

Измеряемый диод 10 подключается к точкам ВГ.

В исходном состоянии через измеряемый диод 10 течет прямой ток от источника 1 тока. В точке В устанавливается потенциал, задаваемый делителем на входе Б усилителя 8.

При поступлении переключающего импульса от генератора 2 диод 7 запирается, и через диод б течет обратный ток диода 10, который усиливается усилителем 4. При этом устрой ство 5 индикации показывает величину заряда

10 переключения.

В течение переключающего импульса потенциал в точке В уменьшается, и на выходе усилителя 8 появляется положительный импульс, стремящийся перезарядить конденсатор 8.

15 Для предотвращения этого между конденсатором 8 и усилителем 8 включен диод.

Улучшение р азрешающей способности и точности измерителя заряда переключения диодов получается за счет того, что благода20 ря обратной связи с выхода операционного усилителя на вход А в точке В устана вливается напряжение, равное задаваемому делителем.

Предмет изобретения

Измеритель заряда переключения диодов, содержащий источник тока, генератор переключающих импульсов, двухдиодную детекторную схему, регулируемый делитель, источ30 ник напряжения смешения и устройство ин337738

Составитель Н. Чуркин

Техред Л. Богданова

Редактор Т. Иванова

Корректор В. Жолудева

Заказ 1539/6 Изд. № 679 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, и р. Сапунова, 2 дикации, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, к точке соединения диодов детекторной схемы подключен инвертирующий вход операционного усилителя, другой вход которого подключен к регулируемому делителю, соединенному с источником напряжения смещения, а выход операционного усилителя через дополнительный диод соединен с одним из диодов детектор5 ной схемы.

Похожие патенты:

Всесоюзная iшш04?кш:'^п1^;^| // 336620

Способ измерения эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике // 335751

Устройство для контроля состояния тиристора // 334529

Устройство для контроля времени обратного // 333499

Устройство для измерения статического коэффициента усиления транзисторов но гоку // 331342

Цифровой измеритель статического коэффициента \/ усиления транзисторов // 325570

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора // 320789

Устройство для измерения параметров транзисторов // 319912

Всесоюзная isjiatththo-tukh^e^h^ ! // 318890

Способ определения теплового сопротивления двухоперационных тиристоров // 316042

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим