Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу накена-киропулоса (C30B17)

C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (81)
C30B17                 Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу накена-киропулоса (C30B15 имеет преимущество)(1)
 
2548605.
Наверх