Устройство для вакуул1ного нанесения пленок полупроводниковых соединений

 

О П И С А Н И Е 3094I6

ИЗОБРЕТЕНИЯ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сава Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

МПК Н Oll 7/68

Заявлено 17.I1.1970 (№ 1404534/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Спублпковано 09.Ъ 11.1971. Бюллетень ¹ 22

j,àòà опубликования описания 11Л I I I.1971

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Мииистрав

СССР

УДК 621 382(088 8) Авторы изобретения

1О. 3. Бубнов, М, С. Лурье и П. Д. Токарев

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВАКУУМНОГО НАНЕСЕНИЯ

ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии производства пленочных элементов: триодов, диодов, фотосопротивлений и т. п.

Известно устройство для вакуумного нанесения пленок сложных материалов, содержащее отпаянную кварцевую ампулу, внутри которой помещены испаряемое вещество и конденсирующая подложка, нагреваемые с помощью внешней градиентной печи.

В известном устройстве вследствие случайного сочетания геометрических размеров ампулы и температурных режимов не обеспечиваются оптимальные условия конденсации, что приводит к отклонению от стехиометрического состава и несовершенству структуры конденсатов.

Цель настоящего изобретения состоит в разработке устройства для нанесения в вакууме пленок полупроводниковых соединений, которое позволило бы получить пленки стехиометрического состава и структуры.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем замкнутую камеру, подложку и нагреватель, выбираются такие соотношения геометрических р азмеров камеры и температурных режимов, которые обеспечивают осаждение пленок из газодинамического потока в условиях малого пересыщения пара и интенсивного реиспарения материала с подложки и стенок камеры.

Согласно теоретическому расчету и экспериментальной проверке, для полупроводниковых соединений групп А"В" и Агп Б отношение длины камеры к ее диаметру составляет 0,5—

1,5 при градиенте температуры вдоль камеры

15 — 40 град сл — .

На чертеже схематически представлено

10 предлагаемое устройство.

РаЗЪЕМНая ГрафИТОВая КаМЕра СОСТОИТ ИЗ крышки 1 и основания 2. В отверстие крышки укладывается маска 8 и подложка 4. Внутренний экран 5 крепится над дном основания. д Нагреватели 6 и 7 помещаются, соответственно, над крышкой и под основанием камеры.

Сотовые углубления 8 занимают всю внутреннюю поверхность дна камеры и используются для равномерного распределения подлежа2 щего испарению вещества.

Вакуумирование разъемной камеры, осуществляемое вследствие ее неполной герметичности, длится несколько дольше (приблизительно на 30 мин), чем вакуумирование ра25 бочего объема 9 вакуумной установки. Вследствие геттерных свойств графита предельное разрежение в камере может быть достигнуто на порядок лучше, чем в объеме установки.

Первым включается нагреватель 6, который

30 прогревает подложку 4 для обезгажившшя.

309416

Составитель В. П. Ыирошкина

Редактор T. 3. Орловская Техред А. А. Камышникова Корректор О. И, Волкова

Заказ 2175, 16 Изд. ¹ 953 Тираж 473 Подписное

LIHHHIIH Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров CCCi

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Устройство для вакуул1ного нанесения пленок полупроводниковых соединений Устройство для вакуул1ного нанесения пленок полупроводниковых соединений Устройство для вакуул1ного нанесения пленок полупроводниковых соединений 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх