Способ определения напряжения пленочных материалов на подложке
О П И С А Н И Е 29786Î
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сова Советник
Социалистических
Респуолик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
МПК G 01Ь 9i02
Заявлено 31.111.1969 (№ 1330408j26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 11.III.1971. Бюллетень № 10
Дата опубликования описания 7Л .1971
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Ъ ДК 535.417(088.8) Авторы изобретения
В. В. Долгов, Ю. Н. Дьяков, А. С. Валеев и В. И. Жуков
i
ggpr .c, . -1)-,Я
Заявитель
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ
МАТЕРИАЛОВ НА ПОДЛОЖКЕ
Известен способ измерения напряжений, при котором подложка под действием механических напряжений в осажденной на пее пленке деформируется, приобретая форму, близкую к сферической. Величину прогиба подложки, по которому судят о напряжениях в пленке, измеряют с помощью многолучевой интерферометрии.
Недостаток известного способа состоит в том, что этим способом невозможно измерять напряжения в неотражающих и слабоотражающих пленках, а также в пленках, неравномерных по толщине. Используемые зеркала с однослойным металлическим покрытием не обеспечивают качественной интерференционной картины, что приводит к значительным погрешностям в определении радиуса кривизны подложки.
Предложенный способ дает возможность проводить с высокой точностью измерения напряжений в неотражающих и неравномерных по толщине пленках по качественно новой интерференционной картине.
Сущность способа состоит в том, что интерференционная картина образуется между поверхностью подложки н поверхностью девятислойного диэлектрического зеркала, а пленка расположена на поверхности, противоположной измеряемой, и не является отражающей плоскостью.
Предложенный способ поясняется чертежом.
Луч 1 высокой монохроматичности (), = о
= 5461 А), проходя зеркало 2, на поверхность которого нанесены тонкие диэлектриi ческие слои оптической толщины nh = —, от4 ражается от поверхности подложки, имеющей радиус кривизны R. Проходя поочередно каждый слой многослойного зеркала, луч образует на границе раздела новые отраженные лучи 4. Поэтому между поверхностями 5 и 6 подложки и зеркала накапливается большое количество световой энергии, благодаря чему создается мнгоголучевая интерферометрия нового качества. При этом пленка 7 не участвует в образовании интерференционного поля, так как она расположена на подложке с противоположной стороны.
Разработанный способ может быть использован и для измерений механических напряжений в многослойных структурах.
25 Предмет изобретения
Способ определения напряжений пленочных материалов на подложке при помощи многолучевой интерферометрии, отличагощийся тем, 30 что, с целью повышения точности измерений, I|086 pëÍ0ÑÒÜ ПОДЛОЖКИ ППИВОДЯТ В KOHTBKT С поверхностью полупрозрачного многослойного диэлектрического зеркала и облучают пучком света высокой монохроматичности, при этом по изменению интерференционной картины судят о напряжении в исследуемом материале.
Составитель В. С. Зверев
Редактор Т. 3. Орловская Тскред E. Борисова Корректор В. П. Федулова
Заказ 1124/10 Изд. № 499 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и огкрытий при Совете Министров СССР
Москва, К-35, Раушская наб., д. 4j5
Типография, пр. Сапунова, 2
