Устройство для контроля полупроводниковогоприбора

 

3I6O4l

ОП ИОАН И Е

ИЗОБРЕТЕН Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТ =ЛЬСТ=" -У

Са1аз Сааетских

Саииалистиксских

РеслуС".;èí

Й :э

Зависимое от авт. свидетельства ¹

ЧПК б 01г 31126

Заявлено 22Х! !.1968 (J% 1257524 26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 01.Х.1971. Бюллетень ¹ 29

Камитет пс селам иэаГаетений и аткрмтлй при Саеета Л;лиистрае

СССР

УД К 621.382.333.34 (088.8) Дата опубликования описания 2-1.7 11.1971 I ò | l t t l ï Il l L r i h

В. М. 1т1аслов и В, С. Твсрсзовский /, Автор Iл изобретснтгя

3 а 11 в и тел ь

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ПРИБОРА

Изобретение относится к области электронной текни ки и может быть использова11о в производстве полупроводниковык приборов.

Известен способ контроля, положительной ветви вольтамперной карактеристики диода при пропуска1ши через него пилообразного тока, заключающийся в просматривания карактеристики на Осциплографе.

Недостатком известного способа является невозможность автоматизировать процесс контроля, малая производительность.

Цель изобретения — увеличение производительности, подготовка процесса контроля и автоматизации.

Цель достигается за счет преобразования мгновенными значений вольтамперной карактеристи ки U = f (1) (положительная ветвь) диода в цифровую форму с помощью Bíàëîro-цифрового преобразователя с постоянным интервалом преобразования, подачи заполп1яющи7 импульсов эталонной частоты на скему вычитания, которая определяет разности между каждыми соседними мгновенны си значениями и выдает ик на скему сравне:1ия, которая определяет, какая из разностей больше: первая или последующая. Если больше ..ослед у Iощая, — диОд П, 10. ОЙ.

На чертеже изображена блок-скема описываемого устройства.

Работает устройство следующим ооразом.

Прн контролс каждого очередного диода счс:;икн 1 11 2 сбрасываиотся в искодное сос I оoя1:нс. При прсобразованш1 мгновенног0 зная 1!IIB вольтампсрнои карактеристики диода

D и:1фровую форму с аналого-цифрового преобразователя Л,осгу1ают импульсы эталоннон1:асгогы IIB счет:1ыс вкоды счетчиков 4 II

1 cicx! II вынч1ггания (состоящей из счетчи ков

-1, 1, тр:1ггсра 5 10.;ем совпадения «И» 6, 7, 8), коли. ссгпо ко гор11 ..ронорцнонально мгновс:гному зна 1с:I.IIO в1льгамперной характеристик:! диода. По лс окончания цикла преобразования:1;1формацни из счетчика 4 переписывается в c«el !;Iк 1 (параллельный перенос) в обрат:10 1 1,0дс, нос7е чего c cT II, 4 copBcbI: ас-.я в 11..:юд11ое .Остоянпе;1 готов к приему импул1 сов O.зсдук щего цикла преобразова1Н1Я. С 1 а I B i I IIOTOPO! 3атто 7НЯ10ЩEIC IIXIIIX 7bc1! c:IoBB пос.у BIOò :.B счстны; вкоды этик

C I Е ГТI 1 1КО В.

Следует отi!CT!ï!, :To,ïocòóïBþù!Iå на с ..-тный мод О.сгчнк!1 1 импульсы при первом ни:w,!c:.pc05pBçcâB:!:1я на работу скемы в ы ч и г а н н я н с в,1 н 11 10 т .

С тстчик 1 i:o:êcò принять количество им.1уль "0!1,,".!Ilв..ос ".рсдыдущему пиклу преобраo0B.-.ния; этот м мс:lт фиксир ет триггер 5, ко, Орый переори:ызается, блокирует счетньш в год сче: I.".":1 1 !! pàçðåøBñò поступление ос

Устройство для контроля полупроводниковогоприбора Устройство для контроля полупроводниковогоприбора 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх