Способ измерения температуры электронно- дырочного перехода полупроводникового прибора
305524
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
CoIos Советским
Социалистические
Рооп блик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
МПК Н 01l 7/00
G 01г 29/00
Заявлено 13.1Х.1968 (№ 1270381/26-25) с присоединением заявки ¹
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Пр нор итет
Опубликовано 04.VI.1971. Бюллетень ¹ 18
Дата опубликования описания 16Х11.1971
УДК 621,382:621.317.799 (088.8) Авторы изобретения
А. А. Аси и Г. К. Тоомсоо
Заявитель
СПОСОБ ИЗМЕРЕН ИЯ ТЕМП ЕРАТУРЬ! ЭЛЕКТРОН НОДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
Изобретение относится к области измерения физических параметров мощных полупроводпиковых приборов, например вентилей пли тиристоров.
Известны способы определения температуры полупроводниковой структуры у вентилей и тиристоров, основанные, например, на температурной зависимости прямой ветви вольтамперной характеристики в области малых токов, на температурной зависимости времени восстановления.
Но указанные способы в некоторых случаях, в частности при исследованиях тиристоров, приводят к значительным погрешностям из-за большого разброса указанных температурозависимых параметров по отдельным тпристорам (или вентилям) или требуют индивидуальной тарировки каждого исследуемого прибора.
Иногда при определениях температуры полупроводниковой структуры вентилей или тиристоров в реальных условиях в преобразовательных установках невозможно обеспечить после такого полупериода полупериод без обратного напряжения.
Цель настоящего изобретения заключается в повышении точности измерения.
Это достигается применением в качестве температурно-чувствительного параметра температурной зависимости напряжения лавикообразования в обратном направлении.
Предлагаемый способ осуществляется следующим образом. Через тпристор илп вентиль
5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величины и измеряют обратное напряжение на тиристоре пли вентиле.
Температуру полупроводниковой структуры определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое.
Величина измерительного обратного тока соответствует режиму лавинного пробоя, но достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой структуры, Данный способ позволяет измерять температуру полупроводниковой структуры при па23 лпчпи обратного напряжения на вентиле или тпрпсторе, зависимость измеряемой величины от температуры †линейн, и разброс зависимости по отдельным вентилям плп тиристорам — минимальный.
25 Данный способ удобен прп определении теплового сопротивления вентилей или тпрпсторов в обратном направлении. Последние необходимы прп определениях перегрузочной способности вентилей плп тпрпсторов по об30 ратному напряжекшо.
305524
Предмет изобретения
Составитель М. Лепешкина
Техред Л. В": Куклина
Редактор Ю. Полякова
Корректор 3. И. Тарасова
Заказ 1951/15 Изд. М 824 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб. д 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Способ измерения температуры электроннодырочного перехода полупроводникового прибора, обладающего контролируемым лавинообразованием в обратном направлении, путем подачи на переход измерительного тока, измерения напряжения и определения температуры расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, измерительный ток постоянной величины, соответствующей режиму лавинного пробоя, пропускают в обратном направлении.

