Способ определения поверхностного потенциала
Bc= О©;у
ИАТ- : ..;. -Та .Хйй бл те
ИЗОБРЕТЕНИЯ
308390
Еоюз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 28.XII.1966 (№ 1122041/26-25) МПК б 01г 29(00
Н Oll 7/ОО с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет од двлам
Изобретений и открытий ори Совете Министров есср
УДК 621.317.799:537. .311.3(088.8) Опубликовано 01.Ч!!.1971. Бюллетень № 21
Дата опубликования описания ЗОХ111.1971
Авторы изобретения С. П. Кальвенас, Л. А. Климка, В. И. Гуога и Ю. К. Пожела
Заявитель
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ПОТЕНЦИАЛА
ПОЛУПРОВОДНИКА
2 о ю®+ о,, и
В,У 2йо + о®
Ro„ — сопротивление объема полупроводникового образца в равновесных электрических полях; где
Изобретений относится к области исследования физических параметров полупроводниковых материалов.
Известный способ определения поверхностного потенциала полупроводника основан на эффекте поля и заключается в следующем.
К конденсатору, одной из обкладок которого является металлический электрод, а другой— поверхность полупроводника, прикладывают внешнее электрическое продольное поле, последнее не нарушает термодинамическое равновесие между свободными носителями и решеткой полупроводника. При этом заряд в области пространственного заряда в полупроводнике изменится таким образом, чтобы экранировать объем полупроводника как от поля заряда, локализованного в поверхностных состояниях, так и от внешнего приложенного электрического поля. Соответственно изменится поверхностный потенциал и однозначно связанное с ним поверхностное сопротивление. Поэтому измеряя изменение поверхностного сопротивления, определяют поверхностный потенциал по теоретическим кривым.
Цель изобретения заключается в повышении чувствительности измерения, в возможности определения поверхностного потенциала полупроводника при больших загибах зон в сторону инверсии в устройствах, основанных на разогреве носителей тока электрическим полем, без нарушения целостности этих устройств.
Это достигается изменением объемного сопротивления полупроводника при почти неизменном поверхностном сопротивлении за счет прикладывания к полупроводниковому образцу сильного электрического поля, обеспечивающего нарушение термодинамического равновесия между свободными носителями и
1О решеткой полупроводника.
Предлагаемый способ осуществляется следующим образом. Полупроводниковый образец попеременно помещают в равновесное и нарушающее тер модин амическое равновесие электрические продольные поля, измеряют изменение эффективного сопротивления при заданных напряженностях полей и по теоретическим кривым определяют значения поверх20 ностного потенциала полупроводника.
Теоретическая кривая строится, используя выражения
