Устройство для измерения параметров транзисторов

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

о и з" .А и,и е

ИЗОБРЕТЕЙИЯ

3I99I2

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 02.1V,1969 (№ 1315985/26-25) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет

Опубликовано 02.Х1.1971. Бюллетень ¹ 33

Дата опубликования описания 5.1.1972

МПК G OIr 31/26

Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382.333.34 (088.8) Авторы изобретения

Н. Н. Терентьев, Г. Д. Федоров и Г. Я, Москалев

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной технике и может быть применено при производстве транзисторов и на входном контроле предприятий вЂ” потребителей транзисторов.

Известно устройство, в основе работы которого лежит принцип сравнения токов, протекающих через измеряемый транзистор и через эквивалентную цепь, использующее две характеризуемые аналогичным исполнением сравнительные цепи. Обе цепи измерения подсоединены через сооветствующие сопротивления к общему генератору. Детекторы эквивалентных измерительных цепей включены в схему через исполнительную цепь, состоящую из контура переключения, фильтров, усилителей и индикатора.

Однако эти устройства имеют невысокую точность измерения за счет наложения переходных процессов в контуре переключения на результат измерения; относительную сложность, выражающуюся в обилии различных звеньев, недостаточную помехоустойчивость к воздействию дсстабилизирующих факторов из-за разновременной подачи в исполнительную цепь измеряемого и эталлонного сигналов.

Для повышения помехоустойчивости, точности измерения и экономичности устройства в предлагаемом устройстве применен генератор, вырабатывающий гармонические функционально освязанные основной сигнал и спутник2 сигнал, К выходу генератора основного сигнала подключена схема задания исходных режимов испытуемого транзистора, а к выходу генератора спутник-сигнал вЂ” эквивалент измеряемого параметра, выходы этих цепей включены на вход общего усилителя, к выходу которого подсоединены два фильтра, выделяющие основной сигнал и спутник-сигнал и соединенные с двумя входами сравнивающего

10 устройства.

На чертеже показана блок-схема устройства.

Устройство состоит из генератора 1 функционально связанных сигналов, выход основного сигнала которого подключен к схеме за15 дания исходных режимов испытуемого транзистора 2. Под этой схемой понимается схема, обеспечивающая измерение соответствующего параметра, из которой вынесены генератор функционально связанных сигналов и все эле20 менты измерительной цепи после точки съема измерительного сигнала с электродов испытуемого транзистора.

Выход спутник-сигнала генератора соединен с эквивалентом измеряемого параметра 8, ко25 торый в простейшем случае представляет регулируемый делитель, проградуированный в значениях измеряемого параметра, а выходы схемы задания исходных режимов и эквивалента измеряемого параметра подключены зо к входу измеряемого усилителя 4. К выходу

319!)12

Составитель О. Афанасенкова

Техред 3. Тараненко

Корректоры: Е. Михеева н Е. Исакова

Редактор E. Гончар

Заказ 3626/14 Изд. № 1525 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, >К-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 этого усилителя подсоединены входы фильтра основного сигнала б и фильтра спутник-сигнала б, а их выходы вЂ” к сравнивающему устройву 7.

Измерение параметра испытуемого транзистора осуществляется с помощью описанного устройства следующим образом. Испытуемый транзистор подключается к схеме задания исходных режимов. Напряжения основного сигнала и спутник-сигнала, отличающиеся частотами, подаются соответственно на схему задания исходных режимов испытуемого транзистора и на эквивалент измеряемого параметра, выходные напряжения подаются на общий вход измерительного усилителя. Из выходного напряжения усилителя с помощью фильтров выделяются напряжения основного сигнала и спутник-сигнала, которые затем подаются на входы сравнивающего устройства, выходное напряжение эквивалента измеряемого параметра регулируется до момента появления срабатывания сравнивающего устройства. Величина измеряемого параметра отсчитывается по величине выходного напряжения эквивалента измеряемого параметра.

Предмет изобретения

Устройство для измерения параметров транзисторов, содержащее генератор с выходом основного сигнала и спутник сигнала, усилн1р тель, фильтры, сравнивающее устройство, эквивалент измеряемого параметра, отличаюи ееся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и точности измерения, к выходу основного сигнала генератора подключена

15 схема задания исходных режимов испытуемого транзистора, а к выходу спутник-сигнала генератора подключен эквивалент измеряемого параметра, выходы этих цепей соединены со входом общего усилителя, к выходу кото2р рого подключены два фильтра, соединенные с двумя входами сравнивающего устройства.

Способ определения теплового сопротивления двухоперационных тиристоров // 316042

Устройство для контроля полупроводниковогоприбора // 316041

Способ определения теплового сопротивлениятиристоров // 314162

Устройство для испытания клипперных диодов // 314161

Устройство для измерения и разбраковки туннельных диодов по статическил\ параметрам // 312215

Устройство для разбраковки транзисторов // 311224

Устройство для подключения электродов электронных приборов к измерителю параметров // 303599

Способ настройки 5''силителя на туннельном диоде // 303598

Способ регистрации семейств характеристик электронных приборов // 303597

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим