Способ определения теплового сопротивления двухоперационных тиристоров

 

3l6 042

ОП И САН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М. И1Е, G 01г 31, 26

Заявлено 26.Х11.1968 (№ 1294246. 26-25) с присоединением заявки ¹

Комитет по делам

Приоритет

Опубликовано 01.Х.1971. Бюллегень ¹ 29

Дата опубликования описания 24.XII.1971 изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.317.799(088.8) Авторы изобретения

И, Г. Недолужко, В. Ю. Голиков и Д. Д. Бальмаков

Московский ордена Ленина энергетический институт

Заявите;и

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ДВУХОПЕРАЦИОННЫХ ТИРИСТОРОВ

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть применено при испытаниях для определения тепловых параметров тиристоров.

Известен способ определения теплового сопротивления двухоперационного тиристора с использованием температурной зависимости остаточного напряжения тиристора,,при котором, помссгив тиристор в термостат, предварительно сш1мают калибровочную кривую, т. е. зависимость остаточного напряжения от температуры, пропускают через испытуемый прибор калибровочный ток и ток нагрузки и по достижении установившегося режима прекращают подачу тока нагрузки, после чего измеряют вели 1»l у остаточного напряжения.

Недостатком известного способа являются недостаточная точность измерешш и сложность в связи с необходимостью измерять малые изменения на11ряжеиия на уровне большого остаточного напряжения .прибора, а также из-за несоответствия условий измерения рабочим условиям (замер производят при открытом тиристоре).

Цель изобрстешья 11о1;ышснис точности определения теплового сопротивления тиристора и одновременно упрощение процесса измерения.

Цель достигается тем, ITO после снятия тока нагрузки иа управляющий электрод открытого тиристора подают импульсы тока, задерж21«II,IC относительно момента снятия тока нагрузки на калиброванное время, изменяют пх амплитуду до запираиия тиристора и фик5 сируют велич1шу амплитуды запирающего импульса тока, по которой и судят об измеряемом параметре.

На чертеже представлена принципиальная схема установки, позволяющей реализовать

10 о;шсываемый способ.

Определение теплового сопротивления производится следующим образом. Испытуемый тиристор 1 предварительно помещают в терз1остат и задают калибровочный ток от источ15 ника 2 с помощью резистора 8. Прп этом, поС1,Ольк кялиброво lIIblII TOI боlbllIC ТОК2 удержания, но в lol0 меньше максимялы1о допустимого тока, тпристор 1 практически пе разогревается этим током, и температура окружаю20 щей среды (корпуса) равна температуре кристалла. Температура корпуса тиристора 1 контролируется с помощью термопары. По достижении cT2íoÂIIÂøcÃocÿ теплового режима подают запирающие импульсы ца тиристор и за25 меря:от их ампл;1туду при данной температуре, Таким образом сиимя1от к11либровочную кривую — зависимость амплитуды запираюИI ИХ II IIIIVЛ ЬСО В ОТ ТЕ. 1ПС Р 2Т Р Ы КРИСтаЛЛ Я.

Далее через тиристор 1 кроме калибровоч30 по1о тока. подаваемого от источника 2, про(6942 с.,.гд

) Состав)(гс.)н В. С. Чслнокова

Тскрсд A. А. Ка(ввпвннкова

Редактор И, Орлова

Коррск)орин В. Петрова и Л. Корогод

Ва<(на 34Я, Иад..",14,)6 TII()<.)к 473 Подписное

Ц! (ИИПИ Комитета по 5(слав(:.1.3< орстспии и о»сп,;T;!I! ),р!) Совете <()ии)строп СССР

<"(оск))а, <к-35, Раун:скан наб., д. 415

Типография, t)D. Сапунова, 2 пускают такжс То!» )грузкп, .!2ïj)» Hc(:, 01 то<»;икя 4 чсрсз рсзнстор () и 1!а:лсл!п 7::)!ый ..1Ho;I, (7 (ток:;»р .3i

ТВП 70ВОГО рСжl а!2 ОТк.llÎ 12! !О 1 ГО!с:!2! !),")к:!

Il P1! помоII и и;110 12 8. Сп

СГ)И5касТСя, Пода lо Г ЗЯПИ р 21(11! Ill! Il!<»11,1ЬС на

У и Р 2 Вл Я i»Ill, и Й 3 л с к т D Од От Г с! Гв Р <1 то Р i (< 31 0 Р "3 резистор 10 (гснсратор Il слу,кит ., .51 ОТНр»4ВЯНИЯ THpIICTOp2 1) . 1 (3 l! C)157 IOT 2 мн;!и CÄ3< ПОданного импульса до 32»!ip

Замсря)от амплитуду имп льса, соотвстству!ощую момснту загпрання (ми)!Пмальну!о l плитуду запирающего импульса), например, с помощью пикового вольтметра 12. По этому значению амплитуды запирающего н1)ну.т),са с использованием предварительно сн)ггой калибровочной кривой накодят TciIIIcp2T), ру кристалла, и, зная мощность, расссивасмую в тиристоре, и тсмпергтуру корпуса (ю показаниям термопары), опрсделяют тепловоз сопротивление.. i,,7:I < Л<(.. I < IOLI

5,(iс):ТРИ i KИК II(. PС. .ОД»1))Х ПРОЦСССС )В IPИ в:.: елi:) с».1» тil p I! С) О () а. г(!)Сдмет изобретения

С Ioc06 Oпрс (сл»IIH51 Tc!I:lовог0 сопротивл")О нпя дву (oпсра ио;1 !ык тпристоров путем сум;!«po;l2iiii5l i(2лнброво !ПО! О тока и тока наI ðó3ê:i, прогскяющик через нсслед емый ти;)нс)о», с Iioc:Ic3,10,1141 »115!Tlic)l Toi(2 ПЯГРУ3кс»ослс устяновлсния т.=нлового режима тир«ci ор2, с нрсдваритсльным cli)ITHcм ка 71!6()0во»loll зависимости. отличи)ои(ийс)! тсм, что, с НСЛЬ!О ПОВЫщС)Шя Tλ1001 И унрощсиня

)!роцесса измсрения, после снятия тока паР13 к

Способ определения теплового сопротивления двухоперационных тиристоров Способ определения теплового сопротивления двухоперационных тиристоров 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх