Патент ссср 312549
:с,( т-,,;;... . . *:-, г@
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
312549
Союз Советских
Социалистичесних
Республик
Зависимое от авт. свидетельства Ме
Заявлено 04,VI I!.1969 (№ 1354295/26-25) с присоединением заявки _#_o
Приоритет
Опубликовано 21.IV.1972. Бюллетень М 14
Дата опубликования описания 22Х.1972
М. Кл. Н 011 7/00
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мимистрсе
СССР
Ъ ДК 621.382 002(088.8) Авторы изобретения
В. Д. Кучин, В. И. Нижегородов и В. П. Шаповалов
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
Изобретение относится к электронной промышленности. Данный способ может быть использован при производстве сплавных диодов и транзисторов на основе монокристаллического германия п-ти па.
Известен способ изготовления полупроводниковых приборов на основе монокристаллического германия и-типа путем механической разделки слитка на пластины, пластин на кристаллы, хи мической подготовки поверхности кристаллов под вплавление, отжига кристаллов перед вплавлением переходов при тем|пературе, не превышающей температуру вплавления навесок в кристалл, а именно, при
400 — 540 С в течение 5 — 7 мин без регламентирования скорости охлаждения кристаллов после отжига.
При известном способе на,параметрах приборов отрицательно сказываются дефекты структуры, заложенные при выращивании монокристаллов, на которые накладываются механические напряжения, неизбежно возникающие в процессе разделки слитков монокристаллов германия на кристаллы.
Предлагаемый способ позволяет уменьшить влияние неконтролируемого флуктуационного распределения центров рекомбинации в объеме p-n-перехода, т. е. уменьшить дефекты структуры, заложенные при выращивании монокристалла, а также снять механические напряжения, возникающие при разделке слитков. Он отличается тем, что отжиг кристаллов перед вплавлением проводят при температуре выше температуры вплавления, но ниже тем5 пературы активной термоконверсии для германия п-типа, в течение времени, которое превышает время вплавления в 5 — 6 раз, и со скоростью охлаждения не более 15 С/мик.
Способ осуществляется следующим обра10 зом. ,Исходный слиток монокристаллического германия и-типа любым известным способом разрезают последовательно на пластины и кристаллы, после чего любым из вестным Gno15 собом проводят химическую обработку поверхности кристаллов, например, травлением в Н О +КОН. Кристаллы германия после обработки их,поверхности загружают в кассеты и помещают в водородную печь для отжига.
20 Температура печи с загруженными кристаллами,произво lbHO повышается до температуры выше температуры anëà aëåíèÿ электродов, например до 600 С, и выдерживается на этом уровне в течение времени, которое превышает
25 время вплавления в 5 — 6 раз, например, в течение 30 мин. Затем печь с загруженными кристаллами охлаждают со скоростью не более 15 С!мин. После этого отожженные кристаллы выгружают из,печи и отправляют на
30 сборку, в,процессе которой кристаллы и элек312549
Составитель И. Лепешкина
Корректор E. Миронова
Текред 3. Таранеико
Редокt:îð Б. Федотов
Заказ 1343/1 Изд. № G04 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 тродные навески загружают в кассеты для вплавления р-и-переходов. Вплавление .происходит в водородных .печах при температуре порядка 560 С в течение 5 — 7 мин.
Предмет изобретения
Способ изготовления полупроводникового прибора на основе монокристаллического германия и-типа путем механической разделки слитка на пластины, пластин на кристаллы, химической .подготовки поверхности кристаллов под вплавление,,предварительного отжига кристаллов перед вплавлением, в плавления р-;.-перехода, отличаюн1ился тем, что, с целью уменьшения влияния неконтролируемого флуктуациîHHого распределения центров ре8 комбинации в объеме р-п-перехода, отжиг кристаллов проводят в течение времени, превышающего в 5 — 6 раз время вплавления, и лрн температуре, превышающей температуру вплавления электродов, но ниже температуры
10 активной термоконверсии .для германия и-типа, с последующим охлаждением со скоростью не более 15 C/èèí.
