Способ измерения эффективного времени
О П И С А Н И Е 3065I2
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетскик
Социалистических
Реслублик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено ЗО.Ч11.1966 (№ 1093793/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 11 VI,1971. Бюллетень ¹ 19
Дата опубликования описания 21 VII.1971
МПК Н Oll 7/00
G 01r 29/00
Комитет по делам изобретений и открытий ори Соеете Министров
СССР
УДК 621.382:621.317.799 (088.8) Авторы изобретения
М. Э. Кричевский и Н. Х. Арцис
Заявитель
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТИ ВНОГО ВРЕМЕНИ
)КИЗНИ НЕОСНОВНЪ|Х НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В р-п-ПЕРЕХОДЕ
ПОЛ УПРО ВОДН И КОВОГО ПРИ БОРА
Предмет изобретения
Изобретение относится к способам измерения физических параметров полупроводниковых приборов.
Известные способы измерения эффективного времени жизни -. неосновпых носителей заряда в базе полупроводникового диода основаны или на переключении диода прямоугольным импульсом из проводящего состояния в непроводящее или на наложении малого переменного сигнала и измерении импеданса.
Основные недостатки этих способов заключаются в том, что они применимы при ограниченном диапазоне значений т; на результаты измерений влияют собственная емкость диода и диододержателя.
Кроме того, посредством этих способов определяют значение эффективного времени жизни для одного фиксированного значения уровня инжекции, в то время как во многих случаях целесообразно получать среднее значение т при различных уровнях инжекций.
Цель изобретения заключается в повышении точности измерения за счет исключения влияния собственной емкости и обратного сопротивления измеряемого р-п-перехода.
Для этого, согласно предложенному способу, определяют частоту, при которой извлеченный заряд имеет максимальное значение.
Испытуемый диод устанавливают в схему однофазного однополупериодного выпрямления с активной нагрузкой. Питание схемы осуществляется от источника с изменяющейся частотой выходного напряжения. При различных значениях частоты определяется величина заряда диода при его переключении с прямого направления на обратное. По полученным значениям заряда находят частоту, прп которой извлеченный заряд имеет максимальную величину. По найденной частоте определяют эффективное время жизни неосновных носителей заряда как величину, обратную угловой частоте.
Способ измерения эффективного времени жизни неосновпых носителей заряда в р-ипереходе полупроводникового прибора по величине извлеченного заряда, от.ш«атоатийая тем, что, с целью повышения точности измерения за счет исключения влияния собственной емкости и обратного сопротивления измеряемого p-u-перехода, на переход подают ток синусопдальной формы, частоту которого после25 довательно изменяют до достижения извлеченным зарядом своего максимального значения, и далее по полученному значению частоты определяют эффективное время жизни неосновных носителей заряда как величину, 30 обратную этой частоте.
