Запоминающий элемент

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

О П И С А Н И Е 288847

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со1оз Советских

Сониалистических

Республик

1«, Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 13.Õ.1969 (№ 1365086/18-24) Кл. 21ат, 37i04 с присоединением заявки ¹

МПК G llс 11,08

У:1К 681.327.66(088.8) Приоритет

Опмб.7иковано ОЗ.XII.1970. Бюллетень ¹ 36

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР.1ата опубликовани1я DIIисания 28.1.1971

«« «

7 вЂ” («

1 «1

««

Автор изобретения

О. В. Кириллов

° «

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминающим устройствам цифровых вычислительны . м а шин.

Известен запоминающий элемент долговре- 5 мснного запоминающего устройства трансформаторного типа, выполнегп1ый па сердечнике с разьемным магнитопроводом, управляемая часть которого содержит модуляционные отверстия, прошитые обмотками управления.

Известный запоминающий элемент имеет малое отношение сигнал/помеха и отличается слохкностью изготовления.

Целью изобретения является увеличение отношения сигнал помеха и упрощение техно- 15 лс гии изготовления запоминающего элемента.

Это достигается тем, что управляемая часгь магнитопровода выполнена в виде магнитного моста с модуляционными отверстиями в каждом плече и выходной обмоткой на диаго- 2з нальной перемычке моста, при этох1 поверхность сопряхкения и диагональная перемычка моста управляемой части мапштопровода расположены в параллельных плоскостях, перпендикулярно которым расположены пле- 25 чи моста, содержащие сквозные отверстия для выходной шины, проходящей параллельно поверхности сопряжения, и модуляционные отверстия, прошитые шипами управления, перпендикулярны«ми выходной шине. 30

Конструкция запоминающего элемента поясняется чертежом. .Чагпитоп(эовод запоминающего элемента состоит из информационной части 1 (для примера П-образной формы) с ш1формационнымп адресными проьодами 2 и управляемой части в виде мапштного равновесного моста > с

110+3 75ILLIIokIIkI«IAIII отвсРстиЯAIII 4 D кахкДом плече. Bllxодная обмотка 6 охватывает дпагональну1о мапнггную перемычку моста, а мправ75lioLIIIIe (селектируloLLLI!e) обмотки 6 проходят через отверстия -l.

Запоминающий элсмеIIT работает следующим образом.

Необходимая информация г>носится в элемент с помощью постоянной прошивки адресными проводами 2 по методу «прошито вЂ” не11pOILIIITO». С IIIT l lk31IIIO и н11«ор м анни II jlOII3.IOдится пропусканием импульса тока через сдпн выоранный адресный провод, I селекция запо»;,IIIàþùåão элемента. цз которого необходимо полу шть инфорх1аци1о, осуществляетc5I подачей управляющего то а. В выходной обмотке 5, общей для всех элементов ЗУ одного разряда, будет возбужден выходной сигнал только от того элемента, в котором с псмощью управляющего тока (через соответствующие обмотки 6) нарушено равновсснс моста.

Селекция элемента ЗУ произгодится твумя.

288047

Составитель Н. Прокофьева

Рсдавтоп Ю. Д. Полякова Тсхрсд Т. П. Курилко Корректор Г. С. Мухина

Заказ 3948,15 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета IIo делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раугиская наб., д. 4/5

Типография, пр, СапуiloIIB, 2 методами, связа1шыми с исходным состоянием магнитного моста: с нормально-ненасыщенными плечами или с нормально-насыщенными, В первом случае управляющий импульс тока подается в одну из противолежащих пар модуляционных отверстий, вводя в насышение материал мапштопровода вокруг нпх.

Магнитное сопротивление плеч с насыщенными участками резко возрастает, что приводит к разбалансу моста и возможности возбуждения сигнала в выходной обмотке от адресного тока (при записи единицы). Прп отс тств11и управляющего тока мост находится в равновесии, и выходной сигнал в обмотке 5 не гозникает.

Во втором случае селек«1»1 через все модуляционные отверстия протекает постоянный ток насыщения, а управляющий импульсный ток, примерно равньш току насыщения, в оепой из противолежащих пар отверстий направлен согласно с током насыщения, а в другой паре отверстий вЂ” встречно. В первой IIBре отверстий насыщение материала магнитопровода усиливается, а во второй паре насыгнепие снимается, и тем самым также создается резкий разбаланс моста.

Последний метод, несмотря на наличие дополнительной обмотки, проходящей через I,IGдуляционные отверстия (условно пе показана}, обладает рядом преимуществ; необходимая точность балансировки моста достигается без кестких требований к геометрии эле;1ечга, при этом мала величина пюмехи от управлгиощих токов, велико отношение коэффициентов передачи сигнала для выбр;шпых и невыбранных элементов, токи управлеш1я могут быть примерно вдвое меньше, че 1 при

; ер1юм методе.

Предмет изобретения

1. Запом11нающий элемент долговременного запоминающего устройства TpallcIIInp 1:I lорноro TI па, выполненный на сердеч1шке с разьсмпым магнитопроводом, управляемая часть которгго содержит модуляционные отверстия, прошитые обмотками управления, отли1а1ои1ееся тем, что, с целью увеличения отношения сигнал/помеха, управляемая часть мапштопровода выполнена в виде магнитного мос ci с модуляционными отверстиями в каждом

ПЛСЧЕ П ВЫХОдНОй ОбМОтКОй На диа1О1гаЛЬНОй перемычке моста.

2. Злемеит по п. 1, отличатои1ит".,:l Tc;I, что, с целью упрощения технологии изготовления запоминающего устройства, поверхность сопряжения и диагональная перемычка моста управляемой части магнитопровода расположены в параллельных плоскостях, перпендикулярно которым расположен11 пле-ш моста, содержащие сквозные отверстия для выходной шины, проходящей параллельно поверхности сопряжения, и модуляционные отверстия, прошитые шинами управления, перпендикулярными выходной шине.