Всесоюзная iшш04?кш:'^п1^;^|

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

336620

О П И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетокив

Социелистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М, Кл. G 01г 31/22

Заявлено ЗОВ!!.1970 (№ 1456312/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.1т/.1972. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 29Х.1972

Ковтитет по делим изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.317,3(088.8) Авторы изобретения

Л. Н, Зуев и А. В. Тодуа

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ВКЛЮЧЕНИЯ

ТИРИСТОРА

Предмет изобретения

Изобретение относится к области промышленной электроники и может быть использовано в радиотехнике, вычислительной технике и автоматике.

Известен способ измерения напряжения включения тиристора, основанный на том, что на анод тиристора подают последовательность импульсов с постоянной для каждого импульса и монотонно меняющейся от импульса к импульсу амплитудой напряжения и измеряют напряжение включения.

Однако точность измерения напряжения переключения тиристоров известным способом низка.

Цель изобретения вЂ” повышение точности измерения.

Достигается это тем, что перед измерением напряжения включения измеряют период квазирезонансной частоты перехода анод-катод тиристора в его предвключенном состоянии и устанавливают длительность .плоской вершины импульса много больше периода квазирезонансной частоты.

Влияние длительности плоской вершины воздействующего напряжения на точность измерения напряжения включения тиристора определяется частотной характеристикой последнего. Для тиристоров различного типа длительность плоской вершины воздействующего напряжения различна в силу»v различных частотных параметров, Период квазирезонансной частоты определяет время включения тпри стора, а величина тока включениявЂ” момент включения.

Перед измерением напряжения включения

5 тиристора измеряют период квазирезонансной частоты коэффициента передачи от напряжения к току коммутирующего силового перехода тиристора. Затем на анод тиристора подают напряжение, включающее тиристор за вре10 мя, значительно большее периода квазирезонансной частоты, с тем, чтобы учесть влияние переходных процессов на его включение.

Фронт измеряемого при этом напряжениявЂ” линейно нарастающий с произвольной кру15 т изной.

Способ измерения напряжения включения тиристора, основанный на том, что на анод

20 тиристора подают последовательность импульсов с постоянной для каждого импульса и монотонно меняющейся от импульса к импульсу амплитудой напряжения и измеряют напряжение включения, отлачающийся тем, 25 что, с целью повышения точности измерения, и ред измерением напряжения включения измеряют период квазирезонансной частоты перехода анод-катод тирпстора в его предвключенном состоянии и устанавливают длитель30 ность плоской вершины импульса много больше периода квазирезонансной частоты,

Устройство для контроля состояния тиристора // 334529

Устройство для контроля времени обратного // 333499

Устройство для измерения статического коэффициента усиления транзисторов но гоку // 331342

Цифровой измеритель статического коэффициента \/ усиления транзисторов // 325570

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора // 320789

Устройство для измерения параметров транзисторов // 319912

Всесоюзная isjiatththo-tukh^e^h^ ! // 318890

Способ определения теплового сопротивления двухоперационных тиристоров // 316042

Устройство для контроля полупроводниковогоприбора // 316041

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим